硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极的研究和应用——线性扫描伏安法测定水中可溶性硅酸盐

本文研究了以玻碳电极为基体的1:12硅钼杂多酸根(SiMo_(12)O_(40)~(4-)简称12-MSA)修饰电极的制备及其电化学行为,将12-MSA电极应用于线性扫描伏安法测定天然水中可溶性硅酸盐,结果满意.硅浓度在8.0×10~(-7)～1.7×10~(-3)mol/L,相对标准偏差(n=7)为1.85％,加标回收率为98.2％～103.6％,SiMo_(12)电极具有优良的选择性和稳定性。     

硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极线性扫描伏安法测定黑液中要溶性硅

本报导了以玻碳电极为基体的１∶１２硅钼杂多阴离子薄膜化学修，铈电极的制备及其电化学特性。并应用于导数伏安法测定。在４．０×１０＾－３ｍｏｌ／Ｌ９ＮＨ４）６Ｍｏ７Ｏ２４－６６．８×１０＾－２ｍｏｌ／ＬＮａ３Ｃｉｔ－０．４８ｍｏｌ／Ｌ ＮＨＯ３体系中，硅浓度在８．３×１０＾－７～１．７×１０＾－３ｍｏｌ／Ｌ。对可溶性硅（以ＳｉＯ２计）为２４５．０５ｍｇ／Ｌ的黑液，稀释１０倍后，取２．００ｍＬ平行测定     

硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极线性扫描伏安法测定黑液中可溶性硅

本文报导了以玻碳电极为基体的１：１２硅钼杂多阴离子薄膜化学修铈电极的制备及其电化学特性。并应用于导数伏安法测定。在４．０×１０￣（－３）ｍ０ｌ／Ｌ（ＮＨ＿４）＿６ＭＯ＿７Ｏ＿（２４）－６．８×１０￣（－２）ｍｏｌ／ＬＮａ＿３Ｃｉｔ－０．４８ｍｏｌ／ＬＮＨＯ＿３体系中，硅浓度在８．３×１０￣（－７）～１．７×１０￣（－３）ｍｏｌ／Ｌ范围内与峰电流呈良好线性关系，检测限为８．０×１０￣（－７）ｍｏｌ／Ｌ。对可溶性硅（以ＳｉＯ＿２计）为２４５．０５ｍｇ／Ｌ的黑液，稀释１０倍后，取２．００ｍＬ平行测定９次，ＲＳＤ为０．５８％，加标回收率在９７．３％～１０４．４％间。     

磷钼杂多阴离子薄膜修饰电极及其应用——循环伏安法测定植酸中无机磷

本文采用含磷10μg/ml的5×10~(-3)mol/L钼酸铵-0.5mol/L硫酸-20％(V/V)丙酮溶液为电极修饰液,制备了性能优良的以玻碳为基体的PMo_(12)薄膜修饰电极,并应用于植酸中无机磷的测定。检测限为0.04μg/ml磷;相对标准偏差(n=5)为4.32％,加标回收率为98％～108％。本法还可应用于植酸及其它含磷试样的分析。     

化学修饰电极的研究: 1:12磷钼杂多阴离子薄膜修饰电极的电化学性质

用循环伏安法研究了1:12磷钼杂多阴离子(PMo12)薄膜修饰电极的制备及其电化学行为, 发现PMo12膜强烈地吸附在玻璃碳电极表面, 溶液氢离子在PMo12膜改性电极的电化学过程中起着重要的作用, 而其它阴离子不参与这一过程, 在循环伏安法扫描过程中PMo12膜改性电极的稳定性很好。     

硅钼杂多酸示波极谱法测定抗坏血酸

本文研究了硅钼杂多酸与抗坏血酸的反应,发现其产物在示波极谱上于～1.12V(vs.SCE)产生灵敏吸附波,导数波高与抗坏血酸浓度在1×10~(-7)mol/L～4×10~(-5)mol/L有线性关系。检测限为5×10~(-8)mol/L。本法应用于针剂,片剂及柑桔中抗坏血酸的测定,得到满意结果。     

Nafion修饰玻碳电极伏安法测定痕量铟

报道了一种用Nafion修饰玻碳电极测定痕量铟的新方法。研究了Na-fion膜的有关特性和测定的条件,当富集时间为5 min时,峰电流与In(Ⅲ)浓度在1×10-9~1×10-7mol/L的范围呈良好的线性关系,检出限为1.46×10-10mol/L。该法用于实际水样中痕量铟的测定,平均回收率为98.4%。     

Nafion修饰电极伏安法测定痕量镉

化学修饰电极 (ＣＭＥｓ)制备简单、灵敏度高、选择性好、响应迅速 ,用其取代有毒的汞电极已广泛用于分析化学中[1～ 4] 。用ＣＭＥｓ测定Ｃｄ2 +的报道很多[5～7] ,未见用Ｎａｆｉｏｎ修饰电极测定Ｃｄ2 +的报道。本文研究了Ｃｄ2 +在Ｎａｆｉｏｎ修饰电极上的溶出伏安行为 ,建立了用Ｎａｆｉｏｎ修饰电极测定实际水样中Ｃｄ2 +的方法。本方法简便快速 ,灵敏度高 ,Ｃｄ2 +在 2× 1 0 - 9ｍｏｌ/Ｌ到 5× 1 0 - 7ｍｏｌ/Ｌ线性关系良好 ,检出限为 5× 1 0 - 1 1 ｍｏｌ/Ｌ ,用于实际水样测定 ,平均回收率为 99.75 %。1　实验部分1 .1　试剂1…     

第四周期过渡金属磷钼三元杂多酸聚吡咯薄膜修饰电极及其电催化性…

合成了第四周期过渡金属磷钼三元杂多酸类化合物，采用电化学聚合法研制了该类杂多酸－聚吡咯薄膜修饰电极，该电极制备过程简便，快速，研究了膜电极的电化学行为，发明掺杂膜电极性能稳定，对酸性水溶液中的Ｈ２Ｏ２，ＮＯ２，ＣｌＯ３，ＢｒＯ＾－３，ＩＯ３等物质具有较好的电催化还原作用，初步探讨了电催化还原机理。     

聚L-丝氨酸修饰电极伏安法测定对乙酰氨基酚

对乙酰氨基粉(扑热息痛)为芳环对位取代的酰氨类药物,有解热、镇痛作用。临床上广泛用于感冒发烧、关节痛、神经痛及偏头痛、癌性痛及手术后止痛[1]。但过多服用对乙酰氨基酚对人体会造成伤害,对消化系统的影响主要表现为恶心、呕吐、压食、出汗、腹痛等症状;对泌尿系统、血液系统、呼吸系统都有影响,还能使对阿司匹灵过敏患者的支气管痉挛加重,严重时会抑制呼吸中枢。因此建立对乙酰氨基酚的灵敏检测方法是非常必要的。当前用于检测对乙酰氨基酚的方法主要有滴定法[2]、分光光度法[3]、高效液相色谱法[4]、毛细管电泳[5]、荧光法[6]以及电…     

黄芩甙的线性扫描伏安法测定研究

研究了黄芩甙在多壁碳纳米管修饰电极上的伏安行为。结果表明 ,该修饰电极对黄芩甙产生较强的吸附催化作用 ,催化电流与黄芩甙浓度在 1 .0× 1 0 - 7～ 6.0×1 0 - 5mol·L- 1范围内呈线性关系。利用本法测定了中药黄芩中的黄芩甙的含量 ,效果良好     

Nafion修饰电极阴极溶出伏安法测定痕量钛

本文采用Ｎａｆｉｏｎ修饰玻碳电极阴极溶出伏安法测定痕量钛。研究了Ｎａｆｉｏｎ膜的有关特性和测定的佳化条件。当富集时间为１ｍｉｎ时，Ｔｉ（Ⅳ）浓度与峰电流在１．０～５０ｎｇ／ｍｌ范围内呈线性关系。本法应用于铝合金和白泥标样中钛的测定，结果满意。     

聚吖啶橙修饰电极伏安法测定黄嘌呤

报道了聚吖啶橙 (POAO)修饰电极多阶半微分伏安法测定黄嘌呤 (Xa)。在pH 5 .3的磷酸盐缓冲溶液中 ,Xa在POAO电极上于 0 .8V处产生一灵敏的氧化峰 ,峰电流与其浓度在 7.8× 1 0 - 8～ 1 .1× 1 0 - 6mol/L和 1 .1× 1 0 - 6～ 1 .0×1 0 - 5mol/L范围内呈良好的线性关系 ,检出限为 7.8× 1 0 - 9mol/L。方法可用于人尿中Xa的测定     

聚磺胺嘧啶修饰电极伏安法测定对乙酰氨基酚

利用循环伏安法制备了聚磺胺嘧啶修饰电极, 研究了对乙酰氨基酚在该修饰电极上的电化学行为. 该电极对对乙酰氨基酚有较强的电催化作用. 在pH 9.0的PBS缓冲溶液中, 用循环伏安法和差分脉冲伏安法在该电极上测定了对乙酰氨基酚, 其线性范围分别为4.0×10-6～3.0×10-4 mol/L和2.0×10-7～1.0×10-5 mol/L, 检出限分别为9.0×10-7 mol/L和8.0×10-8 mol/L.     

Nafion修饰金电极阳极溶出伏安法测定痕量碲

本文用Ｎａｆｉｏｎ修饰金盘电极，在０．０４ｍｏｌ／ＬＬｉＣｌ和ＰＨ２的Ｈ２ＳＯ４底液中，阳极溶出伏安法测定痕量碲，研究了富集溶出过程的特性和优化条件，碲浓度在０．２－１５ｎｇ／ｍＬ范围内与溶出峰电流呈良好的线性关系。本法灵敏度高，选择性好，用于测定小麦粉和玉米粉中痕量碲，测定标准偏差小于０．０７μｇ／ｇ，与ＩＣＰ测定结果比较其相对误差小于１６％。     

石墨烯修饰玻碳电极用于循环伏安法测定抗坏血酸

采用Hummers法制备了纳米石墨烯,并将该纳米材料分散在蒸馏水中得到悬浮液,取5μL的悬浮液滴涂在玻碳电极表面,制备石墨烯修饰电极。用循环伏安法研究了在pH 4.0磷酸盐电解质中,在-0.4～0.8V(vs.Ag/AgCl)电位范围内,抗坏血酸在修饰电极上的电化学行为。结果表明:抗坏血酸在修饰电极上在0.173V处可见明显的氧化峰,且氧化峰电流显著高于在裸玻碳电极上的氧化峰电流;并可有效排除肾上腺素、尿酸、多巴胺等物质的干扰。据此提出了用循环伏安法测定抗坏血酸的方法。抗坏血酸的线性范围为8.00×10-6～1.0×10-3 mol.L-1,检出限(3S/N)为1.0×10-7 mol.L-1。方法用于维生素C片的分析,回收率在96.3%～104.4%之间。     

用于示踪分析的固体汞合金电极线性扫描伏安法测痕量钼

研究了可用于示踪分析测定痕量钼的固体银汞合金电极催化伏安法.在H2SO4-苯羟乙酸-氯酸钾体系中,采用该电极于-0.165V(vs.SCE)处出现灵敏的还原峰,Mo的质量浓度在0～200 ng/mL范围内与峰高呈良好线性关系,检出限为0.42 ng/mL.该方法操作简便、快速,同时又可避免传统汞电极使用中带来的不便和毒性.对实际水样进行了测定.