三代微光和超二代微光夜视技术的研究和开发

介绍三代微光和超二代微光夜视技术的发展概况：阐明了它们各自的原理、技术特点和关键课题；着重指出了两者间的异同和相互联系。     

二代微光器件工艺质量分析

用四极滤质器对微光管工艺质量进行检测，发现工艺质量污染及制管成品率低的主要原因是由于真空机组中油蒸气污染和操作方法不正确所致。通过实验，本文给出了解决油蒸气污染的措施和正确排气的操作方法。建议采用一种多用途的全无油真空装置，最后对四极滤质器在微光工艺中应进一步开展的工作提出几点建议。     

二代近贴微光管光电阴极转移热铟封技术

本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术，它工艺可靠、技术先进，对提高微光管的总体指标、解决像质差、提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。     

Ⅲ代微光管后近贴系统MTF研究

在微通道板（ＭＣＰ）电子光学聚焦理论和输出电子能量分布实验结果基础上提出的了ＭＣＰ输出电子角度分布和能量分布的理论模型,导出了Ⅲ代微光样品管后近贴系统调制传递函数（ＭＴＦ）的理论表达式,对Ⅲ代数光管极奶分辨力计算与测试结果进行比较,最后提出了改进Ⅲ代数光管后近贴系统ＭＴＦ的主要技术途径。     

对三代微光管光谱响应的测试分析

利用自行研制的光谱响应测试仪对国产三代微光管进行了光谱响应测试,给出了三代微光管的光谱响应特性,利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极材料的性能参数。结果显示该三代微光管的积分灵敏度约800μA/lm左右,所选GaAs材料的电子扩散长度为2.0μm,与1.6μm的阴极厚度相当,电子表面逸出几率为0.38,后界面复合速率为106cm/s。发现GaAs材料的扩散长度偏低,以及阴极的后界面复合速率太大是限制三代微光管光电发射性能进一步提高的重要原因。     

Ⅰ代与Ⅱ代微光管及其变种管型的综合评述

本文试图通过对这几种类型微光管的综合评述,为有关工程技术人员在确定选用方案时提供参考。同时也作为向有关行政领导干部提出优选技术发展方案的一项技术建议。     

三代微光管光阴极台屏玻璃及其黑化

通过试炼、试测、分析,确定一种满足技术要求的与GaAlAs半导体匹配的光阴极台屏玻璃配方。对该玻璃表面黑化,采用了离子交换氢还原法、玻璃中掺杂着色离子法、表面涂覆法以及溶胶凝胶法。经过试验分析,得出了玻璃表面涂覆法和溶胶凝胶法是使玻璃表面黑化的可行途径。     

微光管电源集成电路研制

简介三代微光管电源集成电路的工作原理和研制情况,详述电路设计、版图设计和工艺设计等研制的关键技术.研究电路性能参数对微光管电源的板压稳定性、屏压稳定性和ABC(自动亮度控制)性能的影响.比较研制电路与国外样品电路在主要电性能方面的差异及优劣.得出了研制电路完全可以取代国外电路的结论.     

Ⅱ代微光管金属玻璃封接壳体清洗及处理工艺的研究

微光器件制造过程中,金属玻璃封接壳体的清洗和处理的常规工艺流程如下:去油——化学抛光——检漏——去油——真空除气——流入装配工序。这种传统工艺的缺点主要有两点:一是,除气前去油工艺,金属表面未能获得新鲜的表面原子层,壳体表面吸附的各种重金属离子,各种气体及氧化物难于彻底去净;二是,真空除气处理过程     

浅谈二代管MCP电子冲刷

从理论上和实验上对二代微光像增强器微通道板电子冲刷进行了较详细的叙述。根据冲刷原理建立的冲刷装置简单易行。经冲刷后的像增强器各方面性能均有所提高。     

微通道板与Ⅱ代倒象微光管技术参数间关系的研究

目前用于Ⅱ代倒象微光管中的主要是倾斜通道式微通道板,对于这种类型的微通道板几何结构参数与Ⅱ代倒象微光管成象质量间的匹配是设计师应仔细认真考虑的重要工作。本人从对Ⅱ代倒象微光管研制工作中的体会,结合对有关文献资料的研究,希望能总结出一份有关这一方面内容的比较完整,系统的技术资料,供从事这方面技术工作的工程技术人员参考。     

微通道板与Ⅱ代倒象微光管亮度匹配关系的研究

首先从荷兰菲利浦公司XX1383象增强器技术条件规定的亮度增益、寿命、平均亮度、自动亮度控制曲线等技术指标推导了微通道板的输入电流密度计算结果。然后根据国外相应管型的微通道板技术条件的电子增益技术指标中对输入电流密度的规定方式,分析研究了H36微通道板输入电流密度的合理规定形式与数据。从推导Ⅱ代倒象微光管的亮度增益计算公式着手,结合有关文献提供的H36微通道板电子增益实测结果,近贴高场强荧光屏发光效率等数据,计算出电子增     

影响Ⅱ代倒象微光管鉴别率的主要因素的研究

本文叙述了影响Ⅱ代倒象微光管鉴别率的主要因素和整管鉴别率的数学关系式。从制管的科研结果与数学分析上介绍了各主要因素对鉴别率的实际影响,指出合理选择有关因素的利弊关系。本文所介绍的实验结果和理论分析对从事Ⅱ代倒象微光管生产、科研的科技人员有一定的参考价值。     

微光夜视器件划代方法初探

随着微光夜视技术不断发展,微光夜视器件呈现出了品种多、性能差异大、应用领域广的特点,如何从众多的微光夜视器件中梳理出其发展主线,已成为微光夜视器件从业者的研究热点。回顾了零代、一代、二代、三代、超二代微光夜视器件的发展历程,总结归纳了行业公认的零代、一代、二代、超二代、三代微光夜视器件的划代方法,并提出了“四代”微光夜视器件的概念,同时对非典型的几种微光夜视器件在微光夜视器件技术领域中所处的位置进行了说明,绘制了“树状图”,以便读者能够直观、准确、全面地了解每种微光夜视器件的技术特点以及它们在微光夜视器件技术领域所处的位置,对从事微光夜视器件技术研究者具有一定参考作用。     

超二代微光像增强器多碱光电阴极膜厚测量研究

介绍了多碱光电阴极的光学性能和光谱反射率特性,测量了多碱阴极的光谱反射率曲线.该曲线与普通光学膜层光谱反射率曲线相比,形状较不规则,原因是多碱阴极膜层存在光吸收.光谱反射率曲线上的干涉峰是入射光在玻璃与阴极膜层界面反射和在阴极膜层与真空的界面反射的两束光发生干涉的结果.根据干涉的原理,如果阴极膜层所反射的两束光的光程差为二分之一波长的偶倍数时,光谱反射将出现干涉加强峰;如果阴极膜层所反射的两束光的光程差为二分之一波长的奇倍数时,光谱反射将出现干涉减弱峰.根据超二代像增强器光谱反射干涉峰对应的波长,可以计算出其阴极膜层的厚度约为191 nm,比二代像增强器阴极膜层的厚度增加了38％.多碱阴极膜层厚度是影响多碱阴极灵敏度的一个关键参量,仅仅靠人眼观察阴极膜层颜色的方法不准确.实践证明,利用光谱反射的方法来计算阴极膜层厚度的方法简单有效.如果在多碱阴极的制作过程中进行光谱反射率的监控,那么将可以精确控制阴极膜层的厚度,对多碱阴极的研究将会更加深入,多碱阴极的灵敏度也将会得到进一步的提升.     

二供近贴微光管光电阴极转移热铟封技术

本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术，它工艺可靠，技术先进，对提高微光管的总体指标，解决像质差，提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。     

三代微光像增强器分辨力计算理论模型

分辨力和传递函数MTF是微光像增强器的2个重要参数。长期以来，人们对于三代微光像增强器阴极发出的电子初能量分布没有统一的认识，从而没有一个公认的分辨力和MTF计算模型。通过理论分析和假设，给出一定条件下一个分辨力计算模型。把实际测得的第一近贴距、第二近贴距、阴极电压和荧光屏电压等数值代入分辨力计算模型中，可以得到分辨力理论值。经与实际测量值进行比对，发现二者偏差值在12.3%以内，此理论模型基本符合实际需求。该分析方法和所得结果有一定实用价值，可作为设计三代微光像增强器的技术参考。     

微通道板真空体电阻与Ⅱ代倒象微光管匹配关系的研究

国内研制的20/30Ⅱ代倒象微光管经常出现微通道板真空体电阻偏高或偏低的问题,直接影响Ⅱ代倒象微光管荧光屏的亮度和目标分辨力,严重影响微光管的质量。经过对20/30Ⅱ代倒象微光管的研制和理论分析,证明英国马拉德公司对用于××1383Ⅱ代倒象微光管的H36微通道板技术条件中真空体电阻技术指标的规定也存在一定的问题。本文从目前国内外工艺水平和有关文献资料的分析出发,进行专题研究。本文中所推导的计算公式和对文献资料提供的技术数据的推导分析,同样适用于其他型号微通道板的真空体电阻与相应Ⅱ代、Ⅲ代微光管匹配关系的计算与研究。     

微通道板,光纤面板与Ⅱ代倒像微光管分辨率匹配关系的研究

针对国产Ⅱ代倒像微光管分辨率、调制传递函数偏低这一急待解决的课题,结合多年来在Ⅱ代倒像微光管研制工作中的实践,以及多因素组合下单项部件分辨率与整管分辨率关系的解析计算,找出合理的微通道板、光纤面板的相邻光纤间距。文中有关计算公式、各种技术数据的推导分析适用于不用型号的Ⅱ、Ⅲ代微光管分辨率匹配关系的计算与研究。