含钕稀土有机高分子的研究进展

稀土高分子是一类具有许多优异性质和很高应用价值的功能材料 ,其开发和应用前景十分迷人。文章对含钕的稀土有机高分子近几十年来的研究发展情况作了综述     

高分子复合材料界面结构研究

高分子材料表、界面的结构变化或化学反应常影响该材料的性能。聚合物的表面结构及复合物的界面结构研究,对于工程材料、粘合及涂料工业都有重要的意义。近十几年来迅速发展起来的光谱技术,使这项研究工作可以普及到许多实验室去进行。其中X射线光电子能谱(XPS或称为ESCA)、俄歇电子能谱(AES)、离子散射光谱(ISS)、穆斯     

石墨烯基高分子复合材料的研究进展

自2004年石墨烯被发现以来,石墨烯优异的机械、热学、电学及光学性能引起广大学者的浓厚兴趣,许多石墨烯基高分子复合材料被相继合成和表征,研究显示,石墨烯基高分子复合材料有着广泛的应用前景。本文对石墨烯基高分子复合材料的研究进展进行了综述,重点对石墨烯基高分子复合材料的制备方法和性能进行了阐述,并对其在传感器、太阳能电池、超级电容器及其他方面的应用做了相关介绍,并对石墨烯／高分子复合材料的发展前景进行了展望。     

稀土高分子荧光材料研究综述

本文从稀土荧光理论基础出发，对几十年来含稀土高分子荧光的研究成果进行分析归纳，讨论如何制得荧光强度大的含稀土高分子功能材料。同时综合评述了国内外有关研究的最新进展，展望了稀土高分子荧光材料研究的发展趋势。     

磁性高分子微球用于固定化酶的研究进展

磁性高分子微球是近20年来发展起来的一种新型功能高分子材料,并已在生物化工、细胞学、生物医学工程等领域得到了广泛应用.本文主要介绍磁性高分子微球的制备和性质以及在固定化酶中的应用.     

防辐射材料的研究进展

综述了X射线、γ射线和中子辐射屏蔽材料的研究现状,其中在稀土高分子防辐射材料的设计与制备方面有所侧重,并且对纳米技术的应用、屏蔽材料的优化设计等进行了简单分析、介绍,指出了未来防辐射材料研究的可能的几个主要发展方向:纳米技术及稀土材料在防辐射材料方面的应用及研究;综合辐射屏蔽材料的设计与制备,使材料兼具质轻、无毒、体积小、屏蔽范围广、屏蔽性能持久等性能;屏蔽材料物理性能优化,以提升材料拉伸强度、硬度、耐腐蚀性等;屏蔽材料的优化设计方法、遗传算法、MCNP程序、梯度材料设计等的研究与应用;以上几个方向的交叉研究与应用。     

导电高分子纳米复合材料

导电高分子纳米复合材料是纳米材料研究中一个重要部分。着重综述了导电高分子无机纳米复合材料在合成技术、材料性质和各领域中应用的最新研究进展。     

功能化高分子磁性载体的制备及选择性吸附稀土离子

悬浮聚合法制备含四氧化三铁微粒的甲基丙烯酸羟乙酯聚合物, 再由环氧化和氨基化反应得到功能化高分子磁性载体(FPMC), 采用酸渗实验、红外光谱和X-光电子能谱(XPS)等对产物进行性能表征;研究FPMC对RE3+离子( RE=La, Eu, Y)的选择性吸附作用, 进而探讨稀土离子浓度对载体FPMC吸附效果的影响.     

具有隔离结构的导电高分子复合材料的研究进展

导电高分子复合材料(Conductive Polymer Composites,CPCs)研究的重点和热点之一是如何控制导电粒子的分布,有效降低CPCs逾渗值,提高CPCs综合性能,其中具有隔离结构的CPCs因能大大降低复合材料的逾渗值而受到研究者的广泛关注。本文综述了制备隔离结构CPCs的方法,包括机械共混法、溶液共混法、乳液法等,分析了此类材料具有较低逾渗值的机理,总结了此类材料对温度、溶剂等外场的响应规律。根据复合材料微观结构指出提高此类材料力学性能是推进此类材料应用的关键。     

高分子基金属复合材料的前沿应用

高分子基金属复合材料作为一种具有独特物理属性的功能材料,兼具金属的高导电导热性以及加工便利性。近年来,高分子基金属复合材料成为科技前沿热点。复合材料不仅在芯片堆叠、集成电路和系统集成等高精度封装中实现技术突破,而且为医疗传感装置、柔性显示屏和软体机器人的开发提供了新思路。本文系统介绍了高分子基金属复合材料,从工作性能、应用概况及市场分析等方面总结其在电子封装、柔性显示、医疗传感和电磁屏蔽领域的的研究现状。     

水基溶胶-凝胶法制备稀土/碱土金属硅酸盐纳米粉

采用水基溶胶凝胶法,以廉价的无机盐Y2O3,MgO为前驱物,Si(OC2H5)4为络合剂,PEG4000为复合表面活性剂,氨水调节pH值,并利用无水乙醇超声分散技术,成功制备了分散性良好的稀土碱土金属复合硅酸盐纳米粉xY2O3·yMgO·zSiO2(YMS),考察了初始溶液的pH值、温度及浓度对溶液—溶胶—凝胶转变的影响,并利用TG DTA,XRD,TEM分析手段对复合硅酸盐纳米粉YMS的性质进行了研究。实验表明,在60℃相似文献   

风化壳淋积型稀土矿评述

对我国特有的风化淋积型稀土矿的科学研究和工业利用进行了评述,阐述了该矿成矿过程,探讨了稀土元素在风化体系中的迁移富集规律,证实稀土配分的铈亏效应、富铕效应、分馏效应和钆断效应,论述了风化壳淋积型稀土矿浸取水动力学、浸取动力学及浸取传质过程。提出了该矿稀土回收中存在的一些问题,建议进一步完善稀土元素地球化学和无机化学的科学体系,开发新浸取剂,特别是组合浸取剂的协同使用,深入研究原地浸出过程中的扩散和传质机理,强化浸取过程和建立相应的数学模型,有效地提高稀土浸出率,从而完善风化壳淋积型稀土矿的原地浸出理论和技术。     

稀土复合稳定剂在PVC塑料门窗型材中的应用

根据人们对环保产品的需求，对新型环保产品RE－4稀土复合稳定剂的热稳定性，流变性，抗硫化污染等方面铅盐体系进行了分析对比，其结果表明RE－4稀土复合稳定剂不但具有良好的热稳定性而且对配方中的无机成分具有良好的包覆与分散作用；从而能提高物料的流动性能和产品质量。     

电化学聚合漆酚稀土配合物的合成与表征

采用电化学方法合成的聚合漆酚(EPU)与三异丙氧基稀土Re(Pr,Nd,Eu)反应,生成稀土金属配合物(EPU-Re3+)。利用FT-IR、荧光光谱、XPS、DMTA、AES等手段对其表征,探讨其结构与性质。证明了配合物中存在着稀土金属离子Re3+与EPU的配位作用,并引起进一步的交联,因而难溶于绝大多数有机溶剂,而且其玻璃化转变温度和耐热性能均得到提高。     

稀土/MoSi2复合材料的干摩擦磨损性能

运用M－2型摩擦磨损试验机测定了不同载荷条件下稀土／MoSi2复合材料与45钢配对件的干摩擦磨损性能，采用SEM观察了摩擦副表面的形貌和X射线分析了磨屑相组成，并探讨了其磨损机制。结果表明：稀土／MoSi2和MoSi2与45钢干摩擦时，在负荷不超过150N的范围内，其摩擦系数μ和磨损率W与负荷p间较好地满足关系式：W（或μ）＝a bp cp^2 p^3 ep^4，两种均具有优异的耐磨性能，在80－120N范围，稀土／MoSi2复合材料的磨损率比纯MoSi2材料的至少降低了65％；稀土／MoSi2材料的磨损机制主要是粘着磨损。     

稀土高分子荧光材料的研究

综述了稀土高分子荧光材料的研究基础,比较了不同方法合成的稀土高分子发光材料的结构与性能,介绍了当前该领域的研究进展。     

高活性铈银介孔复合抗菌剂的制备

利用分步浸渍法制备了Ce银介孔复合无机抗菌剂,并对其进行XRD,TEM,N2吸脱附等表征,结果显示,该抗菌剂仍然保持有序介孔结构,活性物种Ag以纳米线状稳定存在于孔道内。运用抑菌圈法和最小抑菌浓度法对其抗菌性能进行了评价,测试表明,该样品对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌均有着优良的抑杀效果。这是由于抗菌活性物种Ag高度分散在介孔材料孔道中,以及Ce有促进Ag＋产生羟基自由基,因而能强化Ag的抗菌性能的原因。     

稀土高分子发光材料研究的新进展

介绍了稀土高分子发光材料的发光机理及其发展历程，对其合成方法以及研究方向进行了综述，着重阐述了掺杂型和键合型稀土高分子发光材料研究的最新进展，并对其发展方向和应用前景作了展望。     

稀土离子的高能光谱

讨论了稀土离子在能量高于50000 cm-1(波长短于200 nm)的光谱, 包括4f-4f跃迁, 4f-5d跃迁, 4f-6s跃迁, 基质吸收和电荷迁移带. 利用Dorenbos 提出的公式 E(Ln,A)=49340-D(A)+ΔELn,Ce, 指认了Sm3 +离子在我们合成的Ba3BP3O12中的4f-5d跃迁的能量值为170 nm. 利用我们提出的稀土离子光学电负性χM 与标准还原电位E0Ln的关系式 E 0Ln(Lnn+→Ln(n-1))=4.273 χM-7.776 (其中 n=3或4), 从稀土离子的光学电负性χM与JJrgensen提出的公式Ec t=[χX-χM]×30000 cm-1, 估算出Er3+和Eu3+ 离子在含氧杂质的LiYF4∶Er和LiYF4∶Eu3+中Er-O和Eu3+-O的电荷迁移带的能量, 以及LiYF4∶Eu3+中Eu3+-F的电荷迁移带的能量, 估算值与文献报道的实验值基本相符.     

微波大功率稀土复合石榴石铁氧体的研究

报道了用稀土元素Gd,Dy和金属元素Al,Mn等按适当比例部分置换Y,Fe制备钇钆镝复合石榴石铁氧体((YGdDy)IG)的研制方案和实验结果。实验结果表明,该种材料除具有优良的旋磁特性外,还兼备承受高平均功率和高峰值功率的性能。其主要特性参数为:4πMs依实用需要可在48～96mT内选择,且具有甚高的温度稳定度:在0～160℃范围内Ms的温度系数αM≤2.8×10-4℃-1;电阻率ρ高达1013Ω·m,介电损耗tanδe≤4×10-4;居里温度TC≥500K;共振线宽ΔH=3.4～6.4kA·m-1;门阈场Hcrit适用于MW级脉冲功率。该种铁氧体可用作甚高频及微波低频段、超大功率的环行器和变极化器等微波器件。