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本文研究了退火对C60膜电导率的影响.结果表明,从室温到200℃的温度范围内,C60膜具有明显的半导体性质,室温电导率在10-5~10-7(Ω·cm)-1的范围内.薄膜在200℃温度下恒温保持过程中,当时间小于2.5小时时电导率的增大是由于薄膜中不稳定的hcp相的减少引起的;而相互通连的晶粒数目的减少导致退火时间大于2.5小时的薄膜电导率的减小.相互通连的晶粒数目的减少使得晶间势垒变高,从而使电导率变小.通连晶粒间缺陷的减少导致激活能变大,这些缺陷在C60膜的能带中引入缺陷态.σ-1/T图中高温区域电导偏 相似文献
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采用沈阳CK-3高真空磁控溅射薄膜沉积设备在K9玻璃衬底上分别制备了衬底温度为150℃、200℃和250℃的氧化钛薄膜。XRD分析显示这三种温度制备的薄膜由于制备温度不高均没有明显衍射峰,为非晶薄膜。薄膜的光学常数由德国SENTECH SE 850型光谱型椭偏仪对薄膜测试得到,测试波长为300 nm~800 nm,采用Cauchy模型对测试结果进行拟合。结果发现随着制备衬底温度的增大,薄膜的折射率n和消光系数k都随着增大。在衬底温度从150℃增大到250℃时,薄膜的光学带隙从3.46 eV减小到3.02 eV。 相似文献
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采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了结晶良好的Mg2Si多晶薄膜,研究了退火温度(375~475 oC)对薄膜晶体结构、表面形貌、拉曼光谱和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,当退火温度为400 oC时Mg2Si(220)衍射峰强度最强,样品结晶质量最好,未见明显可观测的MgO相。扫描电镜(SEM)结果表明,所有样品表面均呈现清晰可见的规则六边形,且退火温度对形貌影响较小。拉曼光谱结果显示所有样品均呈现出Mg2Si薄膜的特征峰(256 cm-1附近的F2g振动模),同时出现345 cm-1附近的F1u(LO)声子模,表明生成样品均为结晶良好的Mg2Si薄膜。对薄膜光学性质的研究结果表明,随着退火温度升高,样品光学带隙先增大后减小。 相似文献
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非晶碳化硅薄膜的结构及其光学特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用等离子体增强化学气相沉积系统制备非晶碳化硅薄膜,通过控制反应气体中甲烷和硅烷的流量比R来调节薄膜中的碳/硅比,获得具有不同碳/硅比的薄膜结构.采用Raman、XPS以及FT-IR等技术手段对样品的结构进行表征.通过对样品吸收谱的测量,对样品的光学特性进行了研究.研究结果表明,薄膜中C-H键以及Si-C键含量的增加引起薄膜的光学带隙展宽,在R=10时薄膜的光学带隙达到2.4 eV. 相似文献
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研究了具有纳米结构的C60层对TiOPc电荷分离的影响。以ITO为基底,真空蒸镀TiOPc薄膜,再以真空蒸镀和电泳法分别制备C60薄膜,通过扫描电镜(SEM)观察到电泳法制备的C60电荷分离层表面具有约200μm的微结构。实验表明:TiOPc/C60器件在近红外区间的光电响应曲线与TiOPc的吸收光谱曲线趋向一致,且光伏响应随功率增加呈线性增强;具有纳米结构C60电荷分离界面的器件光电响应比具有平整C60界面的器件强60%左右,其原因在于作为电荷分离区域的TiOPc和纳米结构C60层接触的面积更大,提高了电荷分离的效率。 相似文献
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采用惰性气氛蒸发法制备 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)及紫外 -可见光谱研究了在氩 (Ar)气氛下生长的 C6 0 薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性 .AFM测量表明在 Ar气氛下生长的C6 0 薄膜的表面生长岛更尖锐 ,并且有较大直径的表面粒子 .由紫外 -可见光吸收谱测量发现 Ar气氛下生长的 C6 0 薄膜的强度和吸收峰位置与在真空下生长的 C6 0 薄膜比较有大的红移 .可求出在 Ar气氛下生长的 C6 0 薄膜的光学禁带宽度 Eg=2 .2 4e V,比在真空下生长的 C6 0 薄膜禁带宽度 (2 .0 2 e V)要大 .与真空下生长的 C6 0 薄膜比较 相似文献
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利用Z扫描技术,分别测量了五种C60聚氨酯胺薄膜(C60含量分别为0%、0.16%、0.30%、 0.42%、0.52%,厚度均为0.3 mm)的非线性光学吸收系数和折射系数,并研究了该薄膜的光限幅特性。实验表明:随着样品中C60的含量由0增加到0.52%,薄膜的透射率可由70%逐渐减小到10%,且透射光功率可限制在25 mJ/cm2以下。薄膜的透射率或透射功率可以随C60含量不同而改变,即薄膜的光限幅性能可以通过调节C60含量的方式加以控制。最后,基于C60分子的五能级模型,采用激发态吸收(反饱和吸收)物理机理解释了薄膜的非线性光学特性及光限幅性能。 相似文献
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利用Z扫描技术,分别测量了五种C60聚氨酯胺薄膜(C60含量分别为0%、0.16%、0.30%、0.42%、0.52%,厚度均为0.3mm)的非线性光学吸收系数和折射系数,并研究了该薄膜的光限幅特性。实验表明:随着样品中C60的含量由0增加到0.52%,薄膜的透射率可由70%逐渐减小到10%,且透射光功率可限制在25mJ/cm^2以下。薄膜的透射率或透射功率可以随C60含量不同而改变,即薄膜的光限幅性能可以通过调节C60含量的方式加以控制。最后,基于C60分子的五能级模型,采用激发态吸收(反饱和吸收)物理机理解释了薄膜的非线性光学特性及光限幅性能。 相似文献
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钛扩散铌酸锂(Ti-LiNbO3)光波导是最基本的集成光学器件之一。文章报道了在LiNbO3衬底上,用自动电子束蒸发技术淀积Ti薄膜。对各种淀积条件下的结果测试分析表明:用0.5~1.1nm/s的淀积速率和2.7×10-4Pa以下的残余气压,可以得到较好的Ti薄膜。用这种Ti薄膜已研制出了光波导、薄膜偏振器、相位调制器、光开关、光耦合器和光纤陀螺芯片等集成光学器件。 相似文献
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我们用Z-扫描方法测量了C60薄膜在633nm处大的双光子吸收系数β≈5.4cm/W,并由此计算了C60薄膜双光子共振三阶非线性极化系数的实部和虚部。与计算的C60分子能级进行比较,讨论了它的共振双光子光学跃迁。 相似文献
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利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段,对采用金属有机物气相沉积法(MOCVD)制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究.吸收光谱和光致发光谱的结果清晰地证明了高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.68eV,接近于现阶段主要报道值0.7eV.喇曼散射光谱实验说明窄光学带隙主要源于较低的背景电子浓度.利用椭圆偏振光谱不仅得到了纤锌矿InN临界点跃迁能量的值E0,同时首次得到了在0.65~4.0eV能量范围内复折射率实部n,虚部k的色散曲线. 相似文献
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Ge团簇组装纳米薄膜的制备及光学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
用惰性气体凝聚淀积技术制备半导体Ge团簇及其构成纳米薄膜。利用透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)及光谱分析方法对所获得的样品进行分析研究。分别在室温和液N2冷却条件下获得了具有2种不同微结构和形貌特征的氧化层包裹的Ge团簇组装薄膜。紫外一可见光光谱分析表明,这类纳米结构薄膜具有1.0~2.9eV的光学带隙蓝移,并可用量子限制效应来解释其起源。 相似文献