用正电子湮没方法研究高能重离子辐照半导体InP

采用正电子湮没寿命谱方法 ,对 1 .6× 1 0 1 6 cm- 2注量的 85 Me V1 9F离子辐照 P型 In P单晶的微观缺陷进行了研究 ,在 3 0 0～ 1 0 2 3 K的温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化 .实验表明 :辐射在 In P中产生单空位缺陷 ,在退火过程中单空位相互聚合形成双空位 .单空位和双空位分别在 5 73 K和 72 3 K温度完全被退火     

HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1015/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位,其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

γ辐照对硅光电二极管光电流的影响

研究了ＰＩＮ光电二极管和普通光电二极管６０ＣＯγ辐照后的积分光电流、紫外光电流、光谱光电流的变化规律以及光谱光电流与器件反偏电压之间的关系，并对结果进行了定性分析．实验用辐照剂量分别为２×１０３ＧＹ（Ｓｉ）和２×１０４ＧＹ（Ｓｉ）．     

表面复合速度和结深对硅扩散n十-p 结太阳电池性能的影响

假设扩散区的杂质分布为高斯分布,本文给出了扩散n~+-P结太阳电池扩散n~+区少子连续性方程一个形式简单的解。在此基础上对若干实例进行了计算和分析,以研究表面复合速度和结深对太阳电池性能的影响。 本文指出,为使太阳电池有高的收集效率,必须把表面复合速度控制在10~4cm/s以下。除了表面复合速度以外,也研究了杂质分布引起的内建漂移场对光生少子在表面复合的影响。内建漂移场与结深有关。本文指出,与较高的漂移场相应的浅结更有利于削弱光生少子在表面的复合。     

HIPS的γ辐照效应的正电子寿命谱研究

测量了高强度聚苯乙烯（ＨＩＰＳ）的正电子寿命谱随γ辐照剂量的变化，观察到自由体积孔洞的平均半径随辐照剂量的增加而基本不变，且自由体积孔洞的浓度和半径分布宽度随辐照剂量的增加而减小．这一实验结果表明，γ辐照后高强度聚苯乙烯力学性能的改善与自由体积特性的变化相关联．