非晶态FeBSi/Si成份调制膜的磁性质和内转换电子M?ssbauer谱

采用高频溅射法成功地制成了非晶态FeBSi/Si成分调制膜,随Si层厚度增加,调制膜的饱和磁化强度成指数下降,这是死层效应引起的,M?ssbauer谱测量表明,死层是由于界面处Fe和Si原子的互扩散而形成的顺磁性相,在非晶态FeBSi/Si成分调制膜中发现存在尺寸效应,它只与FeBSi层的厚度有关,而死层效应既与FeBSi层厚度有关,也与Si层厚度有关。 关键词：     

FeSi/Si成份调制膜的二维磁性和死层效应

成功地制成了FeSi/Si非晶态成分调制膜,固定Si层厚度,系统改变FeSi层厚度d_m发现,随d_m下降,饱和磁化强度M_s单调减小,这主要是死层效应的贡献,OK下死层厚度约为5.8?,随d_m减小,调制膜逐渐由三维磁性转变为二维磁性,表现为出现低磁滞和无磁滞效应,线性的M_s(T)-T关系和Curie温度T_c的单调下降,T_c满足如下关系:△T_{c关键词：}     

非晶TbCo/Si多层膜的磁性和磁光特性

利用射频磁控溅射方法制备了非晶TbCo/Si多层膜,并对多层膜的磁性和磁光特性进行了测量.实验发现,随着Si层厚度的增加,非晶TbCo/Si多层膜的饱和磁化强度M_s、垂直各向异性常数K_u、磁光克尔角θ_K都显著下降.分析认为这是由于在TbCo层与Si层之间的层间互扩散形成了非磁性的Co₂Si所致. 关键词：     

氢对非晶态Y5Ni95合金膜的磁性和电子输运性质的影响

采用电解法实现了非晶态Y,Ni₉₅合金的加氢。在1.5—400K温度范围内测量了a-Y,Ni₉₅H_x(x=0—15.1)合金的磁矩、电阻率和霍耳电阻率随氢含量的变化关系。结果指出,随氢含量增加,样品的0K磁矩、居里温度和电阻率温度系数显著下降,而高场磁化率、电阻率和反常霍耳系数则迅速增加。借助现行的理论对加氢引起的上述影响进行了简要的讨论。 关键词：     

非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究

利用原位Ｘ射线衍射技术得到非晶调制多层膜Ｎｂ／Ｓｉ中的互扩散系数与退火温度的关系，调制周期Ｌ＝３.２ｎｍ的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的．温度范围为４２３—５２３Ｋ的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到．利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系．建立了可以解释较小前置系数的模型 关键词：     

非晶态金属的微结构和磁各向异性

非晶态原子分布的长程无序特征,意味着非晶态材料宏观看来应当是均匀的和各向同性的．然而实际观测表明,许多非晶态材料的一些宏观性质常常具有某种各向异性的特点．这似乎与非晶态结构的长程无序性是矛盾的．事实上,实际的非晶态材料常常存在某些与制备过程（包括某些热处理过程）有关的结构涨落和不均匀性．虽然它们基本上不影响非晶态结构长程无序的总特征,但是它们将破坏非晶态结构短程序的完全无规性．它们分布的各向?...     

氢对非晶态Y_5Ni_(95)合金膜的磁性和电子输运性质的影响

采用电解法实现了非晶态Y,Ni_(95)合金的加氢。在1.5—400K温度范围内测量了a-Y,Ni_(95)H_x(x=0—15.1)合金的磁矩、电阻率和霍耳电阻率随氢含量的变化关系。结果指出,随氢含量增加,样品的0K磁矩、居里温度和电阻率温度系数显著下降,而高场磁化率、电阻率和反常霍耳系数则迅速增加。借助现行的理论对加氢引起的上述影响进行了简要的讨论。     

Fe/Pd金属超晶格的磁性和内转换电Mssbauer谱研究

利用真空双源蒸镀法成功地制备了Fe/Pd金属超晶格,并对其结构和磁性进行研究。发现其比饱和磁化强度在固定Pd层30不变时,随Fe层厚度减小而单调上升,这是界面处Fe对Pd的极化效应造成的,且得出0K下极化效应的等效Fe层厚度约为10;低温下σ-T关系满足Bloch的T~(3/2)定律,自旋波劲度系数随Fe层厚度减小而单调增大;居里温度则单调下降。~57Fe内转换电子Mssbauer谱(CEMS)的测量进一步证实极化效应的存在,而界面处Fe原子不存在磁性增强,也不存在“死层”效应。     

Fe/Pd金属超晶格的磁性和内转换电M?ssbauer谱研究

利用真空双源蒸镀法成功地制备了Fe/Pd金属超晶格,并对其结构和磁性进行研究。发现其比饱和磁化强度在固定Pd层30?不变时,随Fe层厚度减小而单调上升,这是界面处Fe对Pd的极化效应造成的,且得出0K下极化效应的等效Fe层厚度约为10?;低温下σ-T关系满足Bloch的T^3/2定律,自旋波劲度系数随Fe层厚度减小而单调增大;居里温度则单调下降。⁵⁷Fe内转换电子M?ssbauer谱(CEMS)的测量进一步证实极化效应的存在,而界面处Fe原子不存在磁性增强,也不存在“死层”效应。 关键词：     

非晶态微观磁性的涨落和磁结构

一、非晶态结构对微观磁性的影响非晶态原子排列结构的长程无序性导致微观物理量存在涨落分布．在非晶态固体中,各处原子（或离子）的元磁矩大小即使在绝对零度下也是不等的．元磁矩大小的涨落分布可以通过核磁共振技术或Ｍｏｓｓｂａｎｅｒ谱学技术测量超精细场Ｈｈｆ进行研究．图１示出了一些非晶态固体在远低于磁有序温度的超精细场分布Ｐ（Ｈｈｆ）,它反映了绝对零度的固体中元磁矩大小的分布．稀土原子或离子的元磁矩是?...     

用可调探深的电子能量损失谱研究Sn/Si界面

用可调探测深度的电子能量损失谱辅以俄歇电子能谱和低能电子衍射,研究Sn/Si系统的界面反应。结果表明:当Sn蒸镀量大于两个原子单层,退火温度由400℃到700℃,在Sn/Si(111)界面Sn与Si发生互混,形成几个原子层厚的Sn/Si互混层,该互混层的特征体峰在15.5eV。在相同温度范围退火,Sn/Si(001)界面无可察觉的互混,仍有Sn岛存在,长时间在550℃退火低能电子衍射图形上出现(113)小晶面的衍射斑。 关键词：     

Sc掺杂Ca3Si4的电子结构和光学性质

利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对Sc掺Ca3Si4的电子结构和光学性质进行了系统的计算和分析比较.研究结果为块体Ca3Si4是间接带隙半导体,带隙为0.372eV,价带主要是由Si的3s和3p及Ca的3d态电子构成,导带主要是由Ca的3d态电子构成,静态介电常数ε1(0)=19,折射率n0=4.35;吸收系数在能量3.024eV处达到最大峰值1.56×105cm-1.而掺杂Sc变为n型半导体;费米能级附近的导带主要则由Ca的3d态电子和Sc的3d态电子构成,静态介电常数变为ε1(0)=54.58,折射率n0=7.416;吸收系数在能量5.253eV处达到最大峰值1.614×105cm-1.通过掺杂有效调制了Ca3Si4的电子结构和光学性质,计算结果为Ca3Si4光电材料的设计与应用提供了理论依据.     

磁控溅射制备的W,WSi2,Si单层膜和W/Si,WSi2/Si多层膜应力

采用直流磁控溅射技术制备了厚度约100 nm的W,WSi2,Si单层膜和周期约为20 nm,Si膜层厚度与周期的比值为0.5的W/Si,WSi2/Si周期多层膜.利用台阶仪对镀膜前后基底表面的面形进行了测试,计算并比较了不同膜系的应力值.结果表明:W单层膜表现出较大的压应力,而W/Si周期膜则表现为张应力.WSi2单层...     

Auger电子谱和离子散射谱分析非晶态和晶态CuTi合金系的表面成分

本文用Auger电子能谱(AES)和低能离子散射谱(ISS)第一次研究了非晶态CuTi合金系以及合全试样经加热而部分晶化后的表面成分,发现:铜是表面择优濺射元素,而钛是表面聚集元素。设想在该合金系中元素的濺射率比纯元素时的大大改变了,就可以解释这些实验结果。本文还发现:在合金状态由非晶转变为晶态后,表面成分变化不大。对其可能的原因进行了讨论。     

弯曲BN纳米片的电子性质及其调制

BN纳米片是具有一定宽度、无限长度的一维蜂窝构型单层带状氮化硼材料,弯曲的BN纳米片因为P z轨道旋转,将表现出一定的独特的电子性质.通过第一性原理计算,利用MS(Material Studio)中的DMOL3(local density functional calculations on molecules)软件计算了Zigzag和Armchair型BN纳米片弯曲以后的能带结构.BN纳米带的带隙会随着弯曲角度的变化而改变,以Armchair型BN纳米带的变化较为明显;在弯曲的基础上再加入外电场,却是Zigzag型BN纳米带的带隙变化更显著.当电场加大到一定的值,纳米带就会从半导体变为金属,并且这一临界电场值的大小和纳米带的弯曲程度有关.电场对带隙的调制还和纳米带的尺寸有关系,电场对大尺度的纳米带的调控性更好,从半导体转变为金属所需要的电场值要更小.     

Co-P非晶态合金电子性质和局域结构的理论研究

根据Co P非晶态合金结构的短程有序和结构中可能存在P -P相互作用的实验事实 ,选择了单磷原子簇模型ConP(n =1～ 5 )和双磷原子簇模型ConP2 (n =1～ 4 ) ,用密度泛函理论方法对其进行计算 .结果表明 ,在单磷Co2 P( 2 ) 、Co3 P( 1) 及Co4P( 2 ) 模型体系中 ,Co原子供给P原子电子 ,与电负性规则一致 ,同时Co和P之间具较强化学作用 ,可以形成稳定的原子簇 ;而在双磷和单磷原子簇Co5P( 1) 模型体系中 ,形成的原子簇不稳定 ,采用单磷Co2 P( 2 ) 、Co3 P( 1) 及Co4P( 2 ) 模型能较好地反映Co P非晶态合金的结构特点 .     

非晶态磁性合金的磁阻和磁击穿现象

在室温下磁场在0—15kOe范围内测量了非晶态磁性合金(Fe_1-xCo_x)₈₂Cu_0.4Si_4.4B_13.2的横向磁阻△ρ/ρ。发现在高磁场下,磁阻与磁场强度有三种函数关系:(1)磁阻趋于饱和;(2)磁阻随磁场平方正比地增加;(3)对x=0.15的合金,在特殊的电流、磁场方向和确定的磁场强度下,有磁阻尖峰出现。情况(3)是一种磁击穿现象。磁击穿发生在自旋向上和向下的两片Fer 关键词：     

磁控溅射制备的W，WSi2, Si单层膜和W/Si,WSi2/Si多层膜应力

采用直流磁控溅射技术制备了厚度约100 nm的W,WSi2,Si单层膜和周期约为20 nm,Si膜层厚度与周期的比值为0.5的W/Si,WSi2/Si周期多层膜。利用台阶仪对镀膜前后基底表面的面形进行了测试,计算并比较了不同膜系的应力值。结果表明：W单层膜表现出较大的压应力,而W/Si周期膜则表现为张应力。WSi2单层膜和WSi2/Si周期多层膜均表现为压应力,没有应力突变,应力特性最为稳定。因此,WSi2/Si材料组合是研制大膜对数X射线多层膜较好的材料组合。     

Pt/Si界面的椭圆偏振光谱研究

本文应用椭圆偏振光谱法,研究未经热处理的Pt/(n-Si)界面.在350O(?)～650O(?)的光谱范围内,对椭圆偏振光谱的测量数据进行分析计算,以确定界面的光学响应.结果表明,Pt/(n-Si)界面存在着一界面层,其厚度d_2-30±1(?).本工作同时得到了该界面层的表观光学常数谱和介电函数谱.应用有效介质理论对界面层的介电函数谱进行拟合分析,结果指出,界面层存在着富硅的氧化物(其平均效果是SiO_(1.54)),界面区是Pt、Si和富硅氧化物的物理混合和化学混合区.