介电受限对量子点中受限激子的影响

在有效质量近似下,采用有限深势阱模型研究了强受限制范围内,介电受限对球形,立方形半 量子点中受限激子的影响,结果表明在考虑表面极化效应以后,量子点的形状对受限激子的影响是不可忽略的。     

介电受限对CdSe量子点中受限激子的影响

在有效质量近似条件下,通过Wang和Zunger给出的CdSe量子点介电常量与其半径的关系,利用变分方法计算了该量子点中受限激子的基态能及束缚能.结果表明,在考虑量子点介电常量随尺度减小的变化以后,受限激子的束缚能增大,基态能降低,更接近实验值.同时,也讨论了量子点介电常量的尺度效应和表面极化效应对受限激子的影响. 关键词：     

(nc-Si/SiO2)/SiO2多层量子点结构的激子能级

采用球型量子点模型,应用有效质量近似理论,研究了(nc-Si/SiO2)/SiO2多层量子点结构的激子能级和波函数.结果表明,有限深势阱模型的引入更符合实际更加准确.无论在无限深或有限深势阱下,激子质心运动部分基态能量随最子点半径的减小而急剧增大.对于相同的量子点半径α,无限深势阱下的质心部分能量总比有限深势阱高,且二者的差距随α的减小小而增大.     

磁场和量子点尺寸对激子性质的影响

在In_0.6Ga_0.4As/GaAs量子点中,采用一维等效势模型和有限差分法理论计算了激子态的性质,得到了激子跃迁能和束缚能随磁场、横向束缚强度以及量子点尺寸的变化关系.结果表明:加入磁场后,Zeeman效应使得激子的能级简并度解除,激子的基态跃迁能与实验符合得很好;横向束缚强度或磁场强度的增加使得激子的束缚增强;量子点的尺寸对激子的束缚产生重要的影响;通过电子-空穴间平均距离以及激子体系波函数分布图像分析了其产生的物理机制.     

半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征

在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系GaInAsSb/GaAlAsSb单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式.计算结果表明，激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系.根据本文的简单模型，线性比例系数I/I₀实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率，而从激子荧光强度的Arrhenius图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能，而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数. 关键词：     

玻璃中的半导体量子点

介绍了玻璃中的半导体量子点。对玻璃中半导体量子点的生长过程、量子的电子态，量子尺寸效应、库仑阻塞效应及介电效应，做了比较全面的介绍。讨论了量子点的应用及发展前景。     

界面效应对弱受限球形量子点异质结内电子能级的影响

采用球壳结构和渐变有限深谐振子势阱模型,分析了界面效应对弱受限半导体量子点异质结的束缚态电子基态能级的扰动情况.计算表明,对于处于弱受限的量子点,异质结厚度在30 nm内界面效应明显.当异质结壳层厚度进而增大的时候界面效应的影响将逐渐减弱,受扰动的基态能级间隔逐渐减小,到最后各基态能简并为某一固定值.     

ZnCdSe量子点的激子行为研究

用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在晶格失配较小的情况下制备了ZnCdSe量子点。并用原子力显微镜(AFM)和极低温度下的发光光谱确认了量子点的形成。原子力显微镜观测的形貌变化发现。随着生长后时间的增加,量子点的尺寸逐渐增大。而密度减小,这是由于熟化过程作用的结果。随着量子点生长完毕与加盖层之间间隔时间的增加,量子点的发光峰位明显红移,且由变温光谱得到的激子束缚能逐渐变小。这可以解释为随着间隔时间的增加,量子点的熟化过程导致量子点的尺寸增大,量子限域效应减弱所致。     

球型核壳量子点结构中二类激子向一类激子的转化

在有效质量近似下,采用变分方法研究了球型核壳量子点中激子的性质。数值计算了电子波函数随位置的变化关系以及临界势随球壳宽度和核半径的比值的变化关系。结果表明,当球壳宽度和核半径的比值为给定值时,存在一临界势,当局域势减小到临界势时,激子从二类激子转化为一类激子;当局域势为给定值时,存在一临界比值,当球壳宽度和核半径的比值减小到临界比值时,激子亦从二类激子转化为一类激子。该结果对研究球型核壳量子点中的电子结构有参考价值。     

量子点激子超辐射的条件和量子点集合的相干辐射

半导体量子点的激子超辐射出现的条件是本文激子超辐射的理论研究中的重点,我们的理论推导结果揭示要观测到半导体量子点的激子超辐射必须采用短于百飞秒的激发源。我们用ZnO单量子点观察到激子超辐射,同时测量和分析讨论了量子点集合的相干辐射性质,发现单量子点超辐射的二次方泵浦与辐射强度关系被大量量子点间的线性递增所掩盖。     

激子效应对双曲型量子线中非线性光学吸收率的影响

本文研究了双曲型量子线的三阶非线性光学吸收率,着重研究了激子对其影响,并且利用密度矩阵算符理论导出了三阶非线性光学吸收率的解析表达式。最后,以A1GaAs/GaAs双曲型量子线为例作了数值计算。数值结果表明,当线宽增加时,激子效应对三阶非线性光学吸收率的影响越来越弱,特别是,当线宽接近于扩散长度时,激子效应将显着减弱。     

纠缠态原子偶极间相互作用对量子态保真度的影响

研究了一对具有偶极偶极相互作用的纠缠态原子与相干态光场的相互作用,考察了原子间偶极偶极相互作用对体系中量子态保真度的影响.     

SIZE AND SHAPE DEPENDENCE OF THE LOWEST CONDUCTION BAND STATES IN GaAs QUANTUM DOTS

Using a recently developed new scheme, we investigated the electronic structure of the lowest conduction band states of cuboid GaAs quantum dots with different shapes and sizes in a wide range from 4 to 120a (a is the lattice constant). The critical edge length of the direct/indirect crossover in GaAs cuboid quantum dots depends on the size and shape of the quantum dots. As a deduction we also discussed the critical size of dlrect/indirect transition in GaAs quantum wires and thin films.     

CORRELATION EFFECTS ON THE GROUNDSTATES OF THREE-ELECTRON QUANTUM DOTS IN A STRONG MAGNETIC FIELD

１ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＩｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓｔｈｅｒｅｈａｓｂｅｅｎｍｕｃｈｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌａｎｄｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｓｉｎｗｈｉｃｈｏｎｌｙａｆｅｗｅｌｅｃｔｒｏｎｓａｒｅｂｏｕｎｄａｔｓｅ...     

量子纯态的纠缠度

纠缠态在量子计算和量子通讯中起着重要作用.考虑了量子纯态在时间反演变换下的行为以及相应的密度矩阵在Hilbert-Schmidt空间中的表示,并由此对纠缠度给出较为直观的几何解释. 关键词：     

相干态的叠加态的量子统计性质

本文研究了相干态的叠加态的量子统计性质.结果表明,相干态的叠加态仅存在奇次幂的高阶压缩效应,而不存在偶次幂的高阶压缩效应.给出了高阶压缩和高阶反聚束效应与叠加系数间的函数关系.高阶压缩要求叠加系数的辐角取值满足cosθ>exp(-2|α|²),而高阶反聚束效应则要求0.5π<θ<1.5π.奇偶相干态的有关结果均作为特例应包含在本文的一般结论之中.     

一类弯曲量子线的量子束缚态

对电子在弯曲量子线中的弹道输运性质进行了理论研究.弯曲量子线由T型量子线和单曲量子线组成.该有限长的量子结构分别与两半无限长的量子通道相连,当施加一偏压时,量子通道分别可作为电子的发射极和收集极.计算结果表明,当入射电子的能量小于量子结构横向上的第一个本征模时,电导存在两个峰.进一步指出,这些峰来自于电子共振隧穿量子结构中的量子束缚态.并详尽地讨论了这些量子束缚态的性质. 关键词： 量子束缚态 共振隧穿 电导 量子线     

半导体量子点激光器研究进展

首先简要地回顾了半导体激光器发展的历史和量子点激光器所特有的优异性能,进而介绍半导体量子点及其三维量子点阵列的制备技术,然后分别讨论了量子点激光器（能带）结构设计思想,实现基态激射时所必须具备的条件和近年来国内外半导体量子点器的研究进展。最后分析讨论了量子点激光器研制中存在的问题和发展趋势。