改进的本征态展开方法求解含时薛定谔方程

本改进了原有的本征态展开方法。通过从能量E到q=（2E）的平方根的表象变换，不仅准确地计算了在此方法中起重要作用的低能电子布居，而且大幅度地减少了计算时间。利用这个高效的方法，我们计算了在强激光作用下一个模型原子的高次谐波发射谱。     

量子点中Stark效应及微观电极化率的理论研究

以半导体材料InSb为研究对象,利用有效质量近似方法,分别研究了在强弱电场下含有两个电子的量子点中的能级移动.首先,利用微扰法计算了库仑相互作用所引起的能量变化ΔE,计算由于弱电场而引起的Stark能级移动ΔE1,并研究了ΔE1与特征长度L的关系;其次,在强电场作用下,用解薛定谔方程的方法求出了能量变化ΔE2并将其与弱电场下的情况进行对比;最后,在此基础上利用非线性光学知识研究了强电场作用下微观电极化率χ是随着L的增加而增大的.     

电子入射双电离He原子的理论研究

完成了高入射能(E05.6keV),低敲出能(E1=E2=10eV)情形下,电子入射双电离He原子五重微分截面(FDCS)的理论计算.计算中使用了三个电子在He+2离子场中的四体末态波函数.计算结果与其他理论结果进行比较发现:所得结果与最新的(e,3e)实验数据较好地一致.     

BaVS3晶格动力学研究

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下采用线性响应的密度泛函微扰理论研究了具有六角结构的BaVS3化合物的品格动力学性质,得到了整个声子谱.计算得到的г点拉曼频率和实验数据进行了比较,其中E22g模、A1g模和实验测量值符合得比较好.对于E32g模,采用线性响应计算的结果与实验值差别较大.对该模应用冻结声子方法研究后认为差异主要是由于E32g模的较强的非谐性引起的.此外V原子在平面内的振动模E12g出现了虚频.虚频的出现预示着六角相的BaVS3结构的不稳定性,从而很好地解释了该材料由六角相到正交相的结构相变.     

对感生电场计算方法的探讨

对于感生电场的计算问题,在大学电磁学教材中一般都是利用反证法证明螺线管管内外的E感线都是与螺线管轴线相垂直的同心圆.笔者在此利用解析法和类比法两种方法来证明螺线管管内外的E感线都是与螺线管轴线相垂直的同心圆,并在此基础上计算了E感的大小,以供教学参考.     

高剥离类镁等电子序列的磁偶极MI和电四极E2光谱跃迁理论研究

利用全相对论性多组态Dirac-Fock广义平均能级方法,系统地计算了类镁离子3s3p 磁偶极M1 3 P2-3P1 和电四极E2 3 P2-3P0(Z=20～103)光谱跃迁的能级间隔、跃迁几率和振子强度.计算中考虑了原子核的有限体积效应,进行了高阶Breit修正和QED修正,所得到的能级间隔和最近的实验数据及理论计算值进行了比较.计算结果表明高原子序数的高荷电离子的磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当,在ICF和MCF高温激光等离子体中,磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁过程不容被忽视.     

第一性原理计算Co/h-BN界面上的微弱Dzyaloshinsky-Moriya相互作用

用密度泛函理论的第一性原理计算程序VASP在广义布洛赫条件下计算了Co/h-BN反方向的自旋螺旋能量与波矢的色散关系E(q)与E(-q).E(q)与E(-q)能量之差反映了Co/h-BN界面上下层之间空间反演对称性破缺引起的Dzyaloshinsky-Moriya相互作用(DMI)的大小.通过海森伯作用(HBI)模型与DMI模型拟合计算值,得到Co原子间各近邻的HBI参数J_1—J_4及DMI参数d_1,d_2.在Co/h-BN中,J_1为负值起完全主导作用,J_3比J_1小一个量级,其他参数接近于0.因此,Co/h-BN的基态是三角反铁磁,而DMI很微弱.根据这种性质,h-BN可以作为其他DMI界面的覆盖层.     

低能电子在水中的弹性散射

基于平均散射截面概念,结合Mott截面,计算E≤10 keV范围低能电子在水中弹性散射的微分散射截面、总散射截面及弹性散射角概率分布,与应用Rutherford模型的计算结果及实验结果符合较好.在此基础上,给出一个低能电子在水中弹性散射的模拟方法,既严格可靠,又能够方便地应用于低能电子在水中径迹结构的模拟.     

三苯胺衍生物分子非线性光学性质的理论研究

在密度泛函理论水平上,利用响应函数方法,研究了1-{(1E)-2-[4-(二苯胺基)苯基]乙烯基}-4-[4-N,N-二甲胺]苯(PVMB)和1-[(1E)-2-(4-(1E)-2-{4-[4-N,N-二甲胺]苯基}乙烯基)苯基]苯胺}苯基)乙烯基]-4-[4-N,N-二甲胺]苯(DPVMB)两分子的双光子吸收特性.计算结果表明,这两个化合物都具有较好的双光子吸收特性,且具有两分支结构的DPVMB分子比具有单支结构的PVMB分子有更强的双光子吸收强度.计算数值结果和实验结果符合地较好.     

Cu-、Li-光脱离截面的理论计算

对零实贡献(Zero-core-contribution,ZCC)模型进行了改进,采用解析计算方法,利用最大电荷密度半径和电子亲和能E计算了Cu-、Li-光脱离截面,计算结果与复杂的多组态方法给出的结果一致.     

bb体系中的色屏蔽效应

利用含色屏蔽效应的禁闭位,计算了b体系的能谱,轻子衰变宽度和E1跃迁.同时计算了相对论修正对b体系的E1跃迁的影响.     

LiNbO_3在反常色散区光学常数的测定

我们用170SX傅里叶变换红外光谱仪,测量了LiNbO_3在30cm~(-1)～2800cm~(-1)波段内的反射光谱。应用Kramers-Kronig关系的积分形式,快速而准确地计算出LiNbO_3在同一波段内的各种光学常数的谱图。由此,可直接得到A_1模和E模的横频率ω_T、纵频率ω_L和高频介电常数ε_∞。计算了振子强度。讨论了振子间的相互耦合作用。并认为670cm~(-1)模就是E模的一个基频。     

δ-(Zn,Cr)S(111)表面上的Dzyaloshinsky-Moriya作用:第一性原理计算

根据密度泛函理论的第一性原理计算了具有非中心反演对称的异质结δ-(Zn,Cr)S(111)体系的原子结构和电子结构.Cr原子之间通过第一层S原子传递磁性相互作用.结合广义布洛赫条件,又进一步计算了反方向的自旋螺旋能量与波矢的色散关系E(q)与E(-q).E(q)与E(-q)能量之差反映了δ-(Zn,Cr)S(111)的S层与Cr层之间空间反演对称性破缺引起的DMI的大小.通过海森伯相互作用(HBI)模型与Dzyaloshinsky-Moriya作用(DMI)模型拟合第一性原理计算值,得到了Cr原子间各近邻的HBI参数J_1-J_4与DMI参数d-_1,d_2.在δ-(Zn,Cr)S(111)中,Cr原子间的耦合为M型反铁磁.DMI参数d_1为-0.53 meV,为顺时针手性DMI,在δ-(Zn,Cr)S(111)界面上有可能会产生斯格明子.本文计算表明,磁性和非磁性半导体界面有可能存在DMI,为理论研究和磁存储技术的进步开拓一个新的方向.     

振动-转动相变的解析描述

本文用1/N展开技术,计算了Sm同位素的低能谱和E2性质,并与T.Otsuka等人的精确计算结果进行了系统比较,表明振动-转动相变可以用近似的解析方法描述.     

Heisenberg自旋模型的有效拓扑作用量与Berry相位相关的高级绝热近似方法

本文由平均场有效场论方法出发,应用高级绝热近似的计算技术,一般地研究了Heisenberg自旋模型的有效作用量及其高阶修正.在低温情况下,附加的拓扑作用量可等效地理解为单自旋在多粒子平均场中的等效Berry相位的叠加.     

非均匀加速结构腔间耦合系数模拟计算

电子直线加速器的聚束段对于会聚入射电子相位,提高电子直线加速器出射束流性能起着至为关键的作用. 而准确计算聚束段腔间耦合系数又是设计聚束段耦合孔几何结构的关键. 本文利用电磁场计算软件MAFIA的特征值计算模块E模块, 分别计算出单腔频率, 双腔腔链的两个本征频率,从而得到聚束段腔间耦合系数. 采用该方法,可以设计聚束段腔间耦合孔的几何参数. 与实验结果的对照表明, 这是一种非常有效的非均匀加速结构腔间耦合孔设计方法.     

二乙酰分子内价轨道4ag+4bu的电子动量谱学研究

在高分辨率(△E＝1.15 eV,△p≈0.la.u.)电子动量谱仪上获得了二乙酰分子(diacetyl)最内价轨道4ag+4bu的电离能谱和动量谱的实验结果,并用Hartree-Fock和密度泛函理论方法做了理论计算.实验结果与理论计算符合较好.     

强场和弱场侧超声分子束注入对加料的影响

报道了HL-2A装置最新的实验结果,讨论并研究了超声分子束的注入位置对分子束在等离子体中的消融和穿透的影响,其中包括电离后的分子束粒子在磁场梯度作用和 E × B 漂移下的加速或减速及由此形成的冷通道效应.研究结果表明,磁场梯度和 E × B 漂移对于超声分子束的加料效果、消融和穿透有着重要的作用.强场侧注入可使电离后的电子和离子更深地进入等离子体芯部.这些研究对于更好地理解超声分子束与等离子体的相互作用和优化设计加料系统有一定作用.     

带电导体表面任一面元处的场强

有一带电导体,设其面元处电荷面密度为σ,则它所在处的场强为 E1= 而不是 .有的人在计算导体表面面元受力的问题时,把答案写 错误就出在将 中的E1误认为等于 了.为什么 所在处的场强为 呢?关键是在求场强时应该将 本身除去,而计算其它电荷在该面无处所产生的场强.见图,用E S表示带电面元△S所产生的场强.在它的附近,可将它视为无限大带电面,其场强垂直表面,大小为 .在导体外,极靠近导体表面附近,有E=E1 (n为导体表面法线方向的单位矢).由此即可得出 ,方向垂直导体表面向外.在导体内部,E1与E△S的合场强为零,由此亦可得出E1 方向与 相…     

电多极矩跃迁选择定则的对称分析

只有由群的对称性才可能导出每个不可约表示的对称性波函数, 即对称化基函数.也只有由群的对称性才可能导出电子状态跃迁的最一般选择定则 , 即电偶极跃迁E1, 电四极跃迁E2 和 电八极跃迁E3跃迁的选择原则. 本文以 和 为例, 导出电多积跃迁的选择原则. 角动量的选择定则只是特例. 并用方法SAC-CI/6-31G 计算了 H2O和 CC的基态以及其激发态的激发能和振子强度.本文只适合单光子过程. 计算都与理论相合.