GaN基光电子材料及器件的研究

GaN材料是性能优越的化合物半导体,与其相关的合金材料可以制作出高亮度蓝光、绿光发光二极管、紫外探测器、半导体蓝色激光器(LD)等具有重要应用价值的光电子器件,因而备受重视,本文综述了GaN基光电子器件研究开发现状及其应用前景。     

光纤技术在美军事领域中的应用

本文主要介绍美国光纤技术在军用光纤通信、光纤制导导弹(FOG-M)、制导鱼雷、发射遥控飞行器、布雷和光纤传感器方面的应用。     

GaN基短波光电器件的研究进展

介绍了GaN基发光器件、电子器件以及GaN基紫外光(UV)探测器的研制和发展概况,描述了GaN基短波光电器件的研究进展并对其应用前景进行了展望。     

探讨光通信技术在军事领域的应用

军事作为一个国家安全护卫的重要组成部分，它所采用的技术往往代表了某个科学领域的最高水平，光通信技术也不例外。由于光纤具有传输频带宽、通信容量大和抗电磁干扰能力强等优点，光通信在现代科学高端信息技术中占据了重要的一席之地，特别是在军事方面的应用，彻底地表现出了其独特的优势。而本文简单介绍了光通信的概念，旨在帮助大家理解光通信技术与军事发展之间千丝万缕的联系，通过具体实例简述了光通信技术在军事领域的几点重要应用。     

半导体激光器及其在军事领域的应用

文中阐述了半导体激光器的研究进展情况,简要介绍了半导体激光器在激光测距,激 光制导跟踪、激光瞄准告警,激光雷达和激光引信等军事领域的应用。     

面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件

Al GaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点,在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手,重点介绍了采用超薄势垒Al GaN(小于6 nm)/GaN异质结实现无需刻蚀Al GaN势垒层的GaN基增强型器件的物理机理和实现方法。同时介绍了在超薄势垒Al GaN/GaN异质结构上实现增强型/耗尽型绝缘栅高电子迁移率晶体管单片集成的研究进展,进一步论证了在大尺寸Si基Al GaN/GaN超薄势垒平台上同片集成射频功率放大器、整流二极管、功率三极管等器件的可行性,为Si基GaN射频器件、功率器件、驱动和控制电路的单片集成奠定了技术基础。     

浅谈大数据技术在军事领域的应用

随着现代科技的不断发展,战争行动的信息化含量逐步提高,利用大数据技术解决军事领域需求,成为一个值得重视的研究方向。可预见,在未来战争形态下,夺"制大数据权"是夺"战场主动权"的重要途径之一。本本先简述大数据技术,再浅谈大数据技术在军事领域的应用情况,希望给有关人士一定的参考借鉴。     

谈物联网在军事领域中的应用

介绍了在物联网技术与应用的快速发展阶段，军事领域如何开发利用信息资源，充分发挥网络的功能。实现部队作战和保障要素的结合，实施对武器平台的精确控制。     

自由空间光通信中光电子器件的现状分析

对自由空间光通信中的光电子器件包括激光器、光电探测器、光学滤波器的现状做了系统分析，结果表明：CO2激光器、半导体激光器和LD泵浦的YAG固体激光器成为目前和未来自由空间光通信系统的重要光源；PIN和APD光电二极管成为自由空间光通信系统探测器的最佳选择；干涉滤波器和原子滤波器成为自由空间光通信系统滤光器的发展重点。     

自然语言生成技术及其在军事领域应用

自然语言生成(Natural Language Generation, NLG)是在自然语言理解、图像识别和视频分析等技术基础上利用人工智能和语言学方法生成自然语言文本的过程,近年来成为人工智能研究领域的热点,在军事领域也得到了较好的应用。文中提出了NLG技术的应用框架体系,阐述了文本到文本、数据到文本、图片到文本和视频到文本4个大类的关键技术和实现方法;归纳总结了机器翻译、辅助撰写、智能问答、战场监视、侦察解译等11个典型场景,为NLG技术在军事领域的实战化应用提供方向;从军事领域数据集缺失、现有NLG系统的实用性和抗毁性不足等方面,深入剖析了制约NLG技术军事应用的瓶颈问题,并提出对策建议,为NLG技术在军事领域的未来发展提供参考。     

太赫兹技术在军事领域的应用

随着超快激光技术的发展,太赫兹波段空隙逐渐被人们所认识.由于太赫兹处在电磁波谱的特殊位置,具有同其他波段的电磁波不同的特殊性质,在诸多行业具有广阔的应用前景.结合太赫兹特点,研究其在军事领域的具体应用前景.     

GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用

介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的Ⅰ-Ⅴ特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型.建模结果在ADS软件中得到验证,并用于GaN功率单片的设计中,在生产中起到了一定的指导作用.     

SiC和GaN电力电子器件的研究进展

与传统的Si基器件相比,SiC和GaN器件具有工作温度高、击穿电压高、开关速度快等优势,因此SiC和GaN材料是制备电力电子器件的理想材料。总结了近年来SiC和GaN电力电子器件的研究进展,包括二极管,MOSFET,JFET和BJT结构的SiC器件,以及SBD,PN结二极管,HEMT和MOSFET结构的GaN器件。     

超高导热金刚石铜复合材料在GaN器件中的应用

金刚石铜具有高导热率和低膨胀系数,可用于大功率芯片的散热热沉.未做处理的金刚石表面非常光滑,不易附着其他金属,由于金刚石性质非常稳定,不容易被强酸和强碱进行表面处理.采用JG-01金刚石铜粗化处理液对金刚石进行粗化处理,而对铜无损伤,提升了金刚石表面结合力.金刚石铜镀层对金锡(AuSn)和锡铅(PbSn)焊料的润湿性满足GJB548B-2005要求.GaN功率放大器芯片采用金刚石铜热沉比铜钼铜热沉结温可以降低12℃.金刚石铜载板镀层润湿性良好,焊接后芯片底部的空洞率不大于3％,热沉焊接后空洞率不大于5％,满足高功率芯片散热要求.按照产品环境适应要求,对GaN功率放大器做了高低温冲击和机械振动两种环境筛选实验,最终满足可靠性考核要求.     

AlGaN/GaN HEMT器件的光电特性研究

本文采用Silvaco TCAD软件在海威华芯0.25μm AlGaN/GaN HEMT工艺和设计规则下建立了AlGaN/GaN HEMT的二维仿真模型,对AlGaN/GaN HEMT器件在有/无光照条件下进行了击穿特性的仿真和研究,结果表明器件的光电流可以达到暗电流的4000倍以上;采用脉冲响应法对AlGaN/GaN HEMT器件进行了光电响应速度的仿真,结果表明该器件可实现580Hz光脉冲到电脉冲的转换。因此,本文研究的常规非光电工艺AlGaN/GaN HEMT器件可以用来制作具有内部增益的雪崩型紫外光电探测器。