HCl气氛制备的ZnS:Mn粉末DCEL材料

本文首次较系统报导了HCl气氛中制备的ZnS:Mn粉末DCEL材料的特性。指出HCl气氛的主要作用,一是使材料结晶更好,二是引进Cl施主能级,使得PL和DCEL亮度提高。本实验还研究了ZnS粉在HCl气氛中灼烧时的相转换特点,以及晶相比对抗老化性能的影响。讨论了晶相比与颗粒表面CuxS导电相性质的关系,认为这是晶相比影响老化的原因。     

粉末DCEL发光区的随机性

粉末DCEL屏(夹心式)的发光区是在紧靠阳极的一个很薄(大约1μ)的区域内,这是至今所有研究者一致的结论.本文作者在实验中证实,粉末DCEL屏的发光区位置具有随机性,通常它可出现在任何难以予料的位置上,比如在靠近阴极或者在发光粉/介质层中间以及靠近阳极,甚至同时在所有上述位置上出现,也有时发光区占据整个的发光粉/介质层.     

粉末DCEL发光区的随机性

粉末DCEL屏(夹心式)的发光区是在紧靠阳极的一个很薄(大约1μm)的区域内,这是至今所有研究者一致的结论。本文作者在实验中证实,粉末DCEL屏的发光区位置具有随机性,通常它可出现在任何难以预料的位置上,比如在靠近阴极或者在发光粉层中间以及靠近阳极,甚至同时在所有上述位置上出现,也有时发光区占据整个的发光粉层。实验还证实,发光区的位置与形成方式,电极材料,电压极性,发光材料和屏的结构等因素有关,发光区出现在紧靠阳极的区域只是一种特定条件下的结果。文章讨论了发光区形成的原因及其规律性,认为发光区的位置取决于发光粉层内电位分布不均匀性的具体情况。     

分析超纯材料成分新工艺

 美国国家标准和技术研究所(NIST)专家研制成一种专门的程序保障系统,它能查明超纯材料和合金中存在的极少量杂质。该所提出的程序包分析了利用光栅扫描电子显微镜收集的资料,这种显微镜的工作原理可归结为:对被研究样品辐射一电子束,随后记录反射的电子和二次电子,并且进行X光分析.     

Ⅱ一Ⅵ族粉末直流电致发光材料(DCEL)国外研究情况

1954年Zalm首次发现了直流电致发光(DCEL)现象,但是在1966年前DCEL材料并未引起人们的注意,研究工作也很少.当时,DCEL材料亮度低,激发电压高,发光只限于个别颗粒,半寿命极短以致难于进行定量的测量.     

影响包铜直流EL荧光粉导电性的因素

粉直流电致发光器件的特性与其包铜ＺｎＳ荧光粉的导电性有关，然而人们对这一问题研究却很少。本文报导了一系列用于分析ＤＣＥＬ器件的形成和老化特性的实验结果。分析出影响包铜ＤＣＥＬ荧光粉导电性的因素有温度，包覆溶液温度和气体环境。根据这些结果讨论了有关形成，气氛对ＤＣＥＬ器件的影响等新理论，同时也讨论了如何制备长寿命ＤＣＥＬ荧光粉等问题。     

THE RANDOMNESS OF LUMINESCENT REGION IN POWDERED DCEL PANEL

So far, it has concluded by all research worker that luminescent region of powdered DCEL panel (sandwich cell) is localized in a thin layer(about one micron) very closed to the anode. It is confirmed by experiments, that there is randomization of luminescent region in powdered DCEL panel. Usually, the position of emission region can not be expected. The position may occur, in a place closed to the     

ZnS:Mn DCEL器件发光机理及老化特性的研究

本文在以前实验工作和理论研究的基础上,首次提出了一种新的直流电致发光机理的物理模型——表面空间电荷层模型。此模型完满地解释了器件的有关特性和实验曲线,并且提出了进一步改善DCEL器件性能的方法。     

ZnS:Mn,Cu粉末的直流电致发光(DCEL)

本文综述了本实验室对粉末DCEL材料的研究结果,文中叙述了直流发光材料和器件方面的研究进展,其中包括材料的制备方法,包铜工艺、ZnS原料,介质的选择原则,形成过程及DCEL机理等。     

CaS:Ce和ZnS:Mn,Cu粉末DCEL包铜化学反应过程

本文研究了CaS:Ce和ZnS:Mn,Cu粉末DCEL材料的包铜化学反应过程,发现了一些包铜量随包铜温度、包铜时间、铜盐浓度等因素的变化规律和电导率随包铜量的变化规律,并对这些规律进行了探讨,同时根据一些补助实验和化学的反应基本原理提出了包铜化学反应过程的初步模型。     

一种制备四光子相干态的新方案

本文提出了一种利用原子-腔场之间的Raman相会作用来制备四光子相干态的新方案.同样,还可以利用该方法制备八成分迭加态.     

一种新的p-V关系测量技术

 本工作利用新建立的p（压力）-V（体积）关系测量技术测定了Fe和Bi在4.5 GPa内的p-V关系。实验结果表明，采用这种新的测量技术可以提高p-V关系测量的精度和工作效率。     

ZnS型发光材料光老化的研究

用X射线衍射谱证实了ZnS光致发光材料经紫外线照射后,体色逐渐变灰至黑是由于ZnS离解析出Zn所引起并发现尚有其它组分存在.还研究了不同波长的紫外线照射和材料粒经大小对ZnS发光材料光老化的影响得出一些新的实验结果.     

一种新的测定一维同核全相关的NMR技术

提出一种新的基于MDY混合脉冲的可测定一维同核全相关的核磁共振技术.称为一维自旋回波MDY相干转移(lD-SEMDY)实验.结果表明.它具有下列突出优点:一是不用Z-滤波技术就可以得到纯吸收型的一维全相关谱(lD-TOCSY).与同类技术相比,操作简便.可节省测定时间.应用范围较广;二是所测定亚谱中的信号归属通过改变混合时间和延迟时间可以得到确定;三是相干转移非常有效.远程磁化转移信号的灵敏度比较高,对弱偶合的自旋体系也可进行测定.以甙类化合物为例讨论了它在谱峰高度重叠的有机结构测定中的应用.     

一种可获得“迁移率谱”的新方法——瞬时热电效应法

介绍了瞬时热电效应法，一种新的实验手段．它基于脉冲激光照射引起的载流子的扩散现象．观测到的瞬时热电电压由光激发导致的传导载流子的扩散形成，并且复合着几个特征的衰减过程指数地衰减．分析这些衰减过程，可以获得载流子的迁移率、有效质量、费密面的变化等重要信息．对瞬时热电效应法的原理以及主要分析方法作了较详细的介绍． 关键词：     

用四探针技术测量半导体薄层电阻的新方案

本文介绍用四探针技术测量半导体薄层电阻的新方案。其特点是,不论对无穷大薄层还是有限尺寸小样品,都不要求探针之间的距离相等,测量结果与探针间距无关,消除了针距不等引起的误差;同时,对于矩形或圆形小样品,不需要另加边界修正,因而也不必知道样品几何尺寸,只从电测量中即可求出电阻值。 关键词：     

用倒频谱技术消除声反射影响的方法

现场测量声信号需要消除因声反射而产生的干扰。本文根据传声通道的响应特性,提出一种用倒频谱技术消除声反射影响的方法。计算机模拟和在消声室进行的自由场与人为设立一、两个反射面情况的对比实验都表明,该方法有效。