共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
本文全面论述了孤子方程求解的投影矩阵法。不仅导出孤子解间的变换关系(孤子变换),而且导出以前未明确得到的呼吸子解之间的变换关系(呼吸子变换),并一般地证明了孤子解的非奇异性。
关键词: 相似文献
3.
建立了插值矩阵法的基本理论,用于解非线性混合阶常微分方程组多点边值问题,制作了常微分方程组求解器IVMMS,可以支持计算力学中的有限元线法。 相似文献
4.
5.
6.
一些数量关系 如果令S(t)表示频谱为S(ω)的输入信号,因此,信号对频率为ω_0的载波进行单边带调制后,得到的已调波f_d(t)可以写成 f_d(t)=S(t)cosω_0t-σ(t)sinω_0t,(1)上式中σ(t)为和S(t)正交满足吉尔柏特变换的函数, 相似文献
7.
8.
9.
在古典力学中,动量矩定理是在固定坐标系中对固定点提出来的,这时它具有如下形式:式中K_o为貭点系(m_1,m_2,…,m_n)对任一固定点o的动量主矩,而∑m_o(F_i)则为作用于各貭点上的外力对固定点o的主矩,即 相似文献
10.
11.
12.
本文由温度不同之平衡系统引入温度差的概念,以其边界接触作用为微扰,对热的输运过程进行了动力学的讨论。得到了热导系数的准确表示式。对于体积大的均匀系统,所得的公式简化为Kubo的公式。 相似文献
13.
14.
15.
16.
在半导体硅器件的研究工作中,需要准确地测量和控制SiO_2薄膜的厚度。由于干涉原理,SiO_2薄膜在白光照射下呈现颜色。但薄膜厚度与颜色相应的单色光的波长并不成简单的函数关系。本文叙述了用干涉显微镜测量热生长SiO_2薄膜厚度的方法。由测量结果得到SiO_2薄膜的折射率以及SiO_2和硅界面及空气和硅界面反射相移之差。并且测量了一组标准样品的薄膜厚度,列出了薄膜厚度与干涉颜色的对应关系。所得结果与从Rollet数据所推算的结果大致符合。样品厚度还包括了Rollet数据中所未包括的范围(3300—4200)。 相似文献
17.
18.
静电场边值问题的矩量法解 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用修正格林函数积分方程的矩量法数值解技术求解静电场边值问题。这种方法具有较边界积分法积分域小的特点,不仅有高的计算效率和精度,尤其适用于有无限延伸导体边界的边值问题。本文着重讨论与传输线问题等效的边值问题,这是典型的二维静电场问题,对高频和微波技术有重要的实用价值。本文方法也适用于三维静电场问题和交变电磁场问题。 相似文献
19.
矩孔光栅的矢量模式理论 总被引:1,自引:2,他引:1
本文引入满足均匀矢量亥姆霍兹(Helmholtz)方程的矢量波函数作为基矢,对矩孔光栅的孔内外光场分别进行矢量模式展开和矢量平面波展开,并由耦合条件导出了求解展开系数的方程组,从方程组中求解出相应的振幅系数,可研究光栅的衍射场分布,该方法可研究入入射扬方向和偏振任意时的衍射效率和偏振特性等问题。 相似文献
20.
本文研究了经过纵向磁退火的铁镍钴合金带的铁心损耗,发现P/f-f曲线具有明显的反常行为。用180°畴壁移的反常涡流损耗理论模型做了解释。并提出一些减小损耗的可能途径。 相似文献