税控收款机的EMC症结及对策

对某款税控收款机在电磁兼容性测试中遇到的一些具体问题,如静电测试时设备死机、传导和辐射测试时在某频段超标等进行了分析,找到了问题的症结所在,并提出了改进措施;改进后,测试结果符合相关标准的要求。     

如何测定设备对ESD的抗扰度

如何测定设备对ＥＳＤ的抗扰度引言静电放电是一种自然现象，早在公元前６００年，人们对此就有了认识，并且在文件ＴａｌｅｓｆｒｏｍＭｉｌｌｅｔ中已有证明。当两种不同介电强度的材料，如毛织物与玻璃，彼此一经摩擦就产生静电电荷。如果一种材料带有足够的电荷，那它...     

ESD EMP对单片机的辐照效应实验及加固方法研究

为研究静电放电电磁脉冲对电子系统的影响，进行了静电放电电磁脉冲对单片机系统的辐照效应实验。实验表明，单片机系统在ESD EMP作用下，会出现“死机”、重启动、通讯出错和数据采集误差增大等现象。在实验基础上，研究了对ESD EMP的加固方法。     

某电子系统的ESD抗扰度性能研究

对某军用电子系统（简称被试系统）进行了静电放电（ESD）抗扰度试验,研究了不同放电模式下系统受ESD干扰情况。当放电电压低于2kV时,ESD对于被试系统基本不造成干扰;当放电电压超过2kV后,被测系统信号出现了过零点不正常、不翻转和死机三种现象。分析认为被试系统中检测仪在电磁兼容性（EMC）方面存在的问题,是影响整个被试系统抗扰度的主要原因。采取电磁防护加固措施能提高系统的ESD抗扰度性能。     

GB/T 17626.2的修订

介绍了GB/T 17626.2修订的主要内容,阐述了静电放电抗扰度试验标准新旧版本之间的差异.     

基于“猫眼效应”的激光主动探测技术应用研究

基于“猫眼效应”的激光主动探测技术,是对无人机光电系统实施强激光干扰较为有效的探测和效果评估方法。基于对光学探测系统参数理论分析,建立了因离焦量而引起的回波发散角及回波功率计算模型。从激光发散角、入射角、反射角等方面研究了激光主动探测技术所受影响因素,为判别干扰是否有效,对激光回波探测功率的影响因素进行细化分析,在仿真条件下计算出激光干扰有效的入射角度范围。     

新版静电标准对静电放电模拟器的影响

该文依据IEC61000-4—2第2版标准,阐述了新版的静电标准对静电放电模拟器的影响,以及这种静电放电模拟器相应的校准方法。     

我们抓住了“2009的尾巴”我想对米饭说……

又到一年总结时,过去的2009年给你留下了什么？带来了什么？现在就记录下你的心情,对亲爱的米饭们说点什么吧？关于工作、关于生活……     

半导体激光器阵列的“Smile”效应对光束质量的影响

建立"Smile"效应条件下半导体激光阵列近、远场模型,将光纤近场扫描法与高斯光束传输理论相结合,从理论和实验上证明了"Smile"效应值的大小与分布形态共同决定半导体激光器阵列快轴方向实际输出光束质量,获得了不同"Smile"效应条件下半导体激光阵列快轴方向光束参数积Kf值。     

“猫眼效应”的物理模型及证明

本文阐述了光学系统中存在的"猫眼效应"物理模型,利用傅氏变换性质证明了"猫眼效应".当激光光束以任一角度入射至"猫眼"光学系统时,将沿入射光方向返回。对普通目标和"猫眼"目标的光学反回率作了比较。     

静电放电抗扰度试验与重复性研究

介绍了静电放电抗扰度试验,并阐述了影响重复性的主要因素。     

汽车电子设备静电放电抗扰度测试标准比较

比较并分析了汽车电子设备静电放电抗扰度测试国际标准ISO10605、IEC61000-4-2和整车厂商测试标准在人体放电模型、试验布置和试验方法等方面的差异,认为整车厂商标准比国际标准更具有可操作性和可重复性,并且在一定程度上提高了测试的严酷度。     

音视频产品的静电放电测试

文章介绍了欧盟标准EN55020:2002针对音视频产品所提出的静电放电测试的方法与要求,阐述了测试时对标准的具体理解和操作程序,并从设计角度分析音视频产品的抗静电放电手段.     

静电放电抗扰度对手机的影响

介绍了手机静电放电测试的要求和方法,总结分析了手机静电放电抗扰度试验的主要失效现象和模式,可供手机静电放电抗扰度试验及提高手机抗静电能力设计时参考.     

0．13μm GGNMOS管的ESD特性研究

当ESD事件发生时,栅极接地NMOS晶体管是很容易被静电所击穿的。NMOS器件的ESD保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性。文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究,利用特殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件。文章基于0．13μm硅化物CMOS工艺,设计并制作了各种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管,通过TLP测试获得了实验结果,并对结果进行了。分析比较,详细讨论了栅极接地NMOS晶体管器件的版图参数和版图布局对其骤回特性的影响。通过这些试验结果,设计者可以预先估计GGNMOS在大ESD电流情况下的行为特性。     

基于GGNMOS的ESD建模与仿真技术研究

随着微电子加工工艺技术的发展,集成电路对静电越来越敏感。设计合理有效的静电放电(ESD)保护器件显得日趋重要。传统的"手动计算+流片验证"的设计方法费时耗力。该文基于栅极接地的NMOS(GGNMOS)器件,以Sentaurus为仿真平台,建立器件模型,根据ESD防护能力的需求,计算出GGNMOS的设计参数,设计出防护指标达到人体模型(HBM)4.5kV的管子。结果表明,该方法简单有效,能缩短设计周期,是防护器件设计的一种优秀方法。     

箔条弹发射装置安装方式对试验效果的影响

简要介绍了箔条干扰弹的特性和质心干扰的基本原理,总结了质心干扰效果试验中的问题,阐述了发射装置安装的基本原则,指出了合理地安装发射装置可以大大提高质心干扰效果试验成功率,否则将影响对无源干扰设备的试验鉴定结果。     

屏蔽视频电缆的辫接效应分析

辫接导线引起的电磁泄漏,是屏蔽视频电缆泄漏最严重的部分。利用广义二端口网络法和天线理论求解视频电缆的辐射;从理论上分析了产生这种结果的原因,并提出减少这种辐射的方法,该方法对辫接效应的抑制大于20dB。     

ESD对印制电路板绝缘性能的影响

由于印制电路板的线宽和线间间隔的细微化，以往不引人注意的ESD（静电放电）现象已经对线路板的绝缘性能造成影响。文章介绍了这种现象发生的原因和研究动向，列出了几种解决对策。     

关于TFT-LCD工艺过程中ESD改善的研究

在显示器件薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)以及半导体制造工艺过程中,各个环节都有可能产生静电放电(electrostaticdischarge,ESD)现象,引起器件性能下降,甚至破坏器件。本文结合生产工艺的实际情况,采用统计方法首先对某工艺环节的ESD现象进行定位,在此基础上结合聚焦离子束(focusionbond,FIB)等试验结果,对其机理进行认真的分析研究,从设计和工艺改善两个方面出发,提出解决方案,收到了良好的改善效果,取得巨大的经济效益。