零电阻温度超过90K的超导氧化物群体

已成功地合成了零电阻温度超过90K的七个ABO_3型结构的超导氧化物体系:Sr_(0.4)Y_(0.6)CuO_(3-y)和Ba_(0.4)Ln_(0.6)CuO_(3-Y)(Ln为Y,T,Tm,Dy,Gd,Er,Yb)。电测量结果表明,尽管各体系中的原子A的外层电子有明显的差别,其R(T)规律及高温超导转变行为几乎一致,而交流磁化率的测量则显示出由于磁性原子A不同所带来正常态△M(T)规律的差别。作者认为:在这些氧化物超导体中,ABO_3型结构中的Cu-O键会对电子的行为有着十分重要的作用,而且,在这种结构中,电子之间存在着很强的关联,磁散射的影响不足以破坏高温超导电性。     

微晶结构对氟氧化物玻璃陶瓷发光特性的影响

制备了成分相同的Er3+/Yb3+共掺氟氧化物玻璃和氟氧化物玻璃陶瓷样品，x射线衍射谱和荧光光谱表明热处理后玻璃陶瓷中形成了纳米结构的微晶，根据Judd Ofelt理论计算和差热曲线分析，证实稀土离子掺入PbF2微晶中.分别计算了热处理前后微晶态部分在玻璃体中所占的比例. 关键词： 微晶结构 玻璃陶瓷 荧光光谱     

温度与外加磁场对近零介电常数区超导材料光学特性的影响研究

基于二流体模型,对三种结构模型就温度及外加磁场对超导材料光学特性的影响进行了研究.由于超导材料的折射率依赖于温度及外加磁场,超导材料的光学特性也随之变化.分析结果表明,TE波和TM波随温度与外加磁场的变化是一致的.在确定的温度下,超导材料光学特性随外加磁场的增加单调变化.但在确定的外磁场下,存在一转折温度,以该转折温度为分界点,超导材料的光学特性随温度表现出不同的变化规律.     

离子代换对高Tc氧化物超导材料的影响

木文从离子代换的角度综述了Ｌａ２ＣｕＯ４系列、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７，系列高温超导材料，介绍了无稀土元素的高了。氧化物超导材料主要的实验研究结果．通过离子的代换，改变超导特性，为探索高Ｔｃ超导的机制提供必要的实验事实．     

(Bi,Pb)-Sr-Ca-Cu-O氧化物超导陶瓷弹性性质的超声研究

利用脉冲回波重迭方法,测定了新型高温超导陶瓷Bi_1.7Ph_0.3Sr₂Ca₂Cu₃O_10+x及Bi_1.7Pb_0.3Sr₂CaCu₂O_8+x单相多晶样品的超声声速,并进而决定了其弹性常数。在200K附近,横波和纵波声速均出现反常突变,并伴随有衰减峰出现,表明存在某种结构变化或相变,与此同时还出现了显著的模量软化,由声速导出的Bi系各弹性模量值远小于YBa₂Cu₃O_7-y超导体及BaTiO₃等具有类似结构陶瓷的相应值,而它们的泊松比却十分相近,表明这几种钙钛矿结构陶瓷有着类似的原子间结合力;而当C轴变长,其层间耦合减弱。在考虑空洞影响并加以修正后,得到材料的德拜温度为270±20K,并进而首次得到该材料的德拜温度随温度变化的曲线。     

热处理温度对MgB2超导材料的超导电性及微观结构的影响

采用粉末烧结方法在不同温度（650℃，700℃，750℃，800℃，850℃，900℃）制备了MgB2超导块材．采用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）研究了热处理温度对MgB2超导材料的成相及微结构的影响．采用磁化法测定不同温度制备MgB2超导材料的超导电性．结果显示热处理温度对MgB2超导材料的晶粒尺寸、形状和超导电性有明显影响，700℃制备的MgB2超导体具有最高的临界电流密度和最好的磁通钉扎特性，细小的晶粒尺寸是样品磁通钉扎特性改善的原因．     

热处理温度对MgB2超导材料的超导电性及微观结构的影响

采用粉末烧结方法在不同温度(650℃,700℃,750℃,800℃,850℃,900℃)制备了MgB2超导块材.采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了热处理温度对MgB2超导材料的成相及微结构的影响.采用磁化法测定不同温度制备MgB2超导材料的超导电性.结果显示热处理温度对MgB2超导材料的晶粒尺寸、形状和超导电性有明显影响,700℃制备的MgB2超导体具有最高的临界电流密度和最好的磁通钉扎特性,细小的晶粒尺寸是样品磁通钉扎特性改善的原因.     

波纹管对超导电缆出口液氮温度的影响

建立了30米长高温超导电缆的二维模型,利用Fluent软件对该模型进行仿真分析。在该模型中,采用波纹管恒温器,分析了波纹管的波距、波高等因素对出口液氮温度的影响。结果表明:在相同的热负荷及流量下,波纹管的波距越小,波高越大,出口液氮温度越高。超导电缆波纹管内液氮温度模拟,为低温冷却系统的优化设计提供理论依据。     

温度对超导光子晶体光子能带的影响

建立了二维超导光子晶体的物理模型,在超导二流体模型并考虑原子作非简谐振动情况下,用平面波展开法求出超导光子晶体的光子能带满足的方程.以YBaCuO超导光子晶体为例,探讨温度对它的光子能带结构的影响.结果表明:二维超导光子晶体在低温时具有较宽的禁带,且禁带宽度随温度的升高而变小.     

基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显徽镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态。用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。结果表明：随衬底温度的升高，晶粒明显长大。膜内的缺陷和应力显著减小，而且增强了薄膜晶粒的[111]择优取向。结果表明，薄膜电阻率显著减小，而磁电阻显著增大。     

电阻箱的零值电阻及对实验的影响

在电磁学实验中,转柄电阻箱是不可缺少的实验器件。利用它可以改变电路中的电流和电压,或用作附加电阻的替代元件等。当我们计算由电阻箱所引起的系统误差时,经常根据公式⊿=±(a％R+b)求其基本误差。而由电阻箱的零值电阻,即转柄的接触电阻和导线电阻所带来的误差,或根据电阻箱的准确度等级去计算,或查看电阻箱制造标牌上已写明的误差范围,大多情况,并不去具体测量。但事实上,在个别实验中,零值电阻已经明显地影响了测量的效果。     

基于LabVIEW实时研究辐照效应对锰氧化物薄膜电阻的影响

基于LabVIEW编程开发出了一套自动电输运测量系统,并利用该自动测量系统实时测量了γ射线辐照对钙钛矿锰氧化物薄膜La0.67Ca0.33MnO3(LCMO)的电阻率的影响,结果发现LCMO薄膜电阻率在短时间辐照时降低,随着辐射时间增加,电阻率转而单调增加.在同等条件下还测量了1 wt%Nb掺杂SrTiO3(NSTO)的电阻的射线辐射效应,对比发现NSTO的电阻未出现明显变化.通过辐射损伤机理及锰氧化物的强关联电子特征对结果做出了解释.     

温度对超导光子晶体光子能带的影响

建立了二维超导光子晶体的物理模型,在超导二流体模型并考虑原子作非简谐振动情况下,用平面波展开法求出超导光子晶体的光子能带满足的方程.以YBaCuO超导光子晶体为例,探讨温度对它的光子能带结构的影响.结果表明：二维超导光子晶体在低温时具有较宽的禁带,且禁带宽度随温度的升高而变小.     

原位退火温度对Mg_2Si薄膜结构及方块电阻的影响

采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg_2Si半导体薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上依次溅射一定厚度的Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,在400~600℃退火温度下制备出一系列Mg_2Si薄膜样品.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg_2Si薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,利用四探针测试仪测试薄膜样品的方块电阻,讨论了原位退火温度对Mg_2Si薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响.结果表明,采用原位退火方式成功在钠钙玻璃衬底上制备出单一相的Mg_2Si薄膜,退火温度为550℃时,结晶度最好,连续性和致密性最强,方块电阻最小.这对后续Mg_2Si薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.     

YBCO系超导陶瓷的掺杂研究

本文研究了掺杂 SnO_2对 YBCO 系超导陶瓷的制备工艺、烧结机制、显微结构及超导电性等的影响.结果表明适量 SnO_2掺杂有助于材料致密化,改善材料的烧结质量,且可显著提高该系材料的临界电流密度,文章对此作了初步讨论.     

超导直线电机结构参数对性能影响

高温超导直线电机作为电磁弹射的动力核心,需要具备稳态推力大和推力稳定性高的特点.本文利用有限元仿真分析法,分析了定子背铁厚度、气隙长度、极矩以及超导磁体内径等结构参数对电机稳态推力、推力波动、气隙磁场垂直分量和铁心损耗的影响.由仿真数据得出：增大定子背铁厚度,铁心损耗有先增大后下降的变化趋势;极矩逐渐增大时,稳态推力先增大后减小,但是极矩的增大会带来电机推力波动的增大;增大超导磁体内径,电机稳态推力平均值升高.结果表明本次研究达到了增大推力以及提高推力稳定性的目的,并对后续超导直线电机结构优化提供了可靠依据.     

过耦合结构超导铝共面波导谐振器温度特性研究

制备了基于超导铝膜的四分之一波长反射型共面波导谐振器,并利用矢量网络分析仪测量了该谐振器在低温超导状态下的传输特性。实验结果表明:对于拥有较大耦合电容的超导共面波导谐振器,在超导状态下随着环境温度的升高,超导薄膜的表面阻抗会增大,进而谐振器的中心谐振频率降低,谐振峰变宽。温度越高,谐振频率随温度升高而向低频偏移的速率越快。另一方面,随着环境温度升高,谐振器的外部耦合品质因数和负载品质因数也都会降低。温度越高,谐振器品质因数随温度升高而降低的速率越快。用二能级理论解释了实验现象,品质因数理论计算值与实验测量结果相接近。