波长范围对色度学计算精度的影响

本文讨论了波长范围的选取对三刺激值计算精度的影响；简述了ＣＩＥ关于三刺激值计算的有关规定；介绍了波长范围截短后产生的最大误差的计算方法，并在实际样品大量测试计算的基础上，选出２２个有代表性样品的测试计算结果。从中可看出一般样品的误差量值以及外插法校正后的效果。     

测量一阶电路时间常数的实验方案探讨

本文给出测量一阶电路时间常数的两种实验方法———暂态半值法和连续积分法。并指出两种测量方法各自适用的设备条件。     

提高RLC串联谐振中Q值的测量精度

对ＲＬＣ串联谐振实验给出了一种测试方法，较好地解决了品质因数Ｑ的测量值与计算值偏离较大的误差问题。     

加速器高频D电路Q值的计算与测量

 介绍了回旋加速器高频单D型盒D电路Q值的计算与测量方法。重点对Q值的理论计算进行推导，并对计算原理进行说明。然后对计算结果和测量结果进行比较。得出的计算和测量结果基本吻合。误差产生的主要原因是计算过程中的近似和短路片接触电阻的取值，其中短路片接触电阻是一个重要因素，在设计腔体时应引起足够的重视。     

单谐振腔外部Q值的计算方法

 通过对带有耦合器的单驻波腔进行等效电路分析，推导出可计算带有耦合波导的单谐振腔外部Q值的反射相位法，该方法通过计算不同频率的反射相位来确定谐振频率和外部Q值。详细叙述了在CST Microwave Studio中用谐振模式求解法、直接时域跟踪法和反射相位法进行计算的步骤；用这3种方法分别计算了二次发射微波电子枪的外部Q值并和实验测量结果做了比较。结果显示3种计算方法都有很高的精度,但反射相位法的速度最快，耗时1 071 s。计算发现外部Q值与耦合口长度的4.1次方成反比。     

MLS直线拟合中预测点的最佳值及不确定度计算和分析

利用MLS拟合在线进行预测时,预测点的最佳值及不确定度计算经常和拟合值的计算混淆,本文绘出了预测点的最佳值及不确定度计算方法,并分析了不确定度的分布特点,可以反过来指导定标。     

求复折射率波导本征值的打靶法

给出了求一维缓变复折射率波导本征值的打靶法，它是对求一维实折射率波导本征值的打靶法的推广，利用它可以分析增益或损耗对ＴＥ和ＴＭ模式的影响，并给出了计算实例。     

游标卡尺问题讨论

本文通过计算,给出了合理的计算游标卡尺分度值的数学表达式,通过误差与不确定度分析,对读数的有效数字位数做了详尽阐述,并提出了独特见解。     

石墨炉原子吸收光谱绝对分析法的实验特征质量值研究

本文在基本满足ＳＴＰＥ条件下测定了１２种元素的特征质量值，与理论计算值和Ｌ’ｖｏｖ得值相对比较约高一倍，利用ｍＯ，ｅｘｐ值，采用绝对分析法测定了人发和标样，并在干菜叶样中加入各种标准进行加标回收试验，结果都较令人满意，说明利用Ｍｏ，ｅｘｐ值，可在不同仪器和基本满足ＳＴＰＦ技术条件下实现绝对分析。     

中子输运方程中的α本征值计算

用多群Sn方法(离散纵标法)独立编制了α本征值计算程序,在一定程度上解决了次临界情形下α本征值计算遇到的困难,并对含空腔系统给出了一个简化处理模型.对标准问题的计算表明,该程序算法可靠,计算结果可信.     

自由配体分布系数对数图与光度法测定的最低pH值

从弱酸自由配体分布系数负对数与pH值的关系推导出光度法测定时溶液最小pH值的简便计算公式,并给出了计算光度法测定时适宜酸度范围的方法。     

二维耦合非线性谐振子的近似求解

利用自洽平均值方法计算二维耦合非线性谐振子的能量本征值,然后将基态能量本征值的计算结果与微扰法的计算结果进行比较,其结果是非常接近的.     

平面光波导本征值的精确解法及光场分析

提出了一种严格且精确的基于传播矩阵方法计算光波导的算法,可计算出光波导的本征值,并画出场分布曲线。本方法物理意义清晰,计算方便,适用于计算机编程,并可推广用于波长量级光器件的计算。     

夸克的真空凝聚值和张量感应率及参数化的夸克传播子

利用以前提出的参数化的夸克传播子， 计算了夸克的真空凝聚值和QCD真空的张量感应率。 结果表明， 张量感应率对不同味道的夸克的依赖是很明显的， 而几乎不依赖于夸克的真空凝聚值的变化。 但夸克凝聚值却明显地与积分的截断值有关， 即依赖于微扰区与非微扰区的分界线， 在常用的积分截断值1—2 GeV2之间计算得到的夸克凝聚值与文献中常用的值及其他理论的预言值是一致的。 理论预言的张量感应率也与其他理论结果相一致。     

有耗色散光子晶体带隙结构的本征值分析新方法

为计算有耗色散光子晶体的带隙结构,提出了新的本征值分析方法.该方法借助于量子输运问题中的思想,在本征值方程的推导过程中进行了巧妙的变换,将复杂的非线性本征值问题转化为线性本征值问题:并利用频域有限差分(FDFD)方法直接求解线性本征值方程,最终得到有耗色散光子晶体结构的相关物理参数.与其他方法相比,该方法的最大特点为概念清晰、计算简便,最终节省了计算时间及所需内存量.利用该方法,对介质光子晶体结构进行模拟,结果与传统FDFD方法符合较好,从而验证了方法的有效性.此外,利用所提方法计算了有耗色散光子晶体结构的色散曲线,得到了表面等离子波激发的区域,进一步讨论了损耗对其色散曲线及本征模场的影响.相关结果对色散有耗光子晶体的研究具有一定的理论指导意义.     

BEPCII超导腔高功率输入耦合器

北京正负电子对撞机重大改造工程（BEPCII）将采用超导高频系统,其超导高频加速腔采用同轴天线型高功率输入耦合器。在耦合器的设计中,理论模拟高功率输入耦合器的外部Q值非常重要,它可以为耦合器的优化设计、安装及测试提供理论参考依据。本文用一种时域分析的方法计算了BEPCII超导腔高功率输入耦合器的外部Q值,并与实验结果进行了对比,二者取得了良好的一致,误差度在10％以内。证明了该计算方法的正确性和可行性。同时,本文还对影响该耦合器外部Q值的几何参数进行了优化和研究。为同轴型高功率输入耦合器的设计提供了理论参考依据。     

温度场纹影定量测量技术

为了研究纹影系统的温度场定量测量技术,本文详细阐述了纹影技术的定量测量原理,并通过分析流场纹影图像灰度大小与未被遮挡的光源像面积的关系,提出了一种新颖的流场温度定量测量的计算方法。首先,在光学平台上搭建了透射式纹影系统,将加热平台放置在该系统的测量区域,利用CCD相机将采集到的纹影图像上传到上位机进行图像处理,然后采用该算法计算得到温度场的测量值,并与热电偶的测量值相对比。实验结果表明：在室温20℃时,将加热平台的温度分别设定为50℃和90℃,纹影系统测量得到的温度值相对误差小于10%,证明了该计算方法的可靠性,实现了以纹影技术为基础的温度场定量测量。     

双波长双峰值比光度法测定配合物组成比的原理

文章建立了一种测定配合物组成比的简易方法。从理论上严格地推导了双波长双峰值比法测定配合物组成比的理论计算公式,并依据大量实验数据加以验正。计算值与传统方法值相吻合。从原理上和实验中证明该方法切实可行。     

二氧化铀电子结构和弹性性质的第一性原理研究

本文采用第一性原理的方法系统研究了UO₂的晶体结构、电子结构和弹性性质. 在计算中采用广义梯度近似结合Hubbard U项描述电子的局域强关联效应. 首先通过计算能带带隙大小并与理论值比较的方法, 得到了合理的有效库仑相关作用能(U_eff)的取值, 同时通过态密度的计算, 进一步验证了U_eff取值的合理性. 计算得到UO₂中U原子的U_eff值为3.30 eV (U_eff=U-J, U=3.70 eV, J=0.40 eV). 应用此参数计算得到的UO₂晶格常数为5.54 Å, 带隙宽度为2.17 eV. 该结果优于目前现有的研究结果, 同时在同样的U_eff值条件下计算所得到的弹性常数与实验值也符合得较好. 相较于之前的基于实验测量并分析得到的U_eff值, 我们所采用的方法在对UO₂性质描述上更为准确. 不同的有效库仑相关作用能取值下的态密度结果表明, 有效库仑相关作用能的大小可以影响铀原子5f电子轨道的分布.     

基于半导体光放大器的一阶IIR微波光子学滤波器及其品质因素分析

对基于半导体光放大器(SOA)环形腔结构的一阶无限冲击响应(IIR)微波光子学滤波器的品质因数(Q值)进行了实验和理论研究. 通过在有源环内置入窄带光滤波器,并调节有源环的输入光功率、SOA抽运电流、实验得到的最高Q值接近200. 理论分析表明为了得到较高的Q值,应尽可能提高信噪比和信号光的环路增益. 在考虑了 SOA中放大的自发辐射(ASE)噪声的基础上,计算了输入光功率、SOA抽运电流、环内光滤波器的带宽对Q值的影响. 数值计算的结果与实验现象基 关键词： 微波光子学滤波器 Q值')" href="#">Q值 半导体光放大器 放大的自发辐射