Cs-Rb混合蒸气中Cs8D+Rb5S碰撞能量转移

在Cs—Rb混合蒸气中．两步激发Cs原子到8D态，观察了Cs8D Rb5S→Cs5D Rb5P碰撞能量合并逆过程(REP)。应用双调制技术探测Rb5P原子发射的荧光．基态Rb原子密度用光学吸收方法测量，得到REP率系数．讨论了其它过程对率系数的影响。     

Rb-Cs混合蒸气中Rb(5P)+Cs(5D)碰撞能量合并

测量了Rb-Cs混合蒸气中碰撞能量合并过程Rb(5P)+Cs(5D)→Rb(5S)+Cs(8D)速率系数,测量利用了已知速率系数的过程[即Cs(6P)+Cs(5D)→Cs(6S)+Cs(7D J)].利用激光光解Rb2和CS2分子,得到Cs(6P5D)和Rb(5P)态原子,探测由光解离产生的激发态原子与由碰撞转移产生的激发态原子的荧光的相对强度,结合Cs(6P)和Rb(5P)态的有效寿命,得到异核碰撞能量合并速率系数为54×1O-10 cm3/s.讨论了其它过程对速率系数的影响.     

钾7S态与基态铷原子的碰撞能量转移

在Ｋ－Ｒｂ混合蒸气中，使用Ｋ光谱灯和染料激光器，将Ｋ原子二步激发到７Ｓ态，用荧光法测量了过程Ｋ（７Ｓ）＋Ｒｂ（ＳＳ）→Ｋ（４Ｓ）＋Ｒｂ７２ＤＪ的碰撞转移截面。Ｒｂ７２ＤＪ对Ｋ７Ｓ的荧光比中含有Ｒｂ７２Ｄ能级混合的影响，第二个实验可以消除这个影响，利用Ｒｂ光谱灯和染料激光器产生Ｒｂ７２Ｄ３／２态，探测Ｒｂ７２Ｄ５／２对Ｒｂ７２Ｄ３／２的荧光比。在Ｔ＝４２５Ｋ时，得到Ｋ７Ｓ→Ｒｂ７２ＤＪ激发转移截面（１０－１４ｃｍ２单位）分别为２．０８±０．７７（＝３／２）和２．８６±１．０６（Ｊ＝５／２）。     

Cs（7DJ）＋Cs（6S1／2）间的碰撞能量转移

脉冲激光双光子激发Cs（6S1／2）到Cs（7Dj）态,在样品池条件下,利用原子荧光光谱方法研究了Cs（7Dj）＋Cs（6S1／2）的碰撞能量转移过程。利用三能级模型的速率方程分析,在不同的Cs（6S1／2）密度下,通过对直接荧光和转移荧光的时间积分荧光强度测量,得到了7D5／2→7D3／2精细结构转移截面为σ=（2．9±0．7）×10^-14cm^2。而碰撞转移到7Dj以外的猝灭截面分别为（7．4±2．1）×10^-14cm^2（对J=5／2）和（6．6±1．8）×10^-14cm^2（对J=3／2）。结合已有的实验结果,得到7DJ转移到8P态的截面分别为（0．6±0．3）×10^-14cm^2（对J=5／2）与（0．8±0．4）×10^-14cm^2（对J=3／2）。7D态主要是通过碰撞能量合并的逆过程[即7Dj＋6S→5D＋6P）猝灭。     

Cs(6P)激发态的辐射及与He碰撞的能量转移

利用激光吸收和荧光方法,测量了Cs(6P)态与He碰撞的精细结构转移和碰撞猝灭截面.Cs原子被激光激发到6P3/2态,将与抽运激光束反向平行的检测激光束调到6PJ→8S1/2的跃迁,测量6PJ激发态的密度及空间分布,由此计算了6PJ→6S的有效辐射率.T=337 K,He密度N在0.5×1018~4×1018cm-3范围内测量了6P1/2→6S1/2(895 nm)发射的敏化荧光强度I895.N/I895与N有抛物线型的关系,表明6PJ的猝灭是由于与He原子的碰撞产生的,而不是由与Cs基态原子碰撞产生的.由最小二乘法确定的二次多项式的系数得到6P态与He碰撞精细结构转移截面3σ/2→1/2=(1.46±0.51)×10-19cm2,猝灭截面σD=(2.28±0.80)×10-18cm2.     

Cs(6P)激发态的辐射及与Ne碰撞的能量转移

应用激光吸收和荧光方法,测量了Cs(6P)态与Ne碰撞的精细结构转移和碰撞猝灭截面.Cs原子被激光激发到6P3/2态,将与泵浦激光束反向平行的检测激光束调到6PJ→8S1/2的跃迁,测量6PJ激发态的密度及空间分布,由此计算了6PJ→6S的有效辐射率.在T=337 K和Ne密度0.5×1018＜N＜4×1018cm-3范围内测量了6P1/2→6S1/2(895 nm)发射的敏化荧光强度I895,量N/I895与N有抛物线型的关系,表明6PJ的猝灭是由于与Ne原子的碰撞产生的,而不是由与Cs基态原子碰撞产生的.由最小二乘法确定的二次多项式的系数得到6P态与Ne碰撞精细结构转移截面σ21=(1.90±0.82)×10-19 cm2,猝灭截面σD=(8.97±3.85)×10-19 cm2.     

Cs(7DJ)+H2的反应与非反应碰撞转移截面的测定

利用激光泵浦-吸收技术,研究了在样品池中的Cs(7D_J)+H₂→CsH[X¹∑+(v″=0)]+H光化学反应过程。双光子激发Cs-H₂混合蒸气中Cs原子至7²D态,荧光中除有泵浦能级发生的直接荧光外,还包含由精细结构碰撞转移产生的敏化荧光,CsH分子是由7D原子与H₂间的三体碰撞反应产生的。利用780 nm激光测量了CsH X¹∑+(v″=0→v″=21)吸收带。△Ⅰ′和△Ⅰ″分别表示泵浦7D_3/2和7D_5/2时的吸收光强。解速率方程组,得到7D_3/2→7D_5/2和7D_5/2→7D_3/2精细结构转移截面分别为(1.3±0.3)×10^-14和(9.8±2.0)×10^-15cm²。从7D_J碰撞到7D以外态的截面分别为(4.0±1.0)×10^-15(对J=3/2)和(3.6+0.9)×10^-15cm²(对J=5/2)。Cs(7D_J)+H₂→CsH+H的反应截面分别是(1.4±0.5)×10^-16(J=3/2)和(1.1±0.4)×10^-16cm²(J=5/2),7D_3/2与H₂的反应活动...更多性大于7D_5/2。     

高振动激发态KH(X1Σ+, V=14-21)与CO2碰撞中的振动-转动能量转移

利用泵浦-探测技术研究高振动激发态KH(V=14-21)分子与CO2的振动-转动碰撞转移过程。脉冲激光激发KH分子至高位振动态，与CO2发生振动-转动能量转移，使CO2高位转动态得到布居，通过测量CO2(0000，J)转动态分布，得到其平均转动能和平均转动能变化，发现振动量子数V从14增加至21时，CO2平均转动能变化增加了2.33倍；测量CO2转动能级的多普勒增宽吸收线，得到V=14和20时，其获得的平均平动能大体随J增大而线性增大；最后，在单一碰撞条件下，测量KH(V=14-21)与CO2(0000，J)的振动-转动碰撞能量转移速率系数，结果显示V=19的总碰撞速率系数是V=14的4.5倍，而V>19则呈下降趋势。     

Rb(5D,7S)+H2→RbH+H光化学反应截面的测定

研究了在Rb-H2混合样品池中产生的Rb(5D,7S) H2→RbH H光化学过程,RbH分子是由Rb(5D,7S)原子与H2间的三体碰撞反应产生的。利用双光子吸收将Rb(5S)基态原子激发到5D或7S态,荧光中除由泵浦能级发射的直接荧光外,还包含有由于碰撞转移而产生的敏化荧光,相对荧光强度给出了能级布居数之比。解速率方程组,得到5D→7S和7S→5D碰撞转移截面分别为(6.9±1.4)×10-17和(2.1±0.4)×10-16cm2,Rb(5D) H2→RbH H和Rb(7S) H2→RbH H的反应截面分别为(4.3±1.1)×10-17和(5.8±1.5)×10-17cm2。7S与H2反应活动性大于5D与H2反应的活动性。     

Triplet Exciton Confinement in Green Organic Light‐Emitting Diodes Containing Luminescent Charge‐Transfer Cu(I) Complexes

The temperature dependence of luminescence from [Cu(dnbp)(DPEPhos)]BF₄ (dnbp = 2,9‐di‐n‐butylphenanthroline, DPEPhos = bis[2‐(diphenylphosphino)phenyl]ether) in a poly(methyl methacrylate) (PMMA) film indicates the presence of long‐life green emission arising from two thermally equilibrated charge transfer (CT) excited states and one non‐equilibrated triplet ligand center (³LC) excited state. At room temperature, the lower triplet CT state is found to be the predominantly populated excited state, and the zero‐zero energy of this state is found to be 2.72 eV from the onset of its emission at 80 K. The tunable emission maximum of [Cu(dnbp)(DPEPhos)]BF₄ in various hosts with different triplet energies is explained in terms of the multiple triplet energy levels of this complex in amorphous films. Using the high triplet energy charge transport material as a host and an exciton‐blocking layer (EBL), a [Cu(dnbp)(DPEPhos)]BF₄ based organic light‐emitting diode (OLED) achieves a high external quantum efficiency (EQE) of 15.0%, which is comparable to values for similar devices based on Ir(ppy)₃ and FIrpic. The photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) performance of green emissive [Cu(μI)dppb]₂ (dppb = 1,2‐bis[diphenylphosphino]benzene) in organic semiconductor films confirmed its ³CT state with a zero‐zero energy of 2.76 eV as the predominant population excited state.