新型不对称四硫代富瓦烯导电LB膜的研究

新型不对称四硫代富瓦烯导电ＬＢ膜的研究李洪启姚钟麒刘丹谭干祖俞贤达（中国科学院兰州化学物理研究所７３００００）Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔ（ＬＢ）技术已成为制备分子厚度的有序导电薄膜的有力工具，该领域中四硫代富瓦烯（ＴＴＦ）衍生物是导电ＬＢ膜的研...     

四硫富瓦烯(TTF)衍生物的配位组装

四硫富瓦烯（tetratiafulvalenc,TTF)衍生物和二硫纶（dithiolene)化合行等有机富硫分子作为有机光电磁的功能化合物,一直受到了人们的重视,近年来一类融合了TTF和二硫纶结构的扩展TTF衍生物引起人们很大的兴趣,这类八硫共轭体系具有较好的电子授受特性,展示出潜在的应用价值。有目的地利用它与与金属离子间较强的配位能力对这些化合物进行晶体或分子设计已成为配位化学在富硫有机配合物研究中的一个热点。本文重点介绍这方面的研究的最新进展。主要包括以卤化亚铜基本骨架为基础的四烷基硫取代四硫富瓦烯（[(RS)2TTF(SR)2])的配位组装;二烷基硫取代的TTF融合二硫纶离子（[(RS)2TTF(S2)]^2-)和TTF融合双二硫纶离子（[(S)2TTF(S)]^4-金属配位衍生物的分子设计和空间构筑。通过配位修饰或组装,这类TTF金属衍生物显示了多变的结构,有的已发展具有较好的物理性质。     

二-(亚乙基-二硫)-四硫富瓦烯侧基聚合物的合成及表征

二 （亚乙基 二硫） 四硫富瓦烯侧基聚合物的合成及表征秦伟朱道本（中国科学院化学研究所有机固体开放研究实验室北京１０００８０）关键词聚乙炔，导电性，ＥＴ衍生物自８０年代初期发现第一个有机超导体以来，至今已发现了近５０种有机超导体［１］，超导转变温度...     

四硫富瓦烯四硫醇(ttftt~(4-))Zn盐配位高分子化合物的合成、表征及性能

在绝对乙醇介质中制备出 2个系列四硫富瓦烯四硫醇 ttftt4- ( tetrathiafulvalene tetrathiolate) Zn盐的配位高分子化合物 ,其组成分别为 [( Zn-ttftt) Mx]n( M=Mn,Co,Ni,Cu,Hg;x=0 .3,0 .4 ,0 .5 ,1 .3,0 .7)及[( Zn-ttftt) Lny]n( Ln=La,Er,y=0 .5 ;Ln=Nd,Eu,y=0 .6) .化合物在室温下均为在空气中稳定的黑色无定形粉末状固体 .用红外光谱及 X射线光电子能谱对化合物进行了表征 ,并进行了元素分析、热分析和电导率测定 . 2 5℃时 ,化合物均为典型半导体 .化合物 [( Zn-ttftt) Ni0 .5· 1 .9Et OH]n 的室温电导率高达 3.6S/cm     

金纳米簇-多金属氧酸盐复合物的制备及催化选择性氧化环已烯性能研究

通过4-N,N二甲基胺基吡啶和多金属氧酸负离子形成的复合载体稳定金纳米颗粒,制得金纳米簇-多金属氧酸盐的复合物.复合物的组成以及金纳米颗粒的分布状态由XPS和TEM表征.利用多金属氧酸和金纳米颗粒的相互协助作用,使得这类复合物是一种优异的低温选择性氧化催化剂.     

四硫富瓦烯四硫醇(ttftt4-)Zn盐配位高分子化合物的合成、表征及性能

过渡金属;四硫富瓦烯四硫醇(ttftt4-)Zn盐配位高分子化合物的合成、表征及性能     

缺位的Wells-Dawson型磷钨酸盐和Eu(Ⅲ)构筑的一维链状多金属氧酸盐化合物

在水溶液条件下以六缺位的[H2P2W12O48)]12-和Eu髥为反应前躯体得到了1个新的多金属氧酸盐化合物[Eu3(H2O)17(α2-HP2W17O61)].5H2O(1),对其进行了元素分析、红外光谱、热重、荧光等表征,并用X-射线单晶衍射测定了它的晶体结构。化合物1含有双支撑的多阴离子簇[{Eu(H2O)7}2{Eu(H2O)3(α2-P2W17)}2]8-,并进一步通过Eu髥连接形成了延c轴方向的一维链。室温条件下的荧光光谱研究表明:化合物1显示了强的红光发射。     

以钛酸异丙酯为原料合成ti(ⅳ)取代的keggin型多金属氧酸盐

多金属氧酸盐;keggin结构;ti(ⅳ)取代;钛酸异丙酯     

有机-无机多金属氧酸盐[CTMA]_6SiW_(11)NiO_(39)的合成及其光催化性能研究

多金属氧酸盐(POM)是指由多金属杂原子按一定的结构通过氧原子配位桥联而成的一类化合物的总称,按照阴离子结构可将其分为Keggin、Dawson、Anderson、Waugh等多种类型[1].     

固定有四硫富瓦烯.四氰基奎诺二甲烷的杂聚吡咯膜微葡萄糖电极

铂比互铂化处理后，形成疏松，粗糙的表面，将四硫富瓦烯－四氰基奎诺二甲烷导电有机盐入到铂化的铂黑微粒中。将３－羰基丁酸吡咯与吡咯按适当的比例在其表面用电化学聚合方法，将葡萄糖氧化酶固定于聚合形成的杂聚膜中制成微酶电极。该微酶电极测定时几乎不受氧分压影响，灵敏度高，响应快。     

铈、锂盐对铝阳极氧化膜的协同封闭作用

研究了铈、锂盐在铝阳极氧化膜封闭处理中的协同作用.场发射扫描电镜和X射线衍射谱对铈、锂盐协同封闭前后铝阳极氧化膜形貌和结构的研究结果表明，封闭后膜表面的孔洞消失，封闭产物分布均匀，封闭后膜仍然以非晶态形式存在.根据X射线光电子能谱的结果，封闭后的膜主要由含结晶水的Al2O3及铈、锂的混合氢氧化物组成，同时膜中还含有及封闭溶液组分中的一些阴离子.电化学阻抗谱的研究结果表明铈、锂盐协同封闭能够显著提高膜的耐蚀性能.在实验结果基础上，初步认为铈、锂盐封闭是通过生成结构紧密的封闭产物填充、覆盖膜孔，从而显著提高铝阳极氧化膜的耐蚀性能.     

Synthesis, Structure and Conductivity of the New Charge-transfer Salt (ET)_2(CH_2=CH-CH_2-SO_3)·H_2O

ET is one of the most famous electron-donor molecules, which forms charge-transfer complexes (abbr. CT-complexes) with various types of counterions. These complexes have received intense attention because a wide range of physical properties such as conductivity and superconductivity1, ferromagnetism2-4 and nonlinear optical properties5 was found in these materials. Although the majority of the ET-based CT-complexes were prepared by combining with inorganic counterions, CT-complexes with o…     

电荷转移盐(C_3H_5N_2H)_3[PMo_(12)O_(40)]的合成与热分解及光致变色反应动力学

用磷钼酸与咪唑合成了一种新的杂多酸-有机电荷转移盐(C3H5N2H)3[PMo12O40]。通过元素分析、红外光谱、固体漫反射光谱、电子自旋共振及热分析等测试技术对其进行了表征,用单扫描法(Achar法和Coats-Redfern法)对合成化合物的TG分析结果进行了非等温热分解动力学研究。推断结果表明,合成化合物的第1步热分解为球对称的三维扩散机理(n=2),其动力学方程为dα/dt=1.58×108[1-(1-α)1/3]-1(1-α)2/3exp(-40931.0/T),求得分解反应的表观活化能E=340.30kJ/mol,指前因子A=1.05×108s-1。标题化合物对紫外光具有光致变色性质,用固体漫反射光谱研究了其光致变色反应动力学。结果显示,其光致变色反应表现为一级或准一级动力学,速率常数k=9.80×10-5s-1。     

双偶极半菁染料/多金属氧酸盐自组装膜的制备及其光电转换性质

通过交替吸附多金属氧酸盐K10P2W18Cd4(H2O)2O68(P2W18Cd4)和双偶极半菁染料(H6),制备了一种无机-有机杂化的自组装薄膜(P2W18Cd4/H6)n,通过紫外可见光谱和光电化学对薄膜进行了研究.结果表明,P2W18Cd4/H6自组装多层膜可被均匀沉积,层数可控,薄膜中半菁染料在可见区的吸收发生红移,并且薄膜能产生稳定的、较强的光电信号.研究了偏压、电子给体和电子受体对薄膜光电转换性质的影响.     

Observation of Organic Thin Film Surface by Atomic Force Microscopy

The 8-hydroxyquinoline neodymium(Ndq3) organic thin films deposited on the cleaned indium/tin oxide (ITO) at different deposition rates with the same vacuity (133.3×10^-5 Pa) were revealed by atomic force microscopy (AFM). Organic devices with one layer of Ndq3 as the e-type conductive material at different deposition rates sandwiched between ITO and aluminum electrodes have been fabricated. respectively. Evidence suggests that the current-voltage (I-V) characteristics were determined by the uniformity of organic film which was controlled by the deposition conditions.     

兼具非线性光学和热释电性能的有机-无机杂化薄膜

用溶胶-凝胶法和原位加热极化聚合法制备了以4-[N,N-二-(二羟乙基)氨基苯基]-2,4-二-(4,4-二硝基苯基)咪唑(4HAPN)为生色团,以Ta(Ⅴ)的金属醇盐为无机前驱体的有机-无机杂化聚合物材料.用二次谐波产生技术和数字电荷积分法测得极化薄膜的二阶非线性光学系数d₃₃为17.2pm/V,平均热释电系数为4.3×10^-6C/(cm²·K).     

Electrochemical Synthesis of a Microporous Conductive Polymer Based on a Metal–Organic Framework Thin Film

A new approach to preparing 3D microporous conductive polymer has been demonstrated in the electrochemical synthesis of a porous polyaniline network with the utilization of a MOF thin film supported on a conducting substrate. The prepared porous polyaniline with well‐defined uniform micropores of 0.84 nm exhibits a high BET surface area of 986 m² g^?1 and a high electric conductivity of 0.125 S cm^?1 when doped with I₂, which is superior to existing porous conducting materials of porous MOFs, CMPs, and COFs.     

Organic Thin Film Transistors Based on 2,3‐Dimethylpentacene and 2,3‐Dimethyltetracene

2,3‐Dimethylpentacene (DMP) and 2,3‐dimethyltetracene (DMT) were synthesized, characterized and employed as the channel material in the fabrication of thin‐film transistors. The two methyl groups increase the chemical stability of the compounds versus the pristine acene analogues. The crystals maintain herringbone‐like molecular packing, whereas the weak dipole associated with the unsymmetrical molecule induces an anti‐parallel alignment among the neighbors. This structural motif favors layered film growth on SiO₂/Si surface. Thin film transistors prepared on SiO₂/Si and n‐nonyltrichlorosilane‐modified SiO₂/Si at different substrate temperatures were compared. DMP‐based transistors prepared on rubbed n‐nonyltrichlorosilane‐modified SiO₂/Si substrate gave the highest field‐effect mobility of 0.46 cm²/Vs, whereas DMT‐based transistor gave a mobility of 0.028 cm²/Vs.     

n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能

在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2 nm厚的N,N-bis（2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl） -1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic diimide（NTCDI^-C8F）和N,N’-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide （PTCDI^-C8）层后,器件的阈值电压由-19.4 V显著降低到-1.8和-8.7 V、迁移率提高了约2倍、电流开关比保持在10⁵~10⁶。这为通过简单地在电极和有机半导体有源层之间引入其他有机半导体薄层的方法来构建具有低阈值电压和高迁移率特征的有机薄膜场效应晶体管器件提供思路。