聚甲苯胺蓝-(多壁碳纳米管/PDDA)_n杂化膜修饰印刷电极的制备及其对NADH的测定

利用静电层层组装的方式在印刷电极表面制备了(多壁碳纳米管/邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯(PDDA))n多层膜,采用电位扫描电聚合法在修饰有多层膜的印刷电极表面聚合甲苯胺蓝,制备了聚甲苯胺蓝-(多壁碳纳米管/PDDA)n杂化膜修饰电极。扫描电镜实验表明,多壁碳纳米管均匀分布在杂化膜中,且多壁碳纳米管的掺杂使杂化膜表现出明显的多孔性。电化学实验表明,杂化膜具有良好的导电性且多壁碳纳米管的掺杂显著增加了聚甲苯胺蓝在电极表面的担载量,提高了检测灵敏度。在pH7.4的磷酸盐缓冲液中,杂化膜修饰电极对β-烟酰胺腺嘌呤二核苷酸(NADH)的氧化具有良好的催化作用,与裸电极相比氧化电位降低了560 mV,灵敏度明显提高。在8.7×10-8~1.3×10-4mol/L范围内,NADH的浓度与氧化电流呈线性关系,检出限为2.8×10-8mol/L,该修饰电极可用于NADH的测定。     

百里香酚在聚甲苯胺蓝/多壁碳纳米管修饰电极上的电催化氧化动力学研究

采用电聚合、滴涂及多层修饰方法制备了4种修饰电极,百里香酚在几种修饰电极上均是不可逆电氧化反应,其中聚甲苯胺蓝/多壁碳纳米管修饰电极的电催化效果最佳,过电位降低了111mV,氧化峰电流增大了5倍。在pH为7.69的PBS溶液中,百里香酚在聚甲苯胺蓝/多壁碳纳米管修饰电极上是电子转移数和质子数均为1的扩散控制不可逆电氧化过程,扩散系数D=4.8470×10-4cm2/s,电极有效面积A=0.0383cm2。氧化峰电流ip与浓度c在9.0×10-6～5.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系:ip(A)=-3.781×10-5-0.0491c(mol/L),相关系数R=-0.9958,样品测定回收率为96.88%～101.50%。     

多壁碳纳米管-聚茜素红膜修饰电极测定多菌灵

制备了多壁碳纳米管-聚茜素红膜(MWNT-PAR)修饰电极,用循环伏安法和线性扫描伏安法、计时电量法等研究多菌灵在修饰电极上的电化学行为.结果表明,多菌灵在MWNT-PAR修饰电极上是扩散控制的不可逆电氧化过程.实验测定了部分电极过程参数,并发现多菌灵氧化峰电流的一阶导数值与其浓度在5.0×10~(-6)～1.0×10~(-4) mol/L范围内呈线性关系,回归方程为:I_p ′(A)=-3.112×10~(-6)-1.198c(mol/L),R=-0.9953,其检出限为2.0×10~(-7) mol/L,回收率为99.0%～105.6%.     

碳纳米管／壳聚糖修饰电极的制备及其对NADH的电催化氧化

本文用浓硝酸活化多层碳纳米管,将壳聚糖与活化后的碳纳米管制备成复合材料,并将其滴涂于玻碳电极表面,制备出烟酰胺腺嘌呤二核苷酸(NADH)的电化学传感器。采用循环伏安法研究了该传感器的电化学性质以及对NADH的电催化氧化行为。实验结果表明,NADH在该电极上于 0.37V(vs.SCE)左右出现一氧化峰,与未修饰的玻碳电极相比,该修饰电极明显降低了NADH的氧化峰电位,消除了反应中间产物对电极表面的污染问题。对实验条件进行了优化,建立了碳纳米管/壳聚糖修饰电极微分脉冲伏安法测定NADH的方法。本文方法具有较好的重现性和选择性,对NADH检测的线性范围为1.0×10-4~9.0×10-3mol/L,检测限为9.2×10-5mol/L。     

多壁碳纳米管修饰电极的制备及其应用

研究了多壁碳纳米管修饰电极的制备方法及其对水飞蓟宾的电催化作用。利用循环伏安法和线性扫描法在乙醇-磷酸盐缓冲溶液中(pH=5.56)研究了水飞蓟宾的电化学特性。水飞蓟宾在多壁碳纳米管修饰电极上,于0.64 V处有一不可逆氧化峰,用线性扫描法建立了其定量方法,线性范围为2.0×10-6~1.0×10-4mol/L,检出限为4.4×10-7mol/L。利用该电极建立了水飞蓟宾的定性、定量方法,该法简便、快速、灵敏。     

聚次甲基蓝-多壁碳纳米管修饰玻碳电极测定叶酸

利用电聚合方法制备了聚次甲基蓝/多壁碳纳米管修饰玻碳(PMB/MWCNTs/GC)电极,该修饰电极对叶酸(FA)具有良好的电催化作用。结果表明,在最佳实验条件下,叶酸在-0.51V处的还原峰电流与其浓度在3.4×10-6～1.1×10-4 mol/L之间呈良好线性关系,检出限为1.6×10-6 mol/L。用标准加入法做了回收实验,回收率在90.8%～101%之间。该电极制备简单,有良好的稳定性。     

普鲁士蓝/多壁碳纳米管修饰电极测定维生素C

利用电化学方法在多壁碳纳米管修饰的玻碳电极表面聚合一层普鲁士蓝,制备普鲁士蓝/多壁碳纳米管修饰玻碳电极,运用循环伏安法研究了维生素C(vc)在该修饰电极上的电化学行为.该修饰电极对Vc显示出快速的电化学响应和较好的电催化活性,在pH为4.0的磷酸盐溶液中,Ve浓度与其氧化峰电流在8.0×10-4～1.0×10-2 mol/L范围内呈现良好的线性关系,相关系数为0.9993,检测限为6.4×10-5mol/L.该电极具有较好的稳定性和重现性.     

普鲁士蓝-多壁碳纳米管复合材料修饰电极测定过氧化氢

利用电化学方法在多壁碳纳米管(MWCNT)修饰的玻碳电极表面聚合一层普鲁士蓝(PB)(PB/MWCNT/GCE),制备了一种新型的过氧化氢(H2O2)传感器。研究了该传感器对H2O2的电催化作用。讨论了支持电解质种类、酸度、修饰层厚度、电位和扫速等对H2O2响应的影响。研究表明,该传感器在以1.0mol/L KCl为支持电解质的磷酸盐溶液(pH=2.0)中,对H2O2具有明显的催化效应,测定的线性范围变宽,在2.9×10-6~8.8×10-2mol/L范围内还原峰电流与H2O2的浓度呈良好的线性关系,相关系数为0.9949;检出限为1.4×10-6mol/L。该电极用于医用消毒水中H2O2的测定,结果令人满意。     

多壁碳纳米管修饰玻碳电极上绿原酸催化氧化谷胱甘肽

制备了纳米Au-多壁碳纳米管复合材料修饰玻碳电极(Au-MWCNTs/GCE),研究了还原型谷胱甘肽(GSH)在该修饰电极上以绿原酸(CGA)为介质的电催化氧化行为。用透射电镜对MWCNTs和Au-MWCNTs进行了表征,结果显示Au纳米粒子均匀地负载在MWCNTs上。电化学测试表明,在磷酸盐缓冲溶液(pH=6.0)中CGA对GSH具有良好的催化作用,用差分脉冲伏安法(DPV)测得GSH氧化峰电流与其浓度在0.1~5.0μmol/L和5.0~30.0μmol/L范围内呈良好线性关系,检测限(S/N=3)为0.034μmol/L。将该方法用于滴眼液中GSH含量的测定,回收率范围为98.0%~102.0%。     

阿魏酸聚合修饰玻碳电极的制备及其对NADH的催化氧化

研究了阿魏酸修饰电极的制备、性质及对NADH的电催化作用.该电极在0.1mol/L磷酸缓冲溶液(pH=6.60)中,于-0.1～+0.50V(vs.Ag/AgCl)电位范围内呈现一对氧化还原峰,其式量电位E₀为+0.188V(vs.Ag/AgCl),且E₀随pH增加而负向移动.电子转移系数为0.496,表观电极反应速率常数(ks)为6.6s^-1.电极反应的电子数为1且有1个质子参与.该修饰电极对NADH氧化具有很好的催化作用.在NADH存在下,电极过程由扩散控制,扩散系数为1.76×10^-6cm²/s.NADH浓度在0.01～5.0mmol/L范围内与峰电流呈现良好的线性关系.通过计时安培法测得催化速率常数为6.82×10³mol^-1·L·s^-1.     

聚2,6-吡啶二甲酸/多壁碳纳米管修饰电极的电催化性能

研制了一种聚2,6-吡啶二甲酸/多壁碳纳米管(PPDA/MCNT)复合修饰电极。该电极以中性KC l溶液为底液,在玻碳电极上以多壁碳纳米管(MCNT)作掺杂剂,通过电聚合2,6-吡啶二甲酸(PDA)而制得。该修饰电极对多巴胺(DA)有很强的电催化氧化作用。在磷酸盐缓冲液(pH 7.2)中,与碳纳米管修饰电极相比,DA的氧化峰电位降低约30 mV。利用线性扫描伏安法(LSV)测定,DA在9.0×10-8~8.0×10-6mol/L浓度范围内,其峰高与浓度呈线性关系;检出限为5.0×10-8mol/L,并可避免AA、UA对测定产生干扰。     

抗坏血酸在多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的催化氧化

多壁碳纳米管;抗坏血酸;修饰电极;电催化;伏安法     

烟酰胺辅酶在聚甲苯胺蓝膜修饰的玻碳电极上的电催化氧化

用循环伏安法在玻碳电极上电沉积一层稳定的甲苯胺蓝聚合物膜 ,研究了这层膜在 0 .2mol/L磷酸缓冲溶液 (pH 6 .86 )中的电化学性质 ,并且考察了该膜修饰的玻碳电极对烟酰胺辅酶 (NADH)的电催化作用 ,用旋转圆盘电极测量了NADH在该修饰电极上的催化反应常数。实验发现 ,在该修饰电极上 ,NADH氧化峰电位比未修饰的玻碳电极负移了 4 5 0mV ,且其催化反应速率常数为 3.5× 10 3 L·mol-1·s-1,说明聚甲苯胺蓝膜对NADH有良好的电催化作用     

聚硫堇修饰微带金电极的性质及对NADH的催化氧化

报道了硫堇在微带金电极上的电化学聚合过程，用红外光谱对聚硫堇进行了表征；研究了聚硫堇的电化学性质，发现聚硫堇在＋０．５～－０．７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）电位范围内有两对氧化还原峰，峰电位分别为：Ｅ＝－０．０３Ｖ、Ｅ＝０．０５Ｖ，Ｅ＝－０．２４Ｖ、Ｅ＝－０．１７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。它们的式量电位Ｅ~（ｏ＇）随ｐＨ而变化，在弱酸性溶液中，Ｅ~（ｏ＇）／ｐＨ为－２９ｍＶ／ｐＨ（２５℃）；而在弱碱性溶液中则为－５６ｍＶ／ｐＨ。聚硫堇修饰微带金电极对ＮＡＤＨ的氧化具有催化作用，文中对电催化过程进行了探讨。     

多壁碳纳米管修饰金膜电极的制备及其在血清As(Ⅲ)测定中的应用

报道了一种可抛弃型血砷电化学传感器的制备方法。该传感器以投影胶片(PET)作为载体,基于原位生长的方法,制备具有良好电化学性能的柔性Au膜基底电极,然后采用简单的滴涂成膜方法在其表面修饰多壁碳纳米管(MWCNTs)。在3mol/L HCl中,所制备的MWCNTs修饰Au膜电极对As(Ⅲ)的电化学氧化表现出灵敏的响应。在优化检测条件下,As(Ⅲ)在0.16V处的氧化峰电流与其浓度在20~100μg/L范围内呈现良好的线性关系,其检测限可达10μg/L。该血砷电化学传感器具有良好的重现性和稳定性,已成功应用于临床血样中As(Ⅲ)的直接电化学检测。     

聚硫堇/石墨烯复合材料修饰电极对NADH的电催化氧化研究

采用循环伏安法将硫堇在石墨烯修饰的玻碳电极表面聚合,得到了一种新的聚硫堇/石墨烯修饰电极,此电极兼备了石墨烯和聚硫堇的特性.实验表明:该修饰电极能有效降低NADH的过电位;对NADH的检测范围为2.4×10~(-6)~4.89×10~(-3) mol·L~(-1);检出限为6.826×10~(-7) mol·L~(-1);对尿酸和抗坏血酸的干扰有很好的消除作用;此电极稳定性、重现性较好,有很高的实际应用价值.     

聚吡咯／多壁碳纳米管修饰电极对多巴胺的测定

制备了聚吡咯/多壁碳纳米管(PPy/MWNT)复合膜修饰电极。研究了神经递质多巴胺(DA)在该修饰电极上的电化学行为。实验表明,PPy/MWNT复合膜修饰电极对DA的电催化作用优于PPy修饰电极。在pH=4.10的0.2mol/L醋酸-醋酸钠缓冲溶液中,DA在该修饰电极上的CV曲线于0.31V和0.28V处出现一对灵敏的氧化还原峰,峰电位差△Ep比裸玻碳电极降低58mV,比PPy修饰电极降低28mV,峰电流显著增加。氧化峰电流ipa与DA浓度在1.0×10-4~7.8×10-8mol/L范围内呈良好的线性关系,线性回归方程为ip(μA)=0.2512 1.2300C(×10-5mol/L),相关系数r=0.9992,检出限为3.9×10-8mol/L。常见物质对DA的检测无干扰,DA注射液样品检测回收率为94%~104%。     

掺杂多壁碳纳米管改性聚溴甲酚绿膜修饰电极的制备、表征与应用研究

研究了掺杂多壁碳纳米管(MWNT)改性聚溴甲酚绿膜(PBG),以不同修饰方法制备了4种修饰电极,用扫描电镜、交流阻抗及循环伏安法等对电极进行表征。结果表明:4种修饰电极的电活化面积均得到明显提高,其中以层层修饰制备的聚溴甲酚绿膜/多壁碳纳米管复合膜(PBG/MWNT/GC)电极最能发挥MWNT和PBG的电活性。将电极用于8-羟基喹啉(8-HQ)电化学行为的研究,结果表明:4种修饰电极的伏安响应明显提高,且8-HQ在PBG/MWNT/GC上的氧化峰电位负移最多,峰电流最大,约为裸玻碳电极的4.5倍,电催化作用显著增强。8-HQ在PBG/MWNT/GC上电极反应的电子转移数和质子数均为1,是吸附控制的不可逆电氧化过程,氧化峰电流Ip与浓度c在4.0×10-6～3.5×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,r=-0.997 2,检出限(S/N=3)为1.96×10-8mol/L。PBG/MWNT/GC修饰电极可实现8-HQ的快捷、简便测定。     

酪氨酸在聚5-磺基水杨酸/多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为及其测定

用不同方法制备了四种修饰电极,酪氨酸在聚5-磺基水杨酸/多壁碳纳米管电极上的电化学响应明显优于裸玻碳电极和其他修饰电极.运用多种电化学方法研究了酪氨酸在电极上的电化学行为,结果表明:酪氨酸在电极上的反应是电子数和质子数均为1的扩散控制的不可逆氧化过程,氧化峰电流与酪氨酸的浓度在9.0×10-6～2.0×10-4mol/L的范围内呈良好的线性关系,IP(A)=-1.61×10-9-2.54×10-4c(mol/L),相关系数R=-0.9950,检出限为6.0×10-6mol/L.平均回收率为99.53％.     

多壁碳纳米管-Nafion膜修饰铂电极的电化学性质

使用多壁碳纳米管(MWCNTs)和Nafion溶液制备了多壁碳纳米管-Nafion膜修饰的铂电极。运用扫描电子显微镜(SEM)对多壁碳纳米管、Nafion膜、多壁碳纳米管-DMF膜和多壁碳纳米管-Nafion膜进行了形貌表征。通过电化学系统研究了铁氰化钾在多壁碳纳米管-Nafion膜修饰电极、多壁碳纳米管-DMF修饰电极以及未修饰铂电极的表面电化学行为。结果显示,多壁碳纳米管-Nafion膜修饰的电极对铁氰化钾有显著的电化学增强作用,于0.185 V处形成了一个尖锐的还原特征峰,比未修饰的铂电极还原峰增强近8.7倍;在0.231 V处形成了一个较强的氧化特征峰,比未修饰的铂电极氧化峰增强近2.7倍。由于多壁碳纳米管的比表面积大,利用其与Nafion修饰的电极能增强电子传输效率,使测定的峰电流增大,从而提高灵敏度,有助于检测低浓度物质。进一步研究发现,铁氰化钾在未修饰的铂电极表面反应为可逆反应,而在MWCNTsNafion膜修饰后的电极表面反应为不可逆反应。