LPE Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结缺陷研究

本文用熔融KOH化学择优腐蚀,金相显微镜,扫描电镜阴极荧光研究了液相外延生长的Ga_(1-x)AlxAs/GaAs中位错的延伸和分布.观察到异质结Ga_(1-x)AlxAs/GaAs中位铅延伸和密度分布与界面成分值x有关.在一定x值范围内,观察到界面层中存在位错网络,这种位错网络对衬底位错向外延层延伸有抑制作用.在此x值范围内外延层是无位错的.用高压透射电镜观察位错网络的平面和剖面分布特征,并对网络形成机理进行了定性讨论.     

掩蔽与选择性热氧化条形GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs DH激光器的偏振特性

本文研究具有掩蔽和选择性热氧化(MSTO)结构条形GaAs-Ga_(1-x)Al_xAsDH激光器的偏振特性,发现这类器件同时输出强度相近、相位无关的TE和TM模,不同于通常的半导体激光器主要是TE模输出的情况。本文从激光器有源区内应力分布和光弹性效应的观点,对此异常的偏振特性作出了定性解释。     

Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs DH 激光器的质子轰击研究

质子轰击条形DH激光器,通常我们采用常规的液相外延方法来制造。一般在n-GaAs衬底材料上生长Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs五层DH结构。n面衬底上的接触电极用AuGeNi合金化形成;p-GaAs顶层上则先扩散锌,蒸发Cr-Au。对质子束的掩蔽     

Ga_(1-x)Al_xAs DHLED的讨论

本文参照国外研制的几种具有代表性的光纤通信光源——双异质结发光二极管(DHL-ED),结合我们研制工作中的体会,分析了 DHLED 的结构,载流子限制,输出功率,截止频率,波长和谱宽。选择了一种较为合理的结构,功率效率高,其有用功率占80%以上。并对这种结构的特点以及提高 DHLED 性能,改进线性度进行了考虑。     

GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结发光二极管退化的研究

作为光通信系统的光源发光二极管(LED)具有价廉、可靠和发射功率随温度变化不大等优点,所以在很多系统中得到广泛应用。为了实现可靠的光通信系统,GaAs-Ga_(1-α)Al_αAsLED在高电流密度下工作时的退化是近年来国际上颇感兴趣的研究课题之一。本文研究了小面积高辐射度GaAs-Ga_(1-α)Al_αAs双异质结(DH)LED的退化现象,讨论退化的几种形式和可能的原因,提出了影响退化的主要因素和改进意见。一、实验方法实验所用的小面积高辐射度GaAs-Ga_(1-α)Al_αAs发光二极管是双异质结构。双异质结材料由液相外延法生长。器件的发射面积由SiO_2层上的“接触窗口”(φ35微米)来限定。退化实验一般是在室温、100毫安     

Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET)

制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型器件在77K下跨导增加到1.7倍。双栅增强型的TEGFET在室温0.6V栅偏压下,g_m=63mS/mm,在77K下增加到1.4倍。如器件中出现平行电导时,则器件性能退化,它不但使跨导降低,且随栅编压变化很大。文中讨论了这一现象。     

一个Ga_(1-x)Al_xAs的折射率模型

我们开发了一个高纯Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的室温折射率模型,适用于直接禁带以上和以下部分,并在禁带处连续．对与１．２和１．８ｅＶ之间的能量的光子,模型与实验符合得很好．该模型也可推广到ＧａＩｎＡｓＰ等其它半导体材料     

高Al值Ga_(1-x)Al_xAs的生长及实验研究

本文旨在研究高Al值Ga_(1-x)Al_xAs的生长。通过实验,基本弄清了生长全Al组份段(0相似文献   

半导体激光器的张弛振荡

本文用数值分析方法研究了半导体激光器的小信号和大信号注入特性,指出了两者的根本区别.     

电场下超晶格GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs[111]的电子结构

用有效质量理论研究了GaAs/Ga_(1-x) Al_xAs[111]超晶格在外加电场下的电子结构.具体计算了超晶格的子能带色散关系曲线,子能级随外加电场的变化,并且计算了k_u=0的光跃迁矩阵元平方随电场的变化.与零电场情况相比,发现在k_u≠0处子能带的二重简并解除.随电场的增大,△n=0的跃迁减小,而△n≠0的跃迁增大.考虑单轴压力效应后,轻空穴和重空穴的能级位置发生下降和上升.     

缓冲层对多量子阱材料GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs共振态的影响

从理论上研究缓冲层的厚度和特性对多量子阱材料 (GaAs/Ga1-xAlxAs)中的共振态的影响 ,利用界面响应理论的格林函数方法 ,计算了局域和总电子态密度以及电子对结的穿透率 ,展示了缓冲层特性对态密度特征峰、穿透率的影响。结果表明 ,缓冲层具有控制共振隧穿电子和影响系统电子态的作用     

GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光《详细摘要》

一、实验实验用的激光器是从n-GaAs:Te衬底上生长一个比较厚的缓冲层(10～20μ)然后再进行多层外延生长得到的。典型的数据为N-Ga_(0.7)Al_(0.3)As∶Sn～2μ,P-GaAs∶Si～0.5μ,P-Ga_(0.7)Al_(0.3)As∶Ge～2μ,p-GaAs∶Ge～2μ。实验装置如图〈1〉。红外显微镜将激光器的端面象投影在狭缝上。激光器的结平面在X-Z平面内,狭缝的长轴沿Z方向,PbS探     

Ga_(1-x)Al_xAs光学声子形变研究(英文)

The optical-phonon deformation potentials of Ga1-xAlxAs for some of com-positions x have been calculated by the LMTO-ASA virtual crystal appro- ximation(VCA) method with a frozen-phonon model. It is shown that the dependence of the optical-phonon deformation potentials on composition x for Г and L points can be expressed by d = a + bx+cx2. The results obtained from a fitting procedure are given by (in eV).Do =30.95-1.6829x-0.2006x2,D30 = 38.90-2.0430x-0.9659x2,D10 (val) =-13.36-4.4568x-1.0088x2,D10(cond) = -24.73+8.9918x+4.7782x2.     

用氧化——还原系统对GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs的选择腐蚀

一、引言近年来,GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs异质结已广泛应用于光电器件及集成光路。人们利用GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs材料化学性质上的差异,选择适当的化学腐蚀液,可以做到只腐蚀一种成分(如Ga_(1-x)Al_xAs),从而使腐蚀能按设计要求自动停止在外延层的某一界面。利用选择腐蚀可以制得具有一些特定结构的器     

GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs液相外延异质结缺陷的高压透射电镜观察

砷化镓双异质结(DH)激光器由于近年来在光导纤维通讯中成功的应用而受到极大的重视,但在推广时仍有可靠性和成品率不高的问题。为了进一步研究GaAs—Ga_(1-x)Al~xAs DH激光器退化问题,我们采用1000KV透射高压电子显微镜观察了模拟DH激光器液相外延工艺的GaAs/Ga_(1-x)Al_xiAs单异质结样品。在GaAs基片掺Te(3×10~(18)/cm~3)在(100)面上外延生长不掺杂的Ga_(1-x)Al_xAs层,其Al含量X值为小于0.5,外延层厚为6.4μm,外延温度为860℃,降温速率为1℃/min,母液与外延片脱离后约20分钟降至室温。为了确保观察的电镜样品的机械强度,我们采用光刻法在GaAs衬底面上开出直径为800μm的园形窗口,用H_2SO_4∶H_2O_2∶H_2O=1∶8∶1     

Ga_(1-x)Al_xAs Raman散射的共振和反共振

本文着重研究了Ⅲ—Ⅴ族混晶半导体Ga_(1-x)AlAs Raman谱在不同温度下的多级共振行为。分析了二级及多级声子谱增强及产生的物理原因,从一个新的侧面证实了激子-LO声子复合体作为Raman散射中间态存在的可能性。同时,还从Raman散射张量出发,对近共振条件下TO声子的消失进行了讨论。     

Ga_(1-x)Al_xAs外延层的X射线双晶衍射

用X射线双晶衍射法测定了在GaAs衬底的(001),(110),(111)和(113)方向上生长的Ga_(1-x)Al_xAs外延层的应力状态。算进了立方晶胞化合物的各向异性的弹力以后,测定了松弛晶格常数以及外延层的组分。本文提出了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结构的双晶旋转曲线。它们允许非破坏性地、独立地确定激光结构的两个Ga_(1-x)Al_xAs外延层的铝含量,并且     

液相外延Ga_(1-x)Al_xAs层中位错组态的透射电镜研究

用超高压电镜观察了液相外延Ga_(1-x)Al_xAs层中位错的组态.观察到不均匀分布的位错网络,位错网络位于外延层内,而不是在GaAs/GaAlAs界面上;散布在位错网络中的不同尺寸的位错环,以及夹杂物引起的位错丛.对上述位错组态形成机制作了讨论.还观察到大块的孤立层错.     

CSP Al_xGa_(1-x)As/GaAs单模激光器

本文报道了CSP Al_xGa_(1-x)As单模激光器的性能及其制造技术.     

Ga_(1-x)Al_xAs和GaAs_(1-x)P_x混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xA_o和GaAs_(1-x)P_x混合晶体系统的拉曼光谱的测量结果.证实两种材料都呈现典型的“双模”行为.从拉曼光谱的测量结果得到了长波长光学声子模频随组分的变化关系.在修正的等位移模型的基础上,提出一种简化模型:忽略次邻力的作用,仅考虑近邻力和极化场的作用,并假设近邻力常数随组分线性变化.没有任何调节参数,计算了长波长光学声子模频的组分关系.计算结果和实验符合较好.