纳米线、纳米管器件在逻辑电路中的应用

本文报导了几种以碳纳米管和半导体纳米线为基础的电子器件和逻辑电路，如：碳纳米管场效应管、纳米线逻辑门电路等。同时，通过比较传统半导体器件和纳米器件，分析了这些纳米器件的特点。在室温下，这几种纳米电子器件和电路均有良好的电学特性。     

宽带大功率固态微波器件及其军事应用

简要介绍了宽带大功率固态微波器件的军用领域及技术要求以及固态器件的种类，当前水平及相关技术状况。     

光无源器件在军事中的应用

介绍了光无源器件在海军、探潜武器、陆军、雷达、导弹和航空航天中的应用。     

纳米半导体材料及其纳米器件研究进展

(接上期第21页)4.2.2量子点激光器 应变自组装量子点材料与量子点激光器的研制已成为近年来国际研究热点.应用这种技术已制备出量子点激光器,波长覆盖了近红外和红光波段.1992年Ueno等人报道了单层InGaAs/A1GaAs量子点结构,实现了室温激射,阈值电流密度(Jth)为950A/cm2;1994年俄德联合小组首先研制成功InAs/GaAs量子点材料;1996年Alferov等人研制成功有源区为三层结构 (垂直耦合)的量子点激光器,Jth为680A/cm2;同年Ledentsov等人[24]又报道了10层垂直耦合InGaAs/GaAs量子点结构激光器,室温Jth为90A/cm2;1997年Ustinov等人又报道了Jth低达60A/cm2的量子点激光器,其结果已接近当前最好的量子阱激光器的性能1996年量子点激光器室温连续输出功率达1W,阈值电流密度为290A/cm2,1998年达1.5W;1999年InAlAs/InAs量子点激光器283K温度下最大连续输出功率(双面)高达3.5W.     

纳米半导体材料及其纳米器件研究进展

简单介绍纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位,分别讨论半导体纳米结构的制备方法与评价技术;对近年来纳米半导体材料和基于它的固态量子器件研制所取得的进展、存在的问题和发展的趋势作扼要的综述,最后,结合国情和我国在该领域的研究现状,提出发展我国纳米半导体材料的战略设想。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术，近年来，越来越受到世界各国的重视。本文主要介绍纳米光电子学的基本概念，发展模式，纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

纳米蚀刻技术及其在20GHz频段SAW器件中的应用

纳米蚀刻技术及其在２０ＧＨｚ频段ＳＡＷ器件中的应用阎永志利用纳米蚀刻技术可将图形做得非常精细（ｕｍ级），将在ＵＬＳＩ、高速ＦＥＴ、分布反馈式激光器和ＧＨｚ频段ＳＡＷ器件等领域获得应用。常规蚀刻过程中，抗蚀膜层必须有一定厚度，但较厚的抗蚀膜无法获得纳米...     

纳米器件的发展动态

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。     

声光器件及其在军事方面的应用

通过声光器件原理、结构和特性的回顾,着重介绍体波声光器件在实时信息处理、光纤传感技术及光计算技术等军事领域的应用.     

量子电子器件及其应用

随着半导体芯片的特征尺寸从微米量级向纳米量级挺进,半导体的量子效应现象显现。文章阐述了半导体器件中的量子尺寸效应、隧道效应、干涉效应等量子效应的种类以及利用这些量子效应制作的量子点器件、谐振隧穿器件和单电子器件三大种类量子电子器件。介绍了各类量子电子器件的原理以及它们具有超高速、超高频、高集成度、低功耗和高特征温度等优越特性,并着重介绍了各类量子电子器件的制造方法。在此基础上,指出了量子电子器件的应用及发展前景。     

相变温控在电子设备上的应用研究进展

随着电子设备中电子元器件功率不断变大,而物理尺寸却不断变小,热流密度不断增加,导致电子器件工作时温度过高,势必会影响电子元器件的性能,这就要求对其进行有效的温度控制.相变温控因其装置结构紧凑、性能可靠、经济节能等优点近年来被广泛地应用在各类电子设备的温控上.本文针对电子设备的散热温控问题,综述了国内外相变温控在电子设备上的应用研究进展,并提出了这一领域未来的研究方向.     

军用电子器件封装密封性与焊接技术浅谈

简介军用电子器件封装密封性的指标要求，并以平行缝焊为例，简单介绍金属外壳的熔焊技术与封装密封性.     

舰载电子设备中常用的密封装置及其装配方法

介绍了舰载电子设备中几种常用的静密封装置和动密封装置及其所使用的材料,具体阐述了几种密封装置的装配注意事项．并提供了一些整件和零、部件的密封检查方法。     

应用于电子器件红外探测的发射率修正误差分析

器件表面温度是表征器件热性能的重要参数,应用红外热像法探测表面温度时,影响其测量结果准确性的关键因素是表面发射率的修正,通过对红外热像法发射率直接修正误差的统计分析,给出了不同条件下的发射率修正值标准差δ、误差ε的范围,提出了应用于电子器件的最小误差探测条件。     

航天电子系统中的电子元器件辐射效应分析及抗辐射对策

本文对应用于航天电子系统的电子元器件在辐射环境下的性能退化模式及损伤机理进行分析,介绍提高元器件抗辐射能力的一些措施。     

军用电子设备常用电磁屏蔽材料及其应用

军电子设备的电磁兼容性设计是关键,基于此从材料角度阐述电磁屏蔽理论,介绍了军用电子设备常用的电磁屏蔽材料及其具体应用,总结了一些常用屏蔽材料的特性及优缺点。     

军用平台电子系统一体化某些基本问题

军用平台电子系统一体化是军事需求和技术发展的必然趋势。一体化问题应是军事需求分析与电子资源配置的优化组合问题。军事需求分析方法应有别于现有多个单任务系统叠加的思维模式。执行多任务的电子资源应按功能划分子系统，再按多任务复用方式对其分别研究。文章仅就电子系统一体化提出一些基本问题。