MN41256型256k DRAM

半导体存贮器集成度的提高是惊人的,随着每位单价的下降,市场对集成度提高的要求愈来愈强烈。作为1981年开始大量生产的64k位动态RAM(64kDRAM)的下一代产品的256kDRAM现已达到     

256k NMOS DRAM

本文将论述一种具有4个选定芯片结构的选择数据I/O缓冲器和10MHz并联或50MHz串联数据转换的80ns256k金属栅DRAM。 采用具有25nm单元和32nm栅氧化的N沟二层金属栅工艺制造出了存贮器芯片(图1)。它是用     

34ns256k DRAM

文章叙述256K×1位MOS动态RAM,该存贮器采用MoSi_2栅工艺制作,并备有冗余单元,以改进成品率。RAM的典型CAS存取时间为34ns,有效功耗170mW(在5V Vcc和260ns周期时间下)。 高速工作是两个有贡献的因素作用的结果。一个因素是在应用MoSi_2栅工艺技术。一般为了欧姆/□的MoSi_2低薄层电阻减少     

夏普的LH21256型256k DRAM

最近,从半导制造技术的发展到器件应用技术的提高,乃至美国新生产的半导体产品,均特以动态存贮器器件为代表例子进行了一些讨论。但本文所介绍的是夏普的LH21256器件,它是以262,144字×1位构成的动态RAM,采用改进的N沟MOS工艺技术研制成的(请见照片1)。     

富士通MB81256型256k DRAM

256k DRAM研制背景 自从1970年1k位器件开始被研制出来后,MOS DRAM的集成密度大约以每3年增长4倍的速度不断发展。实现这样高的速度原因,是由于器件的高可靠性化和批量生产使成本降低,而且需要量大这两大因素促成的。特别是在16k位器件时代中,世界上     

英特尔公司研制的51C256型/51C259型256k DRAM

引言 近年来,动态随机存取存贮器(DRAM)的用途发生了急骤地变化,而且,需求量也在不断增加。大部分DRAM在微型计算机闻世之前,主要用于主帧计算机,而在这个领域中,由于DRAM的低功耗、高密度、低成本等优点,克服了使用困难这一缺点。系统设计工作者根据这几方面的因素,在     

莫托洛拉公司正在努力降低管壳成本

<正> 随着高频功率晶体管载体的金属化技术的发展,通讯晶体管公司已生产了一系列大功率器件,这些器件封装在常用的 TO-220塑料管壳中,仍然能在高达500MHz 的频率下工作。该公司声称,由于采用了塑料封装,器件的成本大约为采用铜-陶瓷管壳的高频大功率晶体管成本的一半。然而,近来莫托洛拉公司对 TO-220型塑料管壳的作用持异议,认为塑料封装的功率晶体管的功率在30MHz 及更高的频率下大约为10W 左右。这种极限可能是由于晶体管发射极     

三菱电机公司的M5M4256/M54257型256k DRAM

作为超大规模集成电路时代的中间产品-64k DRAM的生产自开始以来已历经四年,随着其生产技术的成熟,各供给元件的厂家及用户,正在开展引人注目的正式超LS1256k DRAM的研究工作。人们认为,256k产品将是4k(有22引线18引线)以来标准品所使用的16引线管壳所能容纳的最终DRAM产品,组装密度是目前64k产品的4倍。     

μPD41256 256k DRAM

一九八○年以来,各公司在国际固体电路会议上发表了256k动态随机存储器(DRAM)样品。大量生产256k是否有可能,首先要推断出它的芯片尺寸。如果采用300密尔的双列直插式封装,长边就为9mm、短边就在5mm以下,最大芯片面积只能是45mm~2左右。另外,还受芯片成本的限制。每块大圆片上的芯片数与芯片面积成反比。决定芯片好坏的缺陷在每块单位面积的缺陷密度相同的情况下则与芯片面积成正比。因     

256k DRAM及树脂封装技术

近年来,树脂封装的LSI的可靠性得到大幅度提高,不论民用还是工业用几乎有90％的LSI是采用树脂封装的。日本的电电公社报导,关于树脂封装的16k、64kDRAM,经过12,000小时的长期实验,结果证明树脂封装材料在实际使用条件下可以期待20年以上的寿命,失效率也大致与陶瓷封装相等可能是60FIT。     

具有检查冗余解码能力的256k DRAM

本文将描述一个具有8个冗余行和8行冗余列的256k位MOSD RAM。用备用译码器中的TaSi_2与激光束的连接来激励冗余行和列。冗余码仅占整个芯片面积的3％。     

具有位线屏蔽结构的70ns 256k DRAM

设计芯片面积最小,存取时间最快、工作范围最宽的DRAM正受到人们极大的注意。本文介绍使用位线屏蔽的70ns 256k×1位DRAM的研制情况。芯片尺寸为3.6×8.4mm~2(=30.2mm~2),用16引线300mil双列直插式塑料管壳封装。 选用了阵列的开位线结构(图1),以便提高速度、减少芯片面积和改善信号电     

冗余结构256k DRAM的生产测试和修整

冗余设计技术具有较大地提高产品成品率的潜力。其结果是降低了硅片生产达到要求的装配产量所需要的成本。考虑到一条256kDRAM硅片生产的成本将近5千万美元,而冗余技术典型地能提高产品成品率1.5-5倍,节省的潜力是很大的。     

莫托罗拉公司开始批量生产具有高速存取时间的1M/256kSRAM

莫托罗拉公司现已开发出实现了存取时间高速化的1M／256KSRAM5个品种，预计在94年第一季度后半期开始批量生产。1M产品共有下列3个品种：128K×8位的“MCM6726A”、256K×4位的“MCM6728A”“MCM6729A（内含输出启动功能）”。256K产品有如下2个品种：32K×8位的“MCM6706R”、64K×4位的“MCM6709R”。在工艺中采用了BiCMOS技术，在存取时间上，1M产品为8ns，256K产品为6ns，实现了较理想的高速存取时间。另外，为了确保可靠性，备有中央电源和I／O管脚，实现了低噪声、全静态启动，与TTL可进行互换。封装形式为SOJ，M…     

256k MRAM

在国际半导体电路评审会上 ,摩托罗拉公司发表了 2 5 6ｋＲＡＭ。本次发表的ＭＲＡＭ ,它是以单管和单磁通道连接所定义的存储单元作为基准的 ,实现了不足 5 0ｎｓ读出 /写入周期时间。存储器结构 16× 16 ,读出时所测定的功耗在 3Ｖ电压下为 2 4ｍＷ。采用该结构 ,实现了具有极高成本竞争力的存储器。当进行高速读出 /写入时 ,实际上 ,读出 /写入周期是无限制的。进而 ,由于它具有较高的成本竞争力 ,人们期望ＭＲＡＭ能够取代除了快闪ＲＡＭ和ＤＲＡＭ等以及最快的ＳＲＡＭ之外的现有存储器技术。该公司在美国的亚利桑那州建立一个 2 0 0…     

256M/1G DRAM生产线的检测设备

介绍２５６Ｍ／１ＧＤＲＡＭ生产线的检测设备，包括裸圆片、带图形圆片、膜厚及特性、条宽／线宽、掩模版、后道工序、环境检测设备、成品测试和环境试验设备。     

采用双层A1工艺的90ns 256k×1位DRAM

在象256k DRAM这样的较高密度的RAM中,由较大的管芯尺寸引起的较低成品率需要应用一种或者能够减小管芯尺寸,或者能够提供冗余特性的技术。 采用双层A1结构已经得到了一种芯片面积很小的256kDRAM(34mm~2)。这种DRAM采用1.3μm最小设计规     

得克萨斯仪器公司研制的256k动态RAM TMS4256/TMS4257

当今,动态随机存取存储器(以下简称DRAM)的用途在不断扩大。为此,对具有更加广泛用途的DRAM的需求量大大增加了。TMS4256,4257是用途最广的256kDRAM。TMS4256是页面型工作的256kDRAM,TMS4257是半字节型工作的256kDRAM,它们均是得克萨     

256M/1G DRAM工艺及前道制造设备

介绍２５６Ｍ／１ＧＤＲＡＭ产品技术指标、工艺及前道制造设备，包括光刻机、腐蚀设备、离子注入设备、热处理设备、溅射及金属ＣＶＤ设备和绝缘膜ＣＶＤ设备等