半速率对路测MOS值的影响分析

对半速率的使用和影响MOS值的因素做了详细介绍,分析了半速率对DT路测MOS值的影响,并提出了解决思路,通过对案例的详细分析提出了具体的解决办法。实践证明：采用本文所述方法对于处理半速率和MOS值的关系有较好的参考价值。     

GSM网MOS值优化方法研究

采用MOS（语音质量评估）值对移动通信网络语音质量进行评估．能更加贴近用户对网络语音质量的真实感受。文章详细分析MOS原理．在现网实验的基础上对影响MOS值的关键因素进行深入研究,得出影响MOS值最关键的三个因素：语音编码方式、RxQual（接收信号质量）和切换频次,并对此提出一些切实可行的优化方法,大幅提高了本地GS...     

调整负荷评估周期提高半速率小区MOS值

针对目前全网小区虽然开启了EFR及TFO,但是开启半速率的小区覆盖范围MOS值仍然不高的问题,通过调整TCH信道负荷的算法的评估时长,加速对TCH POOL池内TCH信道负荷的测量频率,合理控制半速率占比,有效提高MOS值,最终提高用户的感知度。     

GSM网语音质量提升方案浅析

移动通信市场竞争日益激烈,用户对语音质量越来越关注,该文章主要介绍了GSM语音MOS质量评估原理及影响因素,并给出语音质量提升的方案和建议.     

MSC Pool下话音MOS值提升研究

本文提出了一种在MSC Pool 的组网结构下,提高话音MOS 值的网络优化方案.通过VMGW 之间的免TC 优化,使得在MSC Pool 内相同物理媒体网关下的用户间呼叫避免由于插入多余TC 导致话音质量下降,从而提高网络质量,提升用户感知.     

AMR功能对MOS评分的影响分析

对AMR的使用和影响MOS值的因素作了详细介绍,分析了AMR对DT路测MOS值的影响,并提出了解决思路,通过对案例的详细分析提出了具体的解决办法.     

移动通信网络语音质量评定指标MOS提升的探索与实践

通过对移动通信网络MOS提升优化中的大量实地测试及分析,探索和研究了语音编码方式、切换因素对MOS分值的影响程度,同时给出了相应的MOS提升方案,为移动通信网络运营商语音服务质量完善提供了参考。     

利用语音优先功能提升MOS值

文章介绍了语音优先功能提出的原因和语音优先功能原理,分析了采用语音优先功能指标。     

路测MOS3.0占比提升研究

在移动互联网时代,客户感知是运营商的重要关注点,特别是在VOLTE时代,传统语音从2G网络迁移到4G网络,用户的语音感知度备受关注。在无线侧,反映用户语音感知度的指标是MOS,MOS值差易导致Vo LTE语音通话质量差,用户在进行Vo LTE通话的过程中,掉话、断续、语音不清晰等情况出现概率增大。为此荆州分公司成立了专门的MOS值提升攻关小组,梳理出8条末端原因,筛选出5条关键因素。问题的成功定位,为后期问题的解决,具有重要贡献。     

NOKIA设备双频网优化的实现

NOKIA设备利用伞状切换来优化双频网,分析了这种技术对网络质量的影响和1800M基站的优点。指出在增加网络容量的同时,引入1800M网络可以降低900M网络的频率复用度,提升网络质量。     

MOS工艺工程技术研究

本文阐述了MOS/CMOS工艺工程技术的特点、研究内容和研究方法,对工艺工程技术进行了全面而系统的分析研究,以提高工艺综合水平,加速MOS和CMOS集成电路向高速化高集成化方向发展,并适应多电路品种的科研开发线和生产线的需要。工艺工程技术研究的核心,就是要解决把单项工艺技术与器件技术综合起来,并转化成集成电路产品的过程中所碰到的关键技术问题。它具有一定的系统性,既要遵循科技发展规律,又要遵循经济发展规律。     

Effect of ionizing radiation on MOS capacitors

A numerical model of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor has been developed to investigate the effect of ionizing radiation on the characteristics of the device during exposure and also in the post-irradiated condition. The model takes into account the effect of radiation-induced changes in silicon-dioxide as well as in silicon substrate of MOS structure. It is found that the total high frequency capacitance of the device during exposure to radiation is different from its value in the post-irradiated condition. The results of the study are expected to be useful in predicting the behavior of MOS based devices operating in radiation environment.     

MOS功率驱动高速脉冲激光器的研究

运用经典电路理论,对MOS功率管的开关特性、驱动原理进行了分析,导出了应用MOS功率管实现高速大电流开关应遵从的原则和方法,并成功地实现了光脉冲上升时间小于5ns、下降时间小于10ns,驱动电流达10～50AP-P激光器电源的要求.     

Generation lifetime improvement on MOS capacitor by fast neutron enhanced intrinsic gettering technique

Minority-carrier generation lifetime of MOS capacitors was improved by performing a fast neutron enhanced intrinsic gettering (NEIG) technique on the Czochralski (CZ) silicon wafers on which the devices were fabricated. With NEIG, the minority-carrier generation lifetime was possibly to be elevated high to 822 μs.It was shown that the NEIG method can be used to substitute for the conventional three-step H-L-H (H: high temperature annealing for a long time, L: low temperature annealing for a long time) intrinsic gettering method to have equivalent or better electrical properties but saving the processing time.     

薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究

采用高频 C- V曲线方法 ,研究了 5 0 nm及 15 nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程 .二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在 1× 10 3Gy(Si)剂量下近乎相同 ,而在大于 3× 10 3Gy(Si)剂量下 ,5 0 nm MOS电容的电荷密度约为 15 nm MOS电容的 2倍 .利用电离辐射后的隧道退火效应 ,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si- Si O2 界面附近分布的距离均约为 4nm .     

神经MOS晶体管

神经ＭＯＳ晶体管是１９９１年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅ＭＯＳ器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新哭喊 件及其电路的国外研究现状、研究趋以及笔者所完成的研究工作。     

表面钝化对Ge MOS电容可靠性的影响

通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高k栅介质.研究了表面钝化对Ge MOS器件性能的影响.实验结果表明,湿NO表面钝化能生长高质量GeOxNy界面层,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性.     

32位MOS寻址器

X-Y MOS 寻址器由两个 MOS 移位寄存器组成,主要用于 MOS 型 CID 图像传感器的寻址读出。本文论述了为32×32InSb CID 器件设计和研制的 X-Y MOS寻址器。     

槽栅MOS控制的晶闸管

报道了一种新结构的功率栅控晶闸管 ,称其为槽栅 MOS控制的晶闸管 (TMCT) .在该器件结构中 ,采用 U-MOS控制晶闸管的开启和关闭 .结构中不存在任何的寄生器件 ,因此 ,消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题 ,所以 TMCT会有优良的电特性 .实验结果表明 ,多元胞 TMCT (6 0 0 V,有源区面积0 .2 m m2 )的开态压降在 30 0 A / cm2 时为 1.2 5 V,最大可控电流在栅压为 - 2 0 V和电感负载下达到了 2 96 A/ cm2 .