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计算了B_2羣不可约表示的直接乘积4×4,4×5,4×10和5×5分解中的约化系数。给出了它在基本粒子强相互作用对称性方面的应用的若干例子:推导了散射截面关系和低维数表示的质量关系,讨论了共振态的填充和衰变情况以及R反演不变性等。 相似文献
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在超荷-电荷表象中应用B2羣对称性讨论了基本粒子的轻子型衰变。将重子和介子分别填充在B2羣的4维表示时,在10维(正则)表示中正好包含所有|ΔS|≤1和|ΔQ|≤1的重子流或介子流。假定弱相互作用由中间玻色子作媒介,并将它们纳入B2羣的10维表示中,计算了包括ΔS=+ΔQ和ΔS=-ΔQ两类过程的各种奇异粒子轻子型衰变几率。结果与现有实验材料不矛盾。 相似文献
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维生素B2片中维生素B2的测定及稳定性 总被引:1,自引:0,他引:1
以pH=7.0的水作为溶液,激发、发射波长分别为443、523nm,运用荧光光谱法测定了维生素B2的荧光强度,以荧光强度与浓度的关系作图,得到了回归曲线,本实验条件下,在5×10-8—6×10-7g/mL范围内呈良好的线性关系,回收率在98.53%—103.59%之间,该方法具有灵敏度高、重现性和稳定性好的特点,但维生素B2不稳定。 相似文献
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采用Gaussian 98程序中B3P86,BP86,B3LYP,BLYP,UHF,HF及LSDA等方法,对B2H6分子可能的D3d,D3h,D2d和D2h平面型状态及立体型状态 的几何构型五种情况的1重态及3重态进行了优化,得到该分子基态为1重态,它的电子状态 是lAg,B2H6的几何构型仍然是传统的对 称性为乙烯式的D2h结构 ,其构型如图9所示,其能量最低,是-53.5865H.a.u..两个硼原子与四个H原子所在平面 垂直于两个硼原子及另外二个H原子所在平面,二个硼原子之间的距离是R12=0 .17542nm,B原子及H原子之间的距离是R17=0.13149nm,R13=0. 1188 4nm,它们之间的夹角分别是,∠314=∠526=121.93°,∠817=∠827=96.3°,B2H6中硼原子采用不等性的sp3轨道和另一硼原子的不等性的sp< sup>3轨道 及氢原子的1s轨道 交互重叠生成桥式三中心双电子键.三中心双电子键比双中心双电子键更为稳定,计算结果 也证实了这一点.
关键词:
2H6')" href="#">B2H6
密度泛函
几何构型
优化 相似文献
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Cabibbo从几个合理的假定出发,讨论了弱相互作用重子流么正(SU_3)对称性,预言了△S=△Q奇异粒子轻子衰变的分支比,与实验符合得较好。在此基础上,d’Espag-nat进一步考虑了重子流、中间玻色子和弱相互作用拉氏算符的么正对称性,提出了一个值得注意的理论方案,定性地讨论了弱相互作用的主要特点:解释△S≠2和|△I|=1/2非轻子衰变的选择定则;△S=△Q和△S=0轻子衰变的结果估计与Cabibbo的结果相仿(尚未看到详细报导)。 相似文献
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制备了B2O3-Na2O-CaO-SiO2四元系若干玻璃样品,通过实验拉曼光谱和量子化学从头计算相结合的方法,对其微观结构进行了定性定量研究。结果表明,随着B2O3的加入,硅酸盐转变为硼硅酸盐结构。当质量比CaO/SiO2=1时,B主要以[BO3]的形式参与网络形成,并在B2O3含量为6 Wt%时迹象明显。拉曼光谱精细结构解谱的结果表明,B的加入使结构复杂化,体系中Q1相对含量减少,Q3相对含量增加,整体由以Q2为主变为以Q2、Q3为主。 相似文献
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从李羣的一般理论,具体地讨论了SU4的数学处理,给出了羣的代数结构、不可约表示维数的公式、三个基本表示的明显形式及表示直积分解的主要结果。根据SU4对称,下列基本粒子的对称模型被构成:(1)Bacry和Van Hove模型,(2)Schwinger模型,(3)正反粒子对称的坂田模型,(4)正反粒子对称的八度法模型。在这些模型中,一些与实验一致的新的结果被得到。 相似文献
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The defects at the Si/SiO2 interface have been studied by the deep-level transient spectroscopy (DLTS) technique in p-type MOS structures with and without gold diffusion. The experimental results show that the interaction of gold and Si/SiO2 interface defect,Hit(0.494), results in the formation of a new interface de-fect, Au-Hit(0.445). Just like the interface defect, Hit(0.494), the new interface defect possesses a few interesting properties, for example, when the gate voltage applied across the MOS structure reduces the energy interval between Fermi-level and Si valence band of the Si surface to values smaller than the hole ionization Gibbs free energy of the defect, a sharp DLTS peak is still observable; and the hole apparent activation energy increases with the decrease of the Si surface potential barrier height. These properties can be successfully explained with the transition energy band model of the Si/SiO2 interface. 相似文献
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用自洽LMTO-ASA方法研究了ScH2及HfH2的电子结构,毋需在面心晶格的八面体中心位置上加入一个额外的球作为muffin-tin势的修正,关于ScH2本结果与Peterman及Harmon的计算结果及光电子谱结果十分一致;除去21的位置处在Fermi能级之下,因而在ScH2中H也可能占据八面体位置。HfH2状态密度的大致轮廓定性上与光电子谱结果是符合的。H原子带有1.2—1.3个电子电荷。
关键词: 相似文献
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包钴型γ-Fe2O3磁粉的矫顽力可比原γ-Fe2O3磁粉提高8000—32000A/m。木文研究探讨了两种包钴型γ-Fe2O3磁粉(包钴γ-Fe2O3和包钴包亚铁γ-Fe2O3)的单轴各向异性的起源和矫顽力增大的机制。包钴γ-Fe2O3磁粉矫顽力
关键词: 相似文献