裂纹顶端的异号位错和无位错区的象力理论

本文改进BCS型裂纹位错模型,并对裂纹顶端范性区的位错密度分布进行了计算。结果指出,在紧靠裂纹顶端的滑移面上出现和裂纹位错异号的位错。这些负号位错将移至裂纹顶端并使之钝化而留下一个无位错区或低位错密度区。本文对无位错区形成的象力理论进行了讨论。 关键词：     

钼晶体中的位错线蚀象的研究

实验结果表明,应用甲醇、硫酸、盐酸的混合液为电解浸蚀剂,可以在钼晶体的{100},{111}及{110}面上显示位错蚀斑,而在{111}面及{110}面上同时可以显示出排列成平行线或六方网络的蚀线,这些蚀线被证明为位错线的蚀象。根据观测结果,总结出解释位错线蚀象的经验规律:观测到的蚀象相当于一定深度内位错线在观察面的投影;蚀象的宽度决定于位错线段到原始表面的距离,距离愈远,宽度愈细,类似于一种夸张的光学透视效应,因而根据蚀象就可以直接推出位错线在空间的位置,采用多次浸蚀的方法,对于一些位错空间排列组态的实     

晶体位错的离散弹性模型——位错中心结构和P-N力

在离散弹性模型中考虑了位错中心位错密度分布的影响,计算了fcc和bcc两种各向同性弹性介质中,不同中心结构的螺型位错的自能、等效内截半径与位错中心位置的关系,估算了不同滑移面上P-N力。讨论了原子热振动对P-N力的影响,比较了离散弹性方法与现有其它方法的结果,据信离散弹性方法是一种进一步进行更深入计算的有效方案。 关键词：     

邻苯二甲酸氢铊单晶位错的Borrmann象衬度

本文报道新近开发的、X射线衍射效率很大的邻苯二甲酸氢铊(TAP)单晶中位错的Borrmann象。位错近核心区的精细象衬度不但与晶片的厚度有关,而且随着Borrmann系数ε值的下降而模糊,以至精细象结构随衬度反转而完全消失。 关键词：     

磁电弹性体中多条位错与Griffith裂纹

根据本征方程，研究磁电弹性体中若干平行螺型位错与Griffith裂纹的相互作用.结合Muskhelishvili方法和算子理论，得到磁电弹性体中由位错和裂纹所诱导的应力场、电场和磁场的解析解.数值算例表明：在裂纹的端点及位错点上仍然存在应力的奇异性，离位错点越远处广义力越小，结论与已有的结果相符，证明了结论的正确性.当位错点与裂纹端点距离越近时，裂纹与位错间的应力场越小，并逐渐趋近于零.     

一维六方准晶中螺形位错与楔形裂纹的相互作用

采用保角映射方法和扰动技巧,研究了一维六方准晶中螺形位错和半无限楔形裂纹的相互作用. 讨论了位错的位置和楔形角对作用在位错上的力的影响,得到了应力强度因子和作用在 位错上的力的解析解.此外,还详细地讨论了位错对裂纹的影响.当楔形角参数λ=1/2时, 半无限楔形裂纹退化成半无限尖裂纹,相应的结果 可以作为特殊情况而直接得到.     

磁电弹性体中螺型位错与唇口裂纹的相互作用

研究磁电弹性体中螺型位错与唇口裂纹的相互作用。结合Muskhelishvili方法和干扰技术, 在假定裂纹面具有不可渗透条件下得到磁电弹性体中由位错和唇口裂纹所诱导的应力场、电场和磁场的解析解。应用广义Peach-Koehler公式,得到作用在位错上的影像力。通过数值算例,得到场强度因子的变化规律及影像力和广义力随位错位置的变化规律。     

磁电弹性体中多条位错与Griffith裂纹（英文）

根据本征方程,研究磁电弹性体中若干平行螺型位错与Griffith裂纹的相互作用.结合Muskhelishvili方法和算子理论,得到磁电弹性体中由位错和裂纹所诱导的应力场、电场和磁场的解析解.数值算例表明:在裂纹的端点及位错点上仍然存在应力的奇异性,离位错点越远处广义力越小,结论与已有的结果相符,证明了结论的正确性.当位错点与裂纹端点距离越近时,裂纹与位错间的应力场越小,并逐渐趋近于零.     

位错规范场对于位错芯区的应用

本文用位错连续分布方法分析了位错所产生的应变和应力场,用位错规范场表出了位错芯区的位错分布,并在一定规范条件下求解了位错规范场。得到了螺位错芯区内、外的应力场。在螺位错芯区外,其应力场与Volterra位错的应力场完全一样,而在芯区内,当ρ趋于零时,螺位错的应力场是有解的。最后计算了螺位错的能量。 关键词：     

基于连续介质位错理论的位错原子分布构造方法

基于连续介质位错理论提出一种新的位错原子分布构造方式,理论上可以构造出任意形状和任意Burgers矢量的位错结构.利用该方法,选用FCC单晶铜为模拟介质,构造Burgers矢量为b=[110]/2的刃型全位错和Burgers矢量为b=[112]/6圆环形不完全位错环,并使用分子动力学方法模拟全位错的扩展分解过程和不全位错环在自应力作用下的收缩过程,模拟结果与理论分析一致.该方法的优点在于可以方便地构造出其他传统方法难以构造的位错闭合结构——位错环,从而使位错环的细致研究成为可能.     

用电像法求电荷与导体间作用力时应注意的一个问题

本文通过对点电荷与导体球壳间作用力的直接计算，发现用电像法求电荷与导体间作用力时存在的一个问题，若对此作出附加条件，可以得到它们的等效性．     

一种探针-样品距离的切变力控制新方法

报道了近场扫描光学显微镜(Near-filed Scanning Optics Microscope NSOM)中一种基于切变力的探针 样品间距控制新方法.条形压电蜂鸣器片的上表面电极被沿着中心线分成两半,一半用于驱动,其上施加振荡源谐振频率进行激励,另一半上粘附光纤探针,并利用压电效应作为光纤探针的振幅传感器.当受振动激励的光纤探针由远处逐渐接近样品表面时,由于样品与探针之间的切变力阻尼作用使得探针的振幅减小,通过检测探针振幅的变化可以控制探针与样品的间距.我们建立了一套探针 样品间距探测控制系统并利用该系统获得了CD盘片表面8μm×8μm范围内的切变力形貌图.     

与象电荷有关的能量和互作用力问题

指出与象电荷有关的系统的互能、互作用力和真实电荷系统的互能、互作用力分别相等,自能、有一般分别不等。     

相界上运动位错的弹性场

本文推广Eshelby等人关于无限各向异性介质中静止直线位错的处理方法,提出了计算两相介质中相界面上匀速运动位错弹性场的方案。本文所提出的简便方法有一般的适用性,可直接用于研究在相界面上高速运动的相变位错的行为,从而有助于理解位错运动在无扩散相变过程中的作用。最后对本文的方法及观察到的场中的间断面作了简短讨论。 关键词：     

近失速状态轴流压气机转子内尖区三维流动结构

用激光测速系统测量了低速大尺寸单级压气机近失速状态转子内尖区三维流场。结果表明泄漏流在转子进口开始产生,泄漏涡约在１０％弦长最强,并迅速向压力面和低叶高方向移动,沿程造成高紊流和高阻滞。叶尖吸力面附面层发生分离,迫使角区低能物质和旋涡在下游逐渐向通道中部移动,造成转子出口尖部通道中部大面积流动阻塞和紊流脉动。角区旋涡及泄漏涡影响区域紊流强度较高,其中径向分量最高,远大于轴向和切向分量。前缘马蹄涡压力面分支存在于转子进口叶尖压力面角区,并迅速向低叶高和通道中部移动,约在２０％弦长和泄漏涡交汇。     

位错联系的应力场对晶体生长影响的蒙特-卡罗模拟

本文运用van der Hoek等人提出的应力能函数,进行晶体生长的蒙特-卡罗模拟,研究了位错空核的形成,发现固—流键平均形成能ω和过饱和度△μ都对空核形成有很大的影响。本文还讨论了台阶及二维扩散与空核半径之间的关系。模拟表明位错空核将延缓直台阶的推进。 关键词：     

直观显示摩擦力实验的改进

对文献^[1]中用弹簧秤直观显示摩擦力的实验进行了改进，成功地解决了原实验在滑动摩擦力的测量过程中不易读数的问题。     

关于载流导线所受磁场力的计算

指出了在求解载流导线所受磁场力时，单纯应用矢量积分在理论上是不完备的。为此，需根据由安培定律ｄＦ＝Ｉｄｌ×Ｂ所提供的力系特点，补充求解合力作用点的有关方程。