堆叠封装的最新动态

文章介绍了堆叠封装的最新动态,包括芯片堆叠封装、封装堆叠封装、系统级封装、多芯片封装、堆叠芯片尺寸封装和三维封装等。文章归纳出当前堆叠封装的发展方向是:种类越来越多、市场越来越大、高度越来越薄、功能越来越多和应用越来越广等。     

三星电子推出超薄16芯片堆叠封装

三星电子正在宣扬一种先进的封装技术，该技术能把16块芯片彼此堆叠在一起，而高度只有1．4毫米（如果可以称其为高度的话）。目前还没有把这么多的芯片堆叠在一起封装的任何直接需求，但三星电子的研究人员相信这个方法可以用来把现在常规的多芯片封装（MCP）变得更薄一点。     

芯片堆叠封装耐湿热可靠性

采用Abaqus软件模拟了CPU和DDR双层芯片堆叠封装组件在85℃/RH85%湿热环境下分别吸湿5,17,55和168 h的相对湿气扩散分布和吸湿168 h后回流焊过程中湿应力、热应力和湿热应力分布,并通过吸湿和回流焊实验分析了该组件在湿热环境下的失效机理。模拟结果表明,在湿热环境下,分别位于基板和CPU、CPU和DDR之间的粘结层1和2不易吸湿,造成粘结层的相对湿度比塑封材料低得多,但粘结层1的相对湿度比粘结层2要高。吸湿168 h后,在回流焊载荷下湿应力主要集中在芯片DDR远离中心的长边上,而最大湿热应力和热应力一样位于底层芯片CPU的底角处,其数值是单纯热应力的1.3倍。实验结果表明,界面裂纹及分层集中在底层CPU芯片的边角处和芯片、粘结层和塑封材料的交界处,与模拟结果相一致。     

环球仪器推动芯片堆叠封装技术的应用

随着移动通信产品向第三代移动通信（3G）系统的进化，业界正在探索如何实现更快数字信号处理时间和存储器响应时间，这使得小型化高密度装配在高速与高精度装配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也对先进性与高灵活性提出了更高的要求，堆叠封装（Package on Package）技术作为一项代表未来发展趋势的高端技术，如何迎接这一新的应用挑战，成为业界关注的焦点。     

环球仪器推动芯片堆叠封装技术的应用

随着移动通信产品向第三代移动通信（3G）系统的进化，业界正在探索如何实现更快数字信号处理时间和存储器响应时间，这使得小型化高密度装配在高速与高精度装配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也对先进性与高灵活性提出了更高的要求，堆叠封装（Package on Package）技术作为一项代表未来发展趋势的高端技术，如何迎接这一新的应用挑战，成为业界关注的焦点。     

埋入堆叠芯片封装结构的电学仿真和优化

埋入堆叠芯片技术在实现封装小型化的同时,增加了封装电学设计的复杂性。以一个数字系统为例,详细阐述了埋入堆叠芯片封装结构的电学设计过程。利用电磁仿真软件提取了该封装结构的寄生参数,并通过S参数、延时、反射分析,确定长绑定线为影响链路信号质量的关键因素,其影响直接限制了埋入堆叠芯片技术的应用范围。运用RLC传输线模型分析了长绑定线造成大的信号质量衰减的原因。最后,提出了一种大幅减短绑定线长度并提升链路电学性能的优化结构,拓展了此技术在高速领域的应用。眼图的对比结构表明,新结构能降低链路的阻抗失配,减小信号延时,并大大改善高速信号的质量。     

堆叠封装技术进展

目前电子产品正朝着高集成化、多功能及微型化方向不断发展。堆叠封装(PoP)作为一种新型3D封装技术,在兼容现有的标准表面贴装技术(SMT)的基础上能够实现不同集成电路在垂直方向上堆叠,从而能够提升封装密度,节省PCB板组装空间,缩短互连线路长度。该技术已从初期的低密度双层堆叠发展至当前的高密度多层堆叠,并在互连方式与塑封形式等封装结构及工艺上不断改进,以适应高性能电子产品的发展需求。通过对PoP上层与下层封装体结构及其封装工艺的近期研究成果进行综述,对比分析它们的各自特点与优势,并展望PoP未来发展趋势。     

单芯片封装与多芯片封装展望

综述了近几年国内、外在单芯片封装和多芯片封装方面的概况和发展趋势,提出了今后几年我们在封装领域技术研究的建议。     

新型堆叠封装技术的发展：层叠封装

堆叠芯片尺寸封装（CSPs）以及极小间距焊球阵列封装（vFBGAs）已经在许多手持产品中被采用和集成。特别在移动电话方面，堆叠芯片尺寸封装（CSPs）的应用尤其在当前移动电话因新增的诸多功能对存储设备的需求中起到了降低成本，重量及尺寸的作用。另外堆叠封装芯片同样被广泛的使用在一些逻辑功能模块中。在此情形下，CSP封装内的裸芯片堆叠并且进行了晶圆级测试。最终产品的良率都在95％以上。如此高的良率及较低的失效报废成本展示了堆叠封装具有良好的经济性。[第一段]     

内存芯片封装技术的发展

本文主介绍了国际上内存芯片封装技术的现状以及未来的发展等。     

叠层式片状电感器的设计

采用铁氧体材料和多层厚膜印刷技术，把铁氧体膜片和导电浆料相间印刷、叠合起来，经过热压、切割，烧制成一体化的闭磁路螺旋管状磁芯线圈，具有矩形微型、封闭磁路、独石结构的特点。     

多芯片叠层封装中的芯片应力分析及结构优化

针对典型的四层芯片叠层封装产品,采用正交试验设计与有限元分析相结合的方法研究了芯片、粘合剂、顶层芯片钝化层和密封剂等十个封装组件的厚度变化对芯片上最大热应力的影响,并利用找到的主要影响因子对封装结构进行优化.结果表明,该封装产品可以在更低的封装高度下实现,并具有更低的芯片热应力水平及更小的封装体翘曲,这有助于提高多芯片叠层封装产品的可靠性.     

芯片封装技术介绍

微电子技术的飞速发展也同时推动了新型芯片封装技术的研究和开发。本文主要介绍了几种芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析。     

先进芯片封装技术

微电子技术的飞速发展也同时推动了新型芯片封装技术的研究和开发。本文主要介绍了几种新型芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析。     

叠层CSP封装工艺仿真中的有限元应力分析

叠层CSP封装已日益成为实现高密度、三维封装的重要方法。在叠层CSP封装工艺中,封装体将承受多次热载荷。因此,如果封装材料之间的热错配过大,在芯片封装完成之前,热应力就会引起芯片开裂和分层。详细地研究了一种典型四层芯片叠层CSP封装产品的封装工艺流程对芯片开裂和分层问题的影响。采用有限元的方法分别分析了含有高温过程的主要封装工艺中产生的热应力对芯片开裂和分层问题的影响,这些封装工艺主要包括第一层芯片粘和剂固化、第二、三、四层芯片粘和剂固化和后成模固化。在模拟计算中发现:(1)比较三步工艺固化工艺对叠层CSP封装可靠性的影响,第二步固化工艺是最可能发生失效危险的;(2)经过第一、二步固化工艺,封装体中发现了明显的应力分布特点,而在第三步固化工艺中则不明显。     

功率载荷下叠层芯片封装的热应力分析和优化

应用有限元分析软件ANSYS,模拟功率载荷下叠层芯片封装中芯片温度和应力分布情况,得出芯片的温度、应力与材料厚度、热膨胀系数之间的关系,根据分析,对模型进行了优化.优化后的模型最高温度下降了3.613 K,最大应力下降了33.4%,最大剪应力下降了45.9%.     

多目标优化方法在叠层QFN封装结构优化中的应用

文章采用响应曲面法试验设计与有限元仿真相结合的方法对叠层QFN封装器件在热循环条件下进行仿真分析,通过优化结构参数来降低叠层QFN封装在热循环条件下的Von Mises应力和封装翘曲。使用多目标优化设计方法中的统一目标法来综合考虑Von Mises应力和封装翘曲。应用遗传算法对评价函数在约束条件下进行搜索最优解,得出叠层QFN封装结构优化的方案,以提高封装的可靠性。     

芯片叠层封装的失效分析和热应力模拟

通过高温高湿加速实验对双芯片叠层封装器件的失效进行了研究,观察到存在塑封料与上层芯片、BT基板与塑封料或贴片胶的界面分层和下层芯片裂纹等失效模式．结合有限元分析对器件内热应力分布进行了计算模拟,分析了芯片裂纹的失效机理,并从材料性能和器件结构角度讨论了改善叠层封装器件可靠性的方法．     

芯片封装技术的发展历程

集成电路（IC）的核心是芯片。每块集成电路芯片在使用前都需要封装。封装是IC芯片支撑、保护的必要条件,也是其功能实现的主要组成部分。随着芯片及集成的水平不断提高,电子封装的作用正变得越来越重要。当今芯片封装技术发展也越来越快,以满足不断快速增长的电子产品的需求。文章介绍了几种芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析。从中可以看出IC芯片与微电子封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。