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1.
通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照 缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化.经快中子辐照,直拉硅样品 的导电类型由n型转变为p型.在450和600℃热处理出现两种受主中心,分别由V22O22,V22O,VO22,V-O-V及V44型缺 陷引起,这些缺陷态的出现使得样品中空穴浓度迅速增加;大于650℃热处理这些受主态 缺陷迅速消失,
关键词:
快中子辐照
空位型缺陷
受主
施主 相似文献
2.
利用低压MOCVD工艺分别在(001)取向的LaAlO3,SrTiO3和重掺杂硅单晶衬底上制备PbTiO3铁电薄膜,并通过X射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析.X射线θ-2θ扫描显示硅衬底上得到了PbTiO3多晶薄膜,另两种衬底上得到了择优取向的PbTiO3薄膜.LaAlO3衬底上的PbTiO3薄膜有a和c两个取向,也就是薄膜中存在着90°畴结构,而生长在SrTiO3衬底上的PbTiO3薄膜中只存在c方向的择优取向.由于薄膜的尺度效应,发现c轴晶格常数与块材相比均缩短.X射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性,利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质,进一步证明了SrTiO3衬底上的PbTiO3薄膜的单畴特性.利用重掺杂的硅衬底作底电极,测量显示直接生长于硅衬底上的PbTiO3多晶薄膜具有良好的铁电性能
关键词: 相似文献
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研究利用溶液法制备的有机磷光双重掺杂体系电致发光器件的光致发光特性与电致发光特性,并研究了在这种体系中深能级陷阱导致的器件效率衰退现象。首先利用紫外光谱仪和光致瞬态寿命测试系统对基于旋涂法制备的以宽带隙材料4,4’-bis(N-carbazolyl)-1,1’-biphenyl(CBP)为主体,绿色磷光材料tris(2-phenylpyridine) iridium(Ⅲ)(Ir(ppy)3)和红色磷光材料tris(1-phenylisoquinolinato-C2,N)iridium(Ⅲ)(Ir(piq)3)为客体材料的薄膜进行了光致发射光谱测试和薄膜在Ir(ppy)3发光峰516 nm处的光致发光寿命测试,实验发现在Ir(ppy)3掺杂比例保持定值时,随着深能级掺杂材料Ir(piq)3的引入,其光致发光光谱中Ir(ppy)3的相对发光强度减弱且发光寿命变短,当Ir(piq)3掺杂浓度继续提高时,薄膜光致发光光谱基本保持不变且Ir(ppy)3的发光寿命基本不变。实验说明在低浓度掺杂下两者的三线态能级之间存在着能量传递,但当掺杂浓度达到高浓度时,能量传递主要来自于主客体之间的传递,两者作为独立的发光中心发光。然后利用溶液法制备了发光层分别为CBP∶Ir(ppy)3,CBP∶Ir(ppy)3∶Ir(piq)3和CBP∶Ir(ppy)3∶PTB7的三组器件,器件结构为ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/EML/TPBi(15 nm)/Alq3(25 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(80 nm)。在Ir(ppy)3和Ir(piq)3共掺杂器件和Ir(ppy)3单掺杂器件的对比实验中发现,加入一定比例的深能级材料后,器件的电致发光光谱发生改变,Ir(piq)3的相对发光强度增强,器件发光效率下降且效率滚降现象明显。通过对器件进行J-V测试,发现在Ir(ppy)3单掺杂器件中陷阱填充电流随着掺杂材料浓度的提高而提高,但在加入等浓度深能级材料Ir(piq)3后,陷阱填充电流基本保持一致。瞬态电致发光测试表明,随着Ir(ppy)3掺杂比例的提高,器件内由于陷阱载流子释放而产生的瞬时发光强度降低,这是由于Ir(ppy)3具有一定的传导电荷作用,会减少器件中的陷阱载流子,这进一步说明了具有较深能级的Ir(piq)3是限制载流子的主要能级陷阱。同时发现随反向偏压的增大,瞬态发光强度增大且发光衰减加速,这是因为位于深能级陷阱的载流子在高电压下被释放,重新复合发光,说明深能级陷阱的确限制住了大量载流子,而由于主体三线态激子具有较长的寿命,激子间相互作用产生的单线态激子在高反压下解离,从而引起三线态激子-极化子相互作用的加剧,导致发光衰减加速。在窄带隙聚合物材料PTB7与Ir(ppy)3共掺杂器件实验中发现,随着PTB7掺杂浓度提高,陷阱浓度变大且器件效率降低,具有较深能级的PTB7成为了限制载流子的深能级陷阱。因此说明在双掺杂有机磷光电致发光器件中,深能级材料会成为限制载流子的能级陷阱,引起载流子大量堆积,从而导致三线态激子与极化子相互作用加剧,使器件的发光效率衰退。 相似文献
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利用MgF2作为扩散源进行镁离子内扩散LiNO3单晶基片的研究.经电子探针显微镜分析表明,镁的扩散层镁离子浓度分布具有近似半抛物形和阶跃形分布,并得到镁的激活能为104KJ/mol.X射线衍射分析发现,当镁离子内扩散超过一定程度时,在镁的扩散层出现具有LiNb3O8的物相结构,并发现该物相结构的出现与LiNO3体内锂离子的外扩散和扩散表面氟离子的存在有关.由扫描电子显微镜观察到氟离子以LiF的形式出现,并随着扩散程度的增大,挥发和脱离开扩散层表面.
关键词: 相似文献
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研究了结构为 (FM/SiO2)3/Ag/(SiO2/FM)3 多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应(这里的F M≡FeCuCrVSiB).多层膜采用射频溅射法沉积在单晶Si衬底上,沉积过程中,沿膜面长方 向施加约72kA/m的磁场,然后在不同的温度下对样品进行了退火处理.结果表明,该多层膜 样品即使在沉积态便具有相当好的软磁性能和GMI效应,在7MHz的频率下,最大纵向和横向 巨磁阻抗比分别为45%和44%.在230℃下经90min退火处理后的样品具有最佳的GMI效应,在85MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别达到251%和277%.与磁性层总厚度相同的FeCuCrVSiB/Ag/FeCuCrVSiB三层膜相比较,在这种多层结构中出现的GMI效应更强.
关键词:
多层膜
巨磁阻抗效应
趋肤效应
有效磁导率 相似文献
9.
纯硅由于原材料来源广、熔点高,是潜在的太阳能热发电用热电材料.它的热电绩效因子ZT很小,室温只有0.01.本研究小组通过掺杂和结构纳米化制备了Si100P2.5(GaP)1.5,获得813℃时的ZT为0.47.本文在此基础上,通过引入一种新的机制——随机孔洞——来进一步提高纯硅基材料Si100P2.5(GaP)1.5的ZT.结果表明:由于孔洞增加了对低能载流子的过滤,Seebeck系数得到了提高;又由于孔洞对主要携带热量的声子的散射,晶格热导率大大降低,结果Si100P2.5(GaP)1.5的ZT提高了32%.研究结果表明引入随机孔洞是增加纯硅基体系ZT的有效途径. 相似文献
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本文用横截面电子显微镜法分析了Si-W/Si/SiO2/Si(100)在440—1000℃退火后的晶化过程,以及各个界面的变化情况.发现Si-W合金膜中,WSi2并未优先在表面、界面处形成晶核.当退火温度不高于700℃时,反应在合金膜内发生,表面、界面起伏和缓.退火温度高达800—1000℃时,界面、表面出现原子扩散,造成剧烈的界面起伏;表面则出现小的热沟槽,Si/SiO2界面也出现高分辨电子显微镜才能观察到的起伏.表面、界面的原子迁移的动力来源于晶界与表面、界面张力.由于SiO2中Si—O键很稳定,不易发生Si和O在界面处的互扩散,所以Si/SiO2界面起伏很小.
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Samson T. H. Silalahi Q. V. Vu H. Y. Yang K. Pita Yu Mingbin 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2010,98(4):867-871
Controllable size of silicon (Si) nanocrystals can be achieved by a two-step rapid thermal annealing technique consisting
of rapid annealing at 1000°C in nitrogen ambient and rapid oxidation at 600–800°C of a radio frequency magnetron co-sputtered
Si-rich oxide/SiO2 superlattice structure. The photoluminescence (PL) spectra related to Si nanocrystals were observed in the visible range
(600–900 nm). After rapid oxidation, the size of the nanocrystals was reduced and the quality of the Si nanocrystal/SiO2 interface was improved, resulting in a blue shift and an increase of the PL peak intensity. Finally, annealing in air increases
the PL intensity further. 相似文献
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Annealing effects on mobility-limiting mechanisms in modulation doping Si/Si0.8Ge0.2heterostructures
《Superlattices and Microstructures》1999,25(1-2):319-324
The changes in the mobility and carrier concentration in annealed modulation doping Si/Si0.8Ge0.2heterostructures with various channel thicknesses have been studied and mobility-limiting mechanisms were clarified. The dominant scattering mechanism was found to change to scattering due to uniformally doped impurities from the remote impurity scattering after annealing in samples with wider channel thickness. The thermal diffusion of both Sb and Ge caused the increase of impurity scattering and the reduction of the channel width. The channel reduction made the sample more sensitive to interface roughness scattering and gave rise to carrier localization in the extreme case. In the samples with intermediate channel width, co-operation between interface roughness and impurity scattering was observed after annealing. 相似文献
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报道了在Si基上用简便的真空反应法制备出GaN外延层.光致发光光谱测试结果表明不同的生长温度和退火工艺会对GaN外延层的发光特性产生影响,在1050℃下生长的GaN外延层的发光强度高于其他温度下生长的发光强度,退火可以使GaN外延层的发光强度增强.二次离子质谱(SIMS)测试结果表明外延层中Ga和N分布均匀,在表面处Ga发生了偏聚,同时外延层中还存在Si,O等杂质,这使得外延层中背景电子浓度高达1.7×1018/cm3. SIMS测试结果还表明,在外延生长前采用
关键词: 相似文献
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用导纳谱技术研究了两类Si基量子阱样品基态子能级的性质.基于量子阱中载流子的热激发模型,从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离.对于SiGe合金和Si形成的组分量子阱,主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响.发现样品的退火温度为800℃时,随退火时间延长,激发能增加.对此现象的解释是,由于Si,Ge互扩散,导致界面展宽,量子限制效应降低,重空穴基态位置下降,从而激发能增加.900℃下退火,由于扩散系数增大和应变弛豫加强,激发能值单调下降,量子限制效应引起的变化被掩盖.对于B高浓度超
关键词: 相似文献
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Completely amorphous Fe-Si layers are formed by Fe implantation into Si substrate at a dosage of 5×1015 cm−2 using a metal vapor vacuum arc (MEVVA) ion source under 80 kV extraction voltage and cryogenic temperature. After thermal annealing, β-FeSi2 precipitates are formed in Si matrix. The influence of impurities in these amorphous Fe-Si layers on the photoluminescence (PL) from β-FeSi2 precipitates is investigated. PL is found to be significantly enhanced by optimizing the impurity concentration and annealing scheme. After 60 s of rapid thermal annealing (RTA) at 900 °C, β-FeSi2 precipitates in medium boron-doped Si substrate give the strongest PL intensity without boron out-diffusion from them. 相似文献
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H. Yang 《Applied Surface Science》2007,254(2):527-531
The interface formation, electrical properties and the surface morphology of multilayered Ta/Ni/Ta/SiC contacts were reported in this study. It was found that the conducting behavior of the contacts so fabricated is much dependent on the metal layer thickness and the subsequent annealing temperature. Auger electron spectroscopy (AES) and X-ray diffraction analyses revealed that Ni2Si and TaC formed as a result of the annealing. The Ni atoms diffused downward to metal/SiC interface and converted into Ni2Si layer in adjacent to the SiC substrate. The released carbon atoms reacted with Ta atoms to form TaC layer. Ohmic contacts with specific contact resistivity as low as 3 × 10−4 Ω cm2 have been achieved after thermal annealing. The formation of carbon vacancies at the Ni2Si/SiC interface, probably created by dissociation of SiC and formation of TaC during thermal annealing, should be responsible for the ohmic formation of the annealed Ta/Ni/Ta contacts. The addition of Ta into the Ni metallization scheme to n-SiC restricted the accumulation of carbon atoms left behind during Ni2Si formation, improving the electrical and microstructure properties. 相似文献
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本文研究了不同能量(5—600keV)和不同剂量(1014-1016atom/cm2)下的P2+和P+注入〈100〉单晶硅后的损伤及退火行为。实验结果表明,P2+注入所产生的损伤总是大于P+注入所产生的损伤。由移位效率之比ND*(mol)/2ND*(atom)所表征的分子效应随入射能量的改变而变化并在100keV(P2+),50keV(P+)处达到极大值。P2+与P+注入的样品,退火后的载流子分布也有某些区别。我们认为,产生这些分子效应的基本原因是位移尖峰效应,但当入射离子的能量较高时,还应该考虑离子、靶原子之间的多体碰撞效应的贡献。
关键词: 相似文献
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《Applied Surface Science》1987,29(4):418-426
We have measured the evolution of a palladium/silicon interface under consecutive annealing periods, performed at 200°C in UHV conditions. The interface was analyzed by means of Auger electron spectroscopy combined with factor analysis applied in a sequential way. We found that silicide appears only after annealing and evolves until all the palladium is consumed. A silicon compound different from silicide, identified as PdxSi with x<2 is found at the interface Pd/Si and Pd2Si/Si, before and after annealing respectively. 相似文献