8－羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究

自1989年C.W.Tang的高性能有机电致发光(Electro-luminescence,即EL)器件工作发表以来[1],有机薄膜EL有可能成为一种新型的大面积平板显示器件.     

8—羟基喹啉铝的荧光老化机制

报导了８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）在紫外光照射下发生荧光猝灭的机制,测量了Ａｌｑ３在光照射前后的紫外－可见吸收光谱、荧光光谱、红外吸收光电子能谱（ＸＰＳ）,分析了紫外光照射后Ａｌｑ３分子结构变化,证明了产生结构变化的根源是中水与Ａｌｑ３发生了化学反应,对Ａｌｑ３的我老化机制提出了可能的解释。     

8-羟基喹啉铝在多孔铝中的发光研究

利用多孔铝非常高的孔隙率,将8-羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔铝中,得到Alq3/多孔铝镶嵌膜,研究了不同条件下制备的多孔铝镶嵌膜的荧光光谱。实验表明,Alq3在多孔铝中的发光峰位在490 nm左右,比其在固态粉末状态蓝移了许多。Alq3/多孔铝镶嵌膜的发光特性与多孔铝中嵌入Alq3分子的数量及聚集程度有关。当分子数量较多、聚集程度较大时,发光增强,光谱峰位红移,但聚集程度太大时,易发生荧光猝灭现象。数量较多时,由于Alq3分子大多以范德瓦尔斯力结合,聚体较少,所以峰位移动幅度不大。实验中还发现,Alq3因为处在小孔中,光学性质稳定,荧光光谱带宽超过100 nm,比一般染料大得多,这使Alq3/多孔铝镶嵌膜有可能在固体可调谐激光器方面得到新的应用;同时也为探究Alq3/多孔铝镶嵌膜在电致发光器件中的发光特性奠定了基础,为将其进一步推向实用提供了实验依据。     

多孔铝镶嵌8-羟基喹啉铝荧光光谱研究

利用多孔铝非常高的孔隙率,将8羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔铝中,得到多孔铝Alq3镶嵌膜.研究了镶嵌膜的荧光光谱,并与Alq3在溶液状态下的荧光光谱进行比较,发现其荧光光谱与Alq3在乙醇溶液中的光谱相似,呈现单分子的发光特征,并且光谱线形更加对称.实验表明,多孔介质有机镶嵌膜有可能成为进一步发展Alq3在电致发光器件方面应用的新途径. 关键词： 多孔铝 8-羟基喹啉铝 光致发光光谱     

偶氮金属螯合物薄膜的光学常数和吸收光谱

偶氮金属螯合物薄膜是一类新型光信息存储和光学非线性材料。通过旋涂法在单晶硅上制备了三种新型偶氮染料：2-（4-甲革-2-噻唑基偶氮）-5-二乙基胺苯酚（MTADP）掺杂聚合物,MTADP的镍螯合物（Ni-MTADP）和锌螯合物（Zn-MTADP）薄膜。利用宽谱扫描全自动椭圆偏振光谱仪测定了上述薄膜的椭偏光谱,获得了三种薄膜在400—700nm波段的复折射率、复介电常量和吸收系数。两种金属螯合物薄膜的共振波长比非螯合物薄膜红移了60—70nm;光学常数和吸收系数在峰值的数值也发生了明显的变化。由于这两种螯合物具有不同的立体结构,Ni-MTADP薄膜的共振波长比Zn-MTADP有10nm的红移。     

8-羟基喹啉锂的蓝色有机发光二极管

8羟基喹啉金属螯合物是目前研究较多的有机小分子发光材料,其中,8羟基喹啉铝(Alq3)是这类材料中最重要的一种,具有良好热稳定性和成膜性,电子迁移率为10-5cm2Vs,是有机电致发光(EL)器件中最常用的电子传输发光材料。可是其发光峰在524nm,只作为绿色和红色发光器件的基质材...     

高压下两种8—羟基喹啉络合物的发光行为和结构变化

测定了在高压条件下两种金属(钙和锌）的8-羟基喹啉络合物的晶体粉末样品的发光行为和原位X光衍射光谱．结果表明,压力对其发光性质产生极大的影响．随着压力的增加,8—羟基喹啉钙的发光强度在3GPa以内时大大增加,随后发光强度快速下降．到7GPa左右时几乎为零,而8-羟基喹啉锌的发光强度随压力的增加而逐渐降低,到7GPa左右时约为常压的10％。高压下的原位X光衍射结果表明,8—羟基喹啉锌的晶体在3—4GPa开始发生非品化相变,在7GPa时该非晶化相变完成,样品的x光衍射完全消失．而8—羟基喹啉锌在压力的作用下(至16GPa)没有发生明显的相变。     

镶嵌于多孔硅微腔中8-羟基喹啉铝的窄峰发射

利用浸渍法将8羟基喹啉铝(Alq₃)镶嵌到多孔硅微腔中,制备了多孔硅微腔—Alq₃镶嵌膜,研究了多孔硅微腔对镶嵌其中的Alq₃自发发射的微腔效应,观察到了光谱窄化、发光强度增强等现象。镶嵌于多孔硅微腔中的Alq₃荧光光谱的半峰全宽只有15nm,而非微腔样品,即镶嵌于普通的单层多孔硅中Alq₃荧光谱半峰全宽在85nm以上。并且有微腔时Alq₃发光强度比没有微腔时Alq₃发光强度增强一个数量级。随机改变微腔中Bragg反射镜高折射率层的几何厚度可使高反射区展宽,从而更加有效地抑制了多孔硅本身的发光模,使发光色度更纯,但由于峰值透射率减小,导致共振峰强度有所减小。多孔硅微腔有机镶嵌膜有可能成为进一步发展Alq₃在电致发光器件方面应用的一条新途径。     

八-羟基喹啉铝薄膜光致发光的厚度依赖性质

通过原位测量对八-羟基喹啉铝薄膜(Alq_3)光致发光的厚度依赖性质进行了研究.在 Alq_3向玻璃衬底沉积的初始阶段,Alq_3光致发光谱峰发生了显著红移,此后谱峰随着 Alq_3厚度的增加红移变缓并趋于饱和.Alq_3薄膜厚度从2nm 逐渐变化到500nm 时,Alq_3谱峰位总红移约为12nm.这种 Alq_3薄膜沉积的初始阶段 Alq_3谱峰的显著红移可归因于二维激子向三维激子态的转变.同时,由于激子同衬底的相互作用所引起的非辐射衰变,在 Alq_3沉积的初始阶段 Alq_3光致发光谱峰的强度呈现不同的变化,随后该谱峰的强度随 Alq_3薄膜厚度的增加而快速增加,并在薄膜厚度较大时,趋向于饱和.     

取代基对8-羟基喹啉金属配合物电子光谱和二阶非线性光学性质的影响

在B3LYP/LANL2DZ/6-31G^*水平上优化目标化合物分子的几何结构,并分别在TD- B3LYP/LANL2DZ/6-31++G^**和B3LYP/LANL2DZ/6-31++G^**水平计算目标化合物分子的电子吸收光谱和二阶非线性光学性质.计算结果表明,引入共轭给电子基使配合物分子的最大吸收波长红移,强共轭吸电子基的引入使配合物的最大吸收波长蓝移,取代基的引入使IrQ₃型配合物的二阶非线性光学性质明显增大.对AgQ型配合物,电子跃迁属于配体内部的电荷转移（LLCT）.对PtQ₂和IrQ₃型配合物,电子跃迁属于LLCT和部分金属向配体的电荷转移.取代基对AgQ,PtQ₂,IrQ₃型配合物分子的跃迁性质几乎无影响. 关键词： 8-羟基喹啉金属配合物 电子光谱 二阶非线性光学性质 密度泛函理论     

蛋白质－银（Ⅰ）－铜（Ⅱ）络合物的生成及其紫外与红外光谱

用甲醛和十二烷基硫酸钠预处理血清白蛋白和血红蛋白可使Ａｇ（Ⅰ）和Ｃｕ（Ⅱ）离子从它们的氨合络离子中生成棕黄色络合物。用红外和紫外光谱研究了络合物的生成机理，证实在反应过程中有自动催化效应。血清白蛋白胱氨酸残基及血红蛋白肽链端基上的氮和氧与Ａｇ（Ⅰ）和Ｃｕ（Ⅱ）离子形成灵敏度很高的络合物。     

氮掺杂富勒烯的红外和紫外可见光谱

本文报道了氮掺杂富勒烯的红外和紫外可见光谱，发现氮原子替位掺杂可激活Ｃ６０分 部分红外沉寂模式，紫外可见光谱证实，氮掺杂后，氮以施主态存在。     

稀土与丙氨酸、咪唑三元配合物的FTIR和UV/VIS光谱

用氯化稀土(La,Pr,Eu)与α-丙氨酸、咪唑固体混配体配合物以及对应稀土盐、配体α-氨基酸和咪唑进行了FTIR光谱和固体UV/VIS、水溶液UV/VIS光谱测试,分析了配合物的光谱特性,讨论了配体和Ln(Ⅲ)离子配位方式与配合物光谱的关系.     

铜－多孔硅光致发光和红外光谱研究

本文报道了铜－多孔硅的稳态光致发光，瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究，讨论了铜在多孔硅表面吸附产生的表面电子态所起的非辐射复合中心的作用。     

铜－多孔硅光致发光和红外光谱研究

本文报道了铜-多孔硅的稳态光致发光,瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面吸附产生的表面电子态所起的非辐射复合中心的作用。     

五种氨基酸钆络合物的ESR波谱

迄今未见任何稀土氨基酸络合物的ESR波谱报道,本文在合成Gd³⁺分别与甘氨酸、β-丙氨酸、谷氨酸、天冬氨酸和天冬酰胺五种氨基酸络合物的基础上,测定了不同温度下,水溶液、粉末及分子筛吸附样品的ESR谱,讨论了络合物中晶体场强,对称性及成键特性。     

几种炸油的紫外及可见光吸收光谱和介电常量变化的研究

本文报道了几种实际采集的炸油的紫外及可见光吸收光谱和介电常量的测量结果.对检测炸油使用后质量变化所采用的几种物理方法进行了分析和讨论.     

对苯二酚显影过程产物醌氢醌吸附在Ag胶上的紫外-可见吸收光谱及SERS研究

本文记录并确认了对苯二酚显影过程产物醌氢醌吸附在Ag胶上的紫外-可见吸收光谱和SERS光谱。通过Ag~+和Br~-对SERS光谱效应的影响和SERS猝灭效应的研究,认为AgBr溶胶还原后生成的显影Ag胶是SERS活性的;醌氢醌吸附在显影Ag胶上的SERS效应的增强机制,主要是化学活性点的分子增强。     

过渡金属原子团簇的电子能谱与吸收光谱

文献〔１〕从理论上阐明了金属原子团簇的公有化电子能谱具有分裂能级的特点，因而其公有化电子具有吸光的特性，并计算了Ｃｕ与Ａｌ的金属原子团簇的吸收光谱。然后，在文献〔２〕中用此理论计算了碱金属原子团簇的电子能谱与吸收光谱。现进一步推广此理论来计算过渡金属原子团簇的电子能谱与吸收光谱。