用于CRT的大电流密度阴极

本文介绍了用于大屏幕、高分辨率、高亮度 CRT 中电子枪阴极的工作特点,并从适合于 CRT 应用的立场讨论了近几年来有关的几种阴极的研制动向和今后课题。     

大电流密度工作的氧化物阴极

涂氧化物阴极由于其在低工作温度下具有高发射效率而被广泛应用于电子管中。由于焦耳效应造成的打火或过热限制,氧化物阴极的直流发射最大极限考虑为0.5安/厘米~2。在1000°K的工作温度及从1.0至4.0安/厘米~2电流密度的情况下,我们成功地实验了具有相当长寿命的氧化物阴极。在平板二极管和三极管中进行了不同类型的氧化物阴极实验。发现,三极管中氧化物阴极的工作极限远比二极管中苛刻得多。进行了直流大电流密度二极管实验,同时,在直流、高频及脉冲条件下完成了三极管实验。在二极管中进行的大电流密度氧化物阴极实验表明,当前采用的阴极材料的某些极限仅大于4.0安/厘米~2。在目前阴极材料的极限为2.0安/厘米~2的三极管中出现了一些有趣的效应。由很小的极间距离造成的栅极过载及聚束效应产生了阳极表面的侵入作用及阴极污染。试验了各种栅极材料并对其结果进行了比较。在约为1.0安/厘米~2的平均电流密度下进行了大功率高频振荡器的三极管实验。在此工作模式中,栅极的设计及其材料是限制因素。在此模式中,栅极材料的蒸发可能使管子受到突然的严重破坏。在高频工作期间,沉积在绝缘子上的栅极材料使管子破裂。对实验进行的讨论表明,通过适当地选择材料可以避免产生此种结果。     

大电流密度和长寿命阴极

一、引言在不同的应用场合,为了能从较小的阴极发射面上获得较大的电流,需要阴极具有比一般更高的电流密度(例如:在空间电荷限制区域能给出10安/厘米~2的恒定电流而不是1安/厘米~2),这样,管子中的电子注只要求较小的     

毫米波器件大电流密度阴极的研制

根据毫米波器件对阴极提出的需高发射电流密度和低工作温度的要求,从国内外有关资料获悉:多年来在研制铝酸盐钡钨阴极的基础上,不论在海绵基体或发射物质方面均进行了大量工作,出现了能提供大电流密度的敷膜式M型阴极和钨酸钡锶阴极,但制备工艺复杂.苏联自一九六七年开始,研究制成了压制型钪酸盐阴极,由于<3BaO·2Sc_2O_3>熔点高,很难制成工艺简单的浸渍型阴极.七十年代,美国、荷兰相继制成了复合钪酸盐阴极,降低了盐的熔点,从而制成了浸渍型钪酸盐阴极.由于后者工艺简单、制造方便,加     

用于太赫兹真空器件的大电流密度阴极

主要介绍了太赫兹器件对电子源的需求,并对国际上各类适用于太赫兹器件的电子源进行了分析和对比.作者认为正在研发的热阴极和冷阴极(场发射阵列阴极)是未来太赫兹器件电子源的两个选择.目前,热阴极技术和场发射冷阴极也正在因为器件需求的推动而进一步发展,并已经取得了较好的成果.文章最后就北京真空电子技术研究所近年来的热阴极技术进展和场发射冷阵列阴极技术发展进行了简明介绍;所取得的技术成果表明,热阴极和场发射阵列阴极都具有广泛的太赫兹器件应用前景.     

高电流密度氧化物阴极进展

氧化物阴极直流运用的发射电流密度为0．5A／cm^2，如使用Sc2O3分配式氧化物阴极，可使发射电流密度提高到2A／cm^2，而使用Ba2Sc2O5分配式氧化物阴极则有进一步提高到3．8Am／cm^2的可能。若采用Sc2O3的钨薄膜分配式氧化物阴极，则可进一步达到4A/cm^2不掺杂物质，仅将(Ba,Sr，Ca)O制成亚微米氧化物阴极也可将电流密度从0．5A／cm^2提高到2A／cm^2。     

大电流密度碳纳米管阴极的生长及场发射性能研究

研究了碳纳米管作为大电流密度场发射阴极的CVD生长情况与场发射性能。结果表明,通过CVD生长的碳纳米臂的直径与催化剂颗粒的直径相近,其生长方向是随机的。根据薄膜厚度与催化剂颗粒的关系,认为通过控制催化剂薄膜的厚度可能会达到调节碳纳米管直径的目的。在实验中获得的碳纳米管具备了良好的场发射性能,在直径为0．13mm的圆形面积上获得的碳纳米管场发射平均电流密度达到1．28A／cm^2。     

应用于太赫兹器件的大电流密度带状注阴极的研制

介绍了一种应用于太赫兹器件的大电流密度带状注阴极,带状发射带尺寸为0.14mm×2.5mm。该阴极采用特殊的设计和制备工艺,在直流状态下可以提供80A/cm2的大电流密度。     

一种从阴极象推算显象管阴极电流密度的方法

本工作利用电视和微处理技术,把整幅阴极象存入微机内存,经处理后推算出阴极电流密度。根据显象管阴极电流模拟值等于整幅图象的电流数字值之和的原理,可推出各象素的发射电流密度。因此本方法可直接对实用显象管推出阴极有效发射区中的电流密度分布。     

栅控枪中阴极发射电流密度的调节

分析了栅控枪中阴极面发射不均匀的原因,特别是栅极的加入对阴极发射的影响。模拟了栅极尺寸改变对阴极发射电流的调节作用,得到了栅网的几个主要尺寸变化对阴极发射影响的规律。在设计时,可以根据其对栅网进行优化处理,以得到比较均匀的阴极电流发射,从而延长阴极的使用寿命。     

大电流密度器件的欧姆接触

根据大电流密度器件对欧姆接触的要求,研究了如何获得高质量的Ti-Ni-Ag欧姆接触层的方法,并成功应用于生产.     

大电流密度光阴极的进展

长期以来,光阴极主要应用于辐射探测及微光成象。几乎所有应用于上述目的的光阴极都被设计为低电流密度工作状态(1A/cm2)。这类光阴极在强光照射下,很快地出现疲劳现象。七十年代出现的大电流密度光阴极能在脉冲的或持续的强激光照射下产生大电流密度光电发射。本文着重报道这一时期大电流密度光阴极的进展,介绍它们的实际应用,并对几种大电流密度光阴极进行对比和评价。     

一种低温大电流密度的热阴极

中国科学院电子学研究所已经研制出了一种浸渍钪酸盐钡钨阴极。中国科学院已于1982年7月通过了对该项成果的鉴定。该阴极的突出优点是工作温度范围宽,在较低工作温度下,具有小的蒸发;制造工艺简单,容易掌握。其性能已达国际先进水平,并已在国产回旋管、磁控管、速调管及行波管等十几种器件中获得应用,效果良好。 该阴极的主要性能为:(1)热发射脉冲宽定为100μs;重复频率100Hz下的拐点发射电流密度j拐在阴极温度达800℃时为10A/Cm~2,850℃,900℃时为30A/cm~2(15只钼阳极管的平均值);直流3/2次方曲线     

一种低温大电流密度的热阴极

中国科学院电子学研究所已经研制出一种浸渍钪酸盐钡钨阴极。中国科学院已于1982年7月通过了对该项成果的鉴定。该阴极的突出优点是工作温度范围宽,在较低工作温度下,具有大的发射电流密度;在较高的温度下,具有小的蒸发;制造工艺简单,容易掌握。该阴极在国内外处于领先地位,并已在国产回旋管、磁控管、速调管及行波管等十几种器件中应用,效果良好。该阴极的主要性能为:(1)热发射性能:脉冲宽度为10μs,重复频率为50Hz下的拐点发射电流密度