首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
从电场分布的角度,研究了换热表面上气泡在电场力作用下的变形规律和气泡变形影响EHD(electrohydrodynaInics)强化沸腾换热的机理.电场分布决定了气泡在电场力作用下的变形方式,如果换热表面的电场强度高于周围液体或电极的电场强度,则气泡受拉伸作用:反之,气泡受压制作用.热边界层的存在会减小电场力对气泡的拉伸作用,增强电场力对气泡的压制作用,但不会改变气泡的变形方式,气泡在换热表面上无论是被拉伸还是被压制,都能使沸腾换热得到强化,但两者的强化换热机理不同。  相似文献   

2.
研究在外加电场作用下,不同介电常数的工质对强化沸腾换热的影响,分析了苯、R11、乙醚和乙酸乙酯4种工质在池沸腾换热中,气泡附着于壁面时的电场分布特性及气泡所受的电应力.结果表明:随着工质介电常数的增加,气泡表面场强分布的不均匀性增加,其所受电应力分布愈不均匀,导致气泡形变量加剧,甚至造成破裂.  相似文献   

3.
为进一步探索电场强化沸腾换热的机理,利用高速摄像仪对沸腾汽泡在电场作用下的生长过程进行了可视化实验研究.实验观察到电场作用下汽泡生长的动态图像.研究结果表明,电场作用下汽泡沿场强方向伸长,随着场强的升高,汽泡的脱离长径比增大,汽泡脱离壁面时的椭球外形更加明显;随着场强的增大,汽泡的脱离体积减小.分析了汽泡行为的变化对电场强化沸腾换热的影响.  相似文献   

4.
气液两相流中气泡周围电场特性研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
针对均匀电场作用下的气液两相系统建立了数学模型,研究了单个及多个气泡附着于壁面、即将脱离和上升至两极板间的电场分布情况.结果表明,气泡周围电场的强弱及其分布的均匀性是影响气泡运动的重要因素.当大量气泡出现并有部分气泡脱离壁面时,电场对气泡的作用减弱,这为高热流密度下电场强化沸腾换热效果不再明显提供了理论依据。  相似文献   

5.
电场对注入气泡和沸腾汽泡影响的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
为进一步探索电场强化沸腾换热的机理,利用高速摄像仪拍摄了注入氮气气泡和R123工质沸腾汽泡在直流电场作用下的实验图像,并对气泡脱离壁面时的形态进行了定量分析.实验结果表明,注入氮气气泡和R123沸腾汽泡在电场作用下形状发生了显著变化,电场强度越大,气泡的形状变化也就越明显,并且电场对沸腾汽泡的影响更为显著.此外,注入氮气气泡和沸腾汽泡的脱离体积在电场作用下也发生了变化,随着电场强度的增大,脱离体积有减小的趋势,且冷态注入氮气汽泡的体积在电场作用下的变化较沸腾汽泡明显.  相似文献   

6.
对均匀高压电场作用下平板池沸腾换热的强化效果进行了试验研究,发现在较低过热度的范围内电场对换热有明显的强化效果.场强越高,相同过热度对应的换热系数越高.在相同的场强下,强化系数随着热流密度的增加而减少.结合试验结果对电场强化沸腾换热的机制进行了分析.在热流密度较小的范围内,对流换热占主导地位,电场强化对流换热使壁面过热度大大下降,导致相应过热度下汽泡的平衡半径提高,因此,抑制了核态沸腾.随着热流密度的提高,汽泡的产生和运动成为影响换热的主要因素,此时过热度的变化不是很大,在相同的过热度下,电场可以减小汽泡的临界半径,使汽泡增多.在汽泡准备区,电场会影响汽泡的核化;在汽泡成长区,电场会影响汽泡的长大、变形和脱离;在非沸腾区,电场会影响单相流体的自然对流换热.  相似文献   

7.
在分离式热管结构的电水动力学(EHD)强化传热试验台上,采用R11工质、直流高压电场,首次完成了垂直管内沸腾换热的EHD强化试验研究,结果表明:采用EHD技术对垂直管内的沸腾换热有明显的强化效果;低热流密度时,强化效果较好,增大热流密度时,强化效果减弱;当热 流密度维持不变时,强化系数随着电场电压的增大而增大;沸腾换热的最大强化系数为428%。  相似文献   

8.
利用电水动力学(EHD)技术对工质R123进行了均匀高压电场下电场极性对池沸腾换热影响的实验研究.在该实验中,换热面为一平板并接地作为0电极,高压电极为平行于换热面的网状电极.实验的热流密度为2~25kW/m^2,电压为0~±25kV,得出了正、负电压下换热系数、壁面过热度、EHD强化系数和热流密度之间的变化关系.结果表明,无论施加正、负电压,强化系数均随热流密度的增加而下降,最终达到稳定值;高热流密度下,正电压有较弱的强化效果;正电压下的强化换热效果优于负电压下的强化换热效果.  相似文献   

9.
为加深对狭缝通道内水沸腾换热机理的探索,对宽度为2 mm、长度为300 mm的竖直狭缝通道内水沸腾气泡动力学展开研究,通过数值模拟的方法探索气泡生成、长大和脱离的过程,分析了壁面过热度、泡底微层的运动对沸腾换热的影响,并与实验数据进行了对比.数值计算中考虑了重力、表面张力和壁面黏附作用.研究结果表明:表面张力在细通道沸腾换热过程中所起的作用要远远大于重力;壁面过热度越高,气泡脱离直径越大;随着加热时间的增加,气泡直径d不断增大,当d≥1.5mm时,就会受到来流的影响而发生形变;泡底微层的存在加速了壁面对流,对换热系数的提高有一定作用;数值模拟结果与实验数据吻合良好.  相似文献   

10.
综述了国内外EHD强化沸腾换热的机理和理论研究成果,概括了以往研究的特点,对今后在该领域的研究方向及重要提出了建议。  相似文献   

11.
微尺度核态沸腾换热的汽泡交互作用实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
核态沸腾换热是一种高效的换热形式,沸腾机理的研究对强化传热的研究很重要。实验采用微尺度96加热片阵列,通过独立的控制电路,加热独立的各个加热片,使其维持在恒定温度120℃上。利用高速摄像技术分别从汽泡的底部和侧面对汽泡生长及运动现象进行可视化观测,并用高速数据采集系统同步记录汽泡一个生长期间不同阶段的热流密度。实验首先单独加热每个独立的区域,产生单个汽泡,并分析汽泡脱离频率、脱离直径和热流密度;然后通过加热两个相隔一定位置的加热片区域,使得汽泡长到一定大小后能够碰撞、合并为一个新汽泡并最终脱离。这种汽泡交互作用伴随着汽泡的变形、滑移,显著增加了沸腾换热的热流密度和汽泡脱离频率。通过分析每个加热片的热流密度,得出瞬态导热是沸腾换热的主要机理。  相似文献   

12.
空间电场测量时,因电场传感器探头被引入到测量域中,探头附近的电场将发生畸变,而影响电场测量精度。以球形探头为研究对象,利用分离变量法分析了均匀电场中引起电场畸变的影响因素,具体分析了10 kV电压下,球形传感器探头尺寸、电极材质以及测量电极的极间耦合对电场畸变的影响。根据传感器感应电压与电场强度大小成线性关系,利用影响因子矩阵对电场畸变进行了校正分析。分析结果表明,在均匀电场中探头附近和主电极与副电极之间产生较严重的电场畸变,平均畸变率在27%以上;利用影响因子矩阵对电场畸变进行校正后平均误差为4.47%左右。通过对球形探头传感器在均匀场域中的工频电场测量的畸变效应分析,有利于降低畸变对电场测量影响,提高电场测量的精确性。  相似文献   

13.
讨论在匀强电场中未放入导体球前选择球心处的电势ψ0,并给出了确定ψ0的具体方法.  相似文献   

14.
从气泡核化条件及沸腾起始点要求出发,提出相变判定条件,从而准确界定沸腾区域. 基于沸腾均相流计算模型框架,建立了沸腾传热数值计算模型,并利用Robinson实验数据对该计算模型的准确性进行了校核. 利用该数值模型对缸盖温度场进行了预测,与实机测温结果进行实验比对,证明新沸腾数值模型计算结果更接近实机测试温度,火力面测点最大误差不超过7%.   相似文献   

15.
IntroductionBoiling is often encountered in a wide variety ofapplications,including traditional industrialprocesses,such as metallurgical quenching,flooded tube and shell evaporators,and immersioncooling of industrial components,and modern heattransfer te…  相似文献   

16.
以宫颈癌Hela细胞为实验对象,利用自制脉冲电源和台盼蓝染色法计数,针对不同的电脉冲参数作用于Hela细胞上,研究了细胞可逆和不可逆电穿孔的场强阈值范围,重点研究了脉冲个数、脉冲宽度和电场强度对细胞不可逆穿孔率的影响,并选择了优化的参数组合。实验发现,在固定脉冲宽度50 μs和20个脉冲个数不变的情况下,Hela细胞出...  相似文献   

17.
以匀强电场为研究对象,从匀强电场场强与电势的关系出发,推导出匀强电场中同一直线上任意三点电势之间的定量关系,其形式类似于解析几何中的定比分点坐标公式.该方法可使类似问题由定性分析转化为定量计算,提高了解题的准确性.  相似文献   

18.
微重力下流动沸腾中汽泡脱离机理初探   总被引:1,自引:0,他引:1  
从单个汽泡动力学着手定性地分析了影响微重力下流动沸腾中汽泡脱离的几个因素,提出了对汽泡脱离的一种理解:在一定工况条件下,如果已产生的汽泡在垂直于流动的方向上能够为新产生的汽泡持续提供足够空间,在平行于流动的方向上它又能随着两相流动及时地滑移开,即可以实现微重力下流动沸腾中汽泡的持续脱离,为微重力下核态沸腾的形成提供可能.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号