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<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然 相似文献
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物质减薄到和原子差不多的厚度时,将出现许多新的特性。利用它可以开发出各种新的半导体元件和各种人工材料。原子层外延技术便是实现物质这种减薄的方法,本文将介绍它的现状和展望。 相似文献
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原子氢辅助分子束外延生长以GaAs材料性能的改善 总被引：1，自引：0，他引：1
利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了常规分子束外延和原子氢辅助分不外延生长的掺杂Ｓｉ和Ｂｅ的ＧａＡｓ同质结构样品中缺陷的电这特性。发现原以辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低,这可解释为生长过程中原子对缺陷的原位中和与钝化作用。 相似文献
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以GaAs(100)为衬底,采用原子层外延(ALE)的方法在GaAs缓冲层和常规InSb外延层间引入85个周期约30 nm的InSb低温缓冲层,以快速降低InSb和GaAs界面间较大的晶格失配(14.6%)对外延层质量造成的不利影响,从而改进异质外延薄膜的电学性能。实验结果显示,ALE低温缓冲层能较快地释放晶格失配应力,降低位错密度。室温和77 K的Hall测试显示,引入低温ALE缓冲层生长的InSb/GaAs异质外延薄膜,其InSb外延层本征载流子浓度和迁移率等电学性能较常规的方法有着较大的改进。 相似文献
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简述了ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用的现状及发展趋势，提出了我国在ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用方面的建议。 相似文献
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GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展 总被引：1，自引：0，他引：1
报道了ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备及其可靠性，以及基于欧姆接触退经的ＧａＡｓＭＥＳＰＥＴ的失效分析，结果表明，ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备已日趋成熟，接触电阻有所减小，表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高，接触材料也日趋丰富ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的失效分析方法也有明显改进。 相似文献
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本文评述了GaAlAs/GaAs HBT的研究现状,着重讨论了制造HBT的重要技术和应用前景;对HBT的进一步发展也进行了探讨。 相似文献
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短波通信是实现超视距军事通信的重要手段之一,美军标MIL-STD-188-141B定义了第三代短波自动链路建立(3G-ALE)技术体制。高速数据链路协议(HDL)是3G-ALE系统中为一对短波终端或节点之间提供无差错数据传输的自动请求重发(ARQ)协议。详细阐述了短波3G-ALE系统中的HDL协议,介绍了其原理,分析了其优缺点,提出了改进措施,并将改进措施与原协议在吞吐量上进行了比较,理论分析及仿真结果直观显现了改进措施的有效性。 相似文献
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利用第三代自动链路建立协议(3G ALE)同步模式进行短波组网。首先重点介绍了3G ALE协议特点,阐述了3G ALE同步通信模式在短波通信组网中的应用,运用OPNET仿真软件对3G ALE同步通信建链协议进行建模,搭建短波通信网络场景,分析网络性能和网络容量,通过仿真运行结果验证3G ALE同步组网技术可行性,对比了3G ALE和第二代自动链路建立协议（2G ALE）的仿真结果。 相似文献
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自动链路建立(ALE)是短波通信的重要环节。ALE通过链路质量分析算法,对扫描的信道进行打分并存储,在此基础上选择信道,进行点到点和点到多点的通信,并及时更新键路质量数据。但是在协议的研究模拟中,由于系统复杂,涉及电台硬件多,调试相当困难。提出了一种通过计算机声卡传输ALE信号的解决方式,给出了硬件和软件环境,克服了仿真调试环境困难的情况。 相似文献
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综述了近年来以 HBT、MESFET及 HEMT为基本单元的 Ga As超高速集成电路的发展情况 ,并对其市场的应用作一介绍。 相似文献
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介绍了 Ga As ASIC标准单元库构成、分类和特点。说明了标准单元库的噪声容限、瞬态特性和单元扇出能力的描述方法。介绍了该库的设计流程和用户接口 相似文献