HL-1M装置在NBI期间注入H弹丸和Al杂质的辐射损失特性

使用十六道探测器阵列在HL1M装置上对中性束加热等离子体中注入氢丸和铝杂质的辐射损失功率进行了测量。通过对测量数据的分析,获得了以下主要实验结果:(1)中性束加热等离子体辐射损失功率密度分布在等离子体小半径(35)a范围内较平坦,辐射功率密度为0.1W·cm-3左右;(2)在中性束加热期间,用激光吹气注入铝杂质,辐射损失功率密度增加了1倍,但它的分布不明显峰化;(3)注入的氢丸使等离子体辐射损失功率密度增加了2倍多,且辐射损失功率密度分布显著峰化。     

HL－1装置等离子体辐射损失实验研究

本文叙述了在器壁碳化、抽气孔栏、偏压电极、送杂质气体、ＥＣＲＨ加热和弹丸注入等实验条件下用多道辐射热探测器（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）阵列测得的ＨＬ－１等离子体辐射损失，并给出了辐射损失的时空分布图。     

壁涂覆后和LHCD期间HL—1M装置辐射损失测量

本文叙述了第一壁涂覆和低杂波电流驱动对ＨＬ－１Ｍ装置等离子体辐射损失的影响。     

用光电探测器测量核聚变装置等离子体辐射损失功率

本文叙述了使用十六道光电二极管测量系统,对中国环流器新一号核聚 变装置等离子体辐射损失功率的测量结果。主要实验结果如下：（1）电子回旋波（ECW）波注入,辐射损失功率随时间的变化。（2）弹丸注入等离子体后辐射功率密度增加了1．5倍。（3）超声分子束注入到等离子体后,辐射功率密度增加了30％。     

HL—1装置等离子体辐射损失实验研究

本文叙述了在器壁碳化、抽气孔栏、偏民极、送杂质气体、ＥＣＲＨ加热和弹丸注入等实验条件下用多道辐射热探测器阵列测得的ＨＬ－１等离子体辐射损失，并给出了辐射损失的时间分布图。     

HL—1M装置波加热和加料等离子体的辐射损失特性

等离子体的杂质将对等离子体的能量平衡产生很大的影响,杂质的增多将增加辐射损失功率,降低等离子体温度,使得等离子体约束性能变差。由于等离子体辐损失功率与等离子体中的杂质密度有一定的关系,我们测量到等离子体辐射损失功率和辐射功率密度分布就可以得到离子体中有关杂质的信息。     

HL-1M装置中超热电子的X射线辐射测量

用新研制的五通道碘化汞（ＨｇＩ２）半导体探测器阵列分别观测了在欧姆发热、弹丸注入及离子回旋共振加热（ＩＣＲＨ）条件下,ＨＬ－１Ｍ等离子体中的超热电子引起的能量在１０～１５０ｋｅＶ范围内的Ｘ射线辐射强度的时空变化,及超热电子辐射的Ｘ射线能谱。结果显示,在ＩＣＲＨ期间,等离子体边缘的Ｘ辐射增强,超热电子的温度大约为３０ｋｅＶ,ＩＣＲＨ的能量沉积在等离子体边缘。     

HL-2A装置杂质线辐射测量的初步结果

杂质作为等离子体和第一壁相互作用的产物，由于能强烈地影响等离子体品质而一直是人们关注的焦点之一。杂质作为托卡马克中热辐射和冷电子的来源，影响等离子体能量和粒子的平衡，进而影响等离子体密度、温度和电流的分布，制约着托卡马克等离子体的输运和稳态运行。     

HL-1装置的磁场测量

本文叙述了HL-1装置环向场线圈、内外垂直场线圈,欧姆变压器初级绕组和偏磁绕组的磁场测量方法和结果,初步讨论了带有切口的铜壳对磁场的影响。     

HL—1装置边缘参量的光谱学研究

用光谱学方法测量了HL-1托卡马克等离子体中性氢原子密度n_0的时空分布,氢原子流入通量Г_0。粒子约束时间τ_p及再循环系数R等,测得n_0约为10~9—10~(11)cm~(-3),Г_0为10~(15)—10~(16)cm~(-2)·s~(-1),τ_p为几毫秒到几十毫秒,R≈0.8。根据多次放电实验数据得到了有关的定标关系。实验表明,孔栏半径的大小对氢原子流入通量及粒子约束时间都有显著影响。孔栏在粒子再循环方面起主要作用。     

HL—1装置的反磁磁通测量

本文简要地叙述了HL-1装置上等离子体反磁磁通测量,由此推算β_p、平均能量、能量约束时间的原理和方法,给出了典型放电的测量和计算结果。     

HL—1装置等离子体破裂的电磁效应

本文描述HL-1装置放电过程中,等离子体破裂及环形导体中感应电压和电流的精细测量。给出了破裂时内真空室和铜壳的感应涡流、磁场和电动力。分析了它们对装置工程的影响。     

HL-1装置等离子体的软X射线能谱分析

本文分析了HL-1托卡马克等离子体的软X射线能谱,包括杂质谱线CrK_a,NiK_a,MoK_a辐射强度与孔拦半径a_L,环电流及充气压强P_H之间的关系。讨论了放电初始段、终了段及逃逸电子流较强的放电的软X射线能谱的特点。     

HL—1装置等离子体位置反馈控制

本文简述了用位移做反馈控制信号,用非线性二位调节器组合前馈环节,控制厚钢壳(厚度d=5cm)外的垂直场和水平场线圈电流,在HL-1装置上实现了等离子体位置反馈控制的情况。当铁芯不饱和时,在水平和垂直两个方向上均可控制等离子体位置在±2mm之内。     

HL—1装置电流上升段辐射与杂质特性

托卡马克等离子体中的杂质会影响托卡马克的放电品质及等离子体特性。许多理论和实验对杂质的产生和输运做了深入详细的研究。等离子体电流起始阶段,由于约束性能不好,会引起大量的杂质产生,辐射损失增大是杂质增加引起的直接后果。杂质辐射是等离子体辐射的主要组成部分之一,等离子体线辐射功率～Z_(eff)~6,复合辐射功率～Z_(eff)~4,轫致辐     

氮ECR微波等离子体的电子能量分布研究

为了对ＧａＮ薄膜低温生长提供更多的活性氮，在一个腔耦合电子回旋共振（ＥＣＲ）半导体加工装置上，用朗谬探针和二次微分理论，研究了氮ＥＣＲ等离子体的实际电子能量分布。发现它们都是非麦克斯韦分布，含有高能电子，而且随着放电气压的下降和微波功率的增加，高能电子成分增加。