湖震现象理论分析

用浅水波理论为湖震现象进行了分析，结果表明，湖震可以用驻波的概念解释。     

一种获得低压三相交流电的简易方法

提出一种用单相交流电获得低压三相交流电的简易方法，根据基尔霍夫定律用复数法解释了工作原理，并导出了实际电路中元件参数的计算公式。     

宇宙是十二面体吗?

近来法国与美国的宇宙学家提出空间可能是有限的，形状像一个十二面体，他们宣称，对于测量到的宇宙微波背景辐射可以采用形如十二面体的宇宙来解释，而不能用普通形状的宇宙解释(Luminet J P et al．Nature，2003，425：593)。     

如何正确解释静电场对水流作用的实验

本文用实验论证了静电场对水流作用时的实验现象，并作出了我们的解释．而且对《费曼物理学》第二卷中有关本实验现象所作解释的不妥之处提出了看法．     

谐振子薛定谔方程的简单解法

物质的许多物理与化学性质都可以用线性谐振子模型解释，本文用简单的数学运算求解线性谐振子的薛定谔方程，避免了特殊函数等复杂的数学运算，得出了量子力学教材完全相同的结果。     

网页提交时的日期过滤

本文给出了一个用JavaScript实现日期过滤函数的网页示例，并对其作了详细解释。     

Clement-Desormes实验之不足

通过分析实验数据发现，Clement-Desormes的测量结果接近理论值存在某种巧合，该实验所用的测量原理并不能充分解释其实验现象。     

血清白蛋白的构象研究：Ⅲ,乙醇,丙酮诱导HSA构象变化

本文用紫外二阶导数光谱辅助以紫外光谱研究了ＨＳＡ，中芳香族氨基酸残基微环境的变化。乙醇诱导的变化可以用溶剂效庆来解释，丙酮的效应较为复杂，可能还与它的π的电子有关。     

宽接触半导体激光器及激光器列阵丝状发光现象研究

用连续波电光检测法直接测量宽接触半导体激光器及激光器列阵的电场分布，分析器件的丝状发光现象，并初步解释了产生的原因。     

梅斯林干涉纹中心暗点的解释

从标量衍射论出发，计算透镜焦点附近的相位分布，得到焦点前后的相位改变π，然后用振幅合成图解法作出直观的物理解释，最后阐明梅斯林条纹中心暗点的形成。     

浅析黑箱实验中二极管阻值的变化

通过对欧姆表原理的分析，发现它相当于一个内电阻可变的电源，结合二极管的伏安特性曲线，可解释用欧姆表的不同量程测同一二极管得到的电阻值不同的问题．     

等离子体法合成超细粉末技术

本文给出了超细粉末的有关概念，叙述了超细粉末在陶瓷材料、磁记录材料和催化剂材料方面的应用．介绍了用无极放电产生无污染的等离子体，用等离子体作为高效率的工作物质来合成超细粉末的方法．简要地解释了用等离子体法合成超细粉末的有关机理．     

MO—PVA与EO—PVA膜片双色光子存储

首次用ＭＯ－ＰＶＡ、ＥＯ－ＰＶＡ两种样品，在５１４ｎｍ波长光激发下，实现了６３３ｎｍ可擦除光存储，并研究了写入光束对预激发光的依赖关系，用四能级双色光子共振型对各种实验现象进行了解释。     

在电磁场中带电粒子的正则动量P和哈密顿量H的新表述

本文用动量密度ｇ和能量密度ｕ表述了电磁场中带电粒子的正则动量和哈密顿量．这个表述与通常的表述是等价的．我们说明了矢势Ａ具有物理意义的条件，应用这个表述自然地解释了阿哈朗诺夫－玻姆（ＡＢ）效应．证明了这个表述对量子理论领域中若干问题的解释与原有理论的解释是一致的．本文采用高斯单位制．     

用二能级理论解释交流Stark效应

用二能级理论的Ｒａｂｉ解说明交流Ｓｔａｒｋ效应，既从原子电偶极矩随外场变化的角度，也从原子光跃迁的角度解释交流Ｓｔａｒｋ效应。     

MO－PVA与EO－PVA膜片双色光子存储

首次用ＭＯ－ＰＶＡ、ＥＯ－ＰＶＡ两种样品．在５１４ｎｍ波长光激发下，实现了６３３ｎｍ可擦除光存储，并研究了写入光束对预激发光的依赖关系，用四能级双色光子共振模型对各种实验现象进行了解释。     

变形碳纳米管的研究

给出了一些用透射电子显微镜观察到的变形碳纳米管结果，它们在形态上可以分为径向形变和轴向形变两类．这种在氩气氛电弧放电阴极沉积物中生成的变形纳米管，可以用我们建议的模型定性地加以解释 关键词：     

气体分子自由程分布公式中的初始条件和2佯谬

本文用模拟实验证实了坎纳德关于自由程与平面相交的几率正比于自由程长度的假设，从而圆满解释了２λ佯谬．     

整数量子霍尔效应的问题与解答

本文的目的是让学生运用学过的大学物理中的量子力学知识来解释整数量子霍尔效应．在探究问题的过程中需要掌握薛定谔方程及其对线性谐振子的解，用对易算符建立相应的本征值，熟悉周期性边界条件，以及用哈密顿量中的磁场的矢势来描述磁场与电子的相互作用。     

用单晶硅在Nd：YAG激光器中实现被动锁模

在Ｎｄ：ＹＡＧ激光器中，用单晶硅实现了被动锁模，得到了脉冲定义为２８ｐｓ左右，能量为约３μＪ的锁模脉冲，并对锁模机理作了初步解释。