孔隙率对氧化锌/多孔硅光致发光的影响

用电化学方法制备不同孔隙率的多孔硅,然后用脉冲激光沉积的方法,以多孔硅为衬底生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究多孔硅的孔隙率对ZnO薄膜的质量和光致发光谱的影响,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征ZnO薄膜的结构性质.结果表明,当多孔硅的孔隙率较大时,沉积的ZnO薄膜为非晶结构.沉积上ZnO薄膜之后,多孔硅的发光谱蓝移,由于ZnO薄膜缺陷较多,其深能级发光较强.ZnO的深能级发光与多孔硅的橙红光相叠加,得到了可见光区宽的光致发光带,呈现白光发射.     

阴极电沉积法制备ZnO及其特性研究

用ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,采用阴极电沉积法在导电玻璃上制备出了一系列的ZnO薄膜。实验发现ZnCl2的浓度对ZnO薄膜的光学性质有重要影响,ZnCl2浓度依次为0.01mol/L、0.03mol/L和0.05mol/L。当ZnCl2的浓度为0.01mol/L时薄膜的光学性能最好,此时发射谱出现紫峰和绿峰。XRD分析表明,薄膜是ZnO的多晶结构。     

脉冲激光沉积法制备氧化铋薄膜及其电化学性质研究

首次采用355nm脉冲激光沉积在不锈钢基片上制备了氧化铋薄膜，X—射线衍射(XRD)测试表明在基片温度为300℃，沉积时间为0．5h制备得到的Bi2O3薄膜具有四方结构，SEM和Raman光谱测定对该Bi2O3薄膜的表面形貌和锂化前后的结构进行了表征，结果表明薄膜由小于100nm针状晶粒组成，锂化后的产物可能是LixBi2O3。此外，由电位阶跃法测定了上述Bi2O3薄膜电极的锂离子扩散系数。电化学测定表明，上述Bi2O3薄膜具有充放电循环性能,在电压范围为0．70～3．5V，该氧化铋薄膜在充放电速率为2C时的比容量大约为100mAh／g，并且保持经100次以上充放电循环而没有明显的衰减。     

脉冲电阳极腐蚀纳米多孔硅的蓝光发射

用直流叠加方波脉冲电流阳极腐蚀法制得了多孔硅（ＰＳ），样品经ＸｅＣｌ准分子激光器的３０８ｎｍ激光的激发，获得了中心波长为４６２ｎｍ，半高宽为１２６ｎｍ的蓝色光致发光（ＰＬ）谱、ＰＳ断透射电（ＴＥＭ）分析发现有ｎｍ量级的Ｓｉ原子团组成的一维量子线（柱）阵列的三维量子海棉结构，由此带来的量子约束和表面效应恰好说明了ＰＬ谱的实验结果。     

铬电沉积过程及H2SO4的作用

在铬镀液(CrO_3/H_2SO_4=250/2.5Wt.)中,电流扫描实验结果表明,铬在玻璃碳电极上沉积需要成核过电位;而在铜电极上不需要成核过电位,其晶核由电极表面氧化膜(CuO CrOH)还原生成的金属Cr提供。铬电沉积前后,CrO_3还原机理不同,H_2SO_4 的作用也不同,沉积前,H_2SO_4的作用主要是活化电极表面,促使CrO_3还原,同时还使表面氧化膜溶解。沉积后,H_2SO_4 则起着保持电极表面附近阴极膜相对稳定的作用,还可能与 Cr(Ⅳ)形成易还原的配合物。     

Si衬底电沉积制备ZnO及其特性研究

采用不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,用阴极电沉积法在Si衬底上制备出了一系列的ZnO薄膜。实验发现ZnCl2的浓度对ZnO薄膜的结构和光学性质有着重要的影响。薄膜的X射线衍射(XRD)表明ZnCl2浓度较低时,ZnO的特征峰被衬底Si的衍射峰掩盖而较弱,当ZnCl2浓度为0.05mol/L时ZnO的特征峰非常明显。随着ZnCl2浓度的减小,薄膜的光致发光的发射谱变好,当ZnCl2溶液浓度为0.01mol/L时光学性能最好,此时出现两个峰,分别对应紫峰和绿峰。同时研究了沉积时间和退火对薄膜的光学性能的影响。     

脉冲激光沉积法在硅衬底上制备氧化锌薄膜

用脉冲激光沉积法（PLD）在n型Si（Ⅲ）面上生长了ZnO薄膜．采用X射线衍射分析、原子力显微镜分析、傅里叶红外吸收光谱和拉曼光谱技术,测试了ZnO薄膜的结构、表面形貌和振动特性．     

在半导体硅上电沉积及激光诱导电沉积镍薄膜

利用激光诱导电沉积实验控制和数据采集系统考察了Ｎｉ在ｐ－Ｓｉ上沉积和阳极溶出过程。结果表明半导体表面自然氧化膜和阳极钝化膜导致阴极反应过电位大幅度增加,反应电流下降,且钝化膜导致暂态电流上升迟缓,Ｎｉ阳极溶出实验表明薄膜由活性不同的两种相结合组成,在电沉积初期可获得由平均尺寸３００～６００ｎｍ晶粒构成了光亮度层,晶粒尺寸随镀层加厚,迅速变大,薄膜表面失去光泽。     

氧化锌薄膜的电化学交流阻抗法研究

通过电化学交流阻抗技术对不同电流密度、沉积时间、电解液浓度和溶液温度下制备的氧化锌薄膜进行了表征,结果表明不同条件下制备的氧化锌薄膜的结构不尽相同,但基本上都是内层致密、外层疏松的双层结构.     

ZnO脱硫废渣制备活性氧化锌工艺研究

介绍了利用合成氨、城市煤气及ＣＯ２等净化过程的氧化锌脱硫废渣,采用碳酸氢铵法制备活性氧化锌产品中ＺｎＯ含量达９９．３４％同时,对生产过程中的主要影响因素进行了研究图１,表４,参４     

氧化铅锌矿石工艺特性研究

多种分析测试手段研究表明,碳酸盐岩型氧化铅锌矿石组成和嵌布关系极为复杂,尤其是铅,锌矿物,氧化铁矿物,粘土矿物共生和氧化铁矿物对锌的选择吸附是氧化铅锌矿难于用浮选方法富集分选的主要原因。     

直接法制取活性氧化锌与化学二氧化锰的研究

报道了盐酸介质中直接用锌精矿和软锰矿制取活性氧化锌和化学二氧化锰的新工艺,试验得出了适宜的工艺条件,讨论了影响各项技术指标的因素。     

湿法制取活性氧化锌与重质碳酸锰新工艺

通过硫化锌精矿与软锰矿同槽浸出,制取活性氧化锌和重质碳酸锰．新工艺包括同槽浸出及除铁、深度净化、锌锰分离、酸溶制取活性氧化锌、重质碳酸锰的合成５个部分．通过试验着重分析了锌锰分离、重质碳酸锰的合成２个工序主要因素的影响,确定了时间、温度、氨水过量系数α（ＮＨ３）３个因素在锌锰分离中的控制条件,硫酸锰浓度、溶液ｐＨ值以及时间３个因素在重质碳酸锰的合成中的最佳技术参数,所得产品都达到了工业应用标准．     

FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析

用磁过滤阴极真空弧沉积（FCVAD）方法在Si衬底上合成了Ta-C薄膜,Raman光谱和光电子能谱（XPS）分析表明衬底加80-100V负偏压时合成的Ta-C薄膜sp^3键所占比例最高,可达80%以上,并且在Ta-C薄膜表面存在-sp^3键所占比例较低的薄层。     

含锌工业废料生产氧化锌的工艺研究

本文在作者过去工作［１］的基础上深入地研究了用含锌废料生产氧化锌的物理化学原理，工艺流程、工艺条件及操作步骤，为含锌工业废料的合理利用开辟了一条有效的途径。     

废干电池回收制取氧化锌超细粉体

采用均匀沉淀法可由废干电池回收制取氢氧化锌超细粉体,通过正交实验优化反应条件,得出在反应温度为60℃,反应时间为60 m in,尿素浓度为5%以及反应液的pH值为6.5的条件下所得氢氧化锌前驱体的平均粒径为4.87μm;前驱体在400℃,焙烧2 h后,可得平均粒径为8.67μm的氧化锌产品.     

e型枪热蒸法制备的非化学计量ZnO薄膜的结构性能

采用ｅ型电子枪热蒸技术，在不同条件下成功地制备了不同Ｏ／Ｚｎ比的非化学计量ＺｎＯ薄膜。利用系列物理手段，如ＸＰＳ，ＸＲＤ法对其结构性能进行了分析。结果表明，选择适当的基底温度及热处理温度可获得物理性能很好的非化学计量的ＺｎＯ薄膜。