CaO—SnO2薄膜乙醇气敏元件的研究

采用真空镀锡膜，锡膜氧化，浸泡掺杂的方法研制了掺ＣａＯ的ＳｎＯ２薄膜气膜气敏元件。     

混合稀土氧化物掺杂SnO2气敏元件的研制

研究了Ｎｄ２Ｏ３与Ｓｍ２Ｏ３混合掺杂的ＳｎＯ２气敏元件的制作 工艺和敏感性能。测量结果表明,这种元件对乙炔气体敏感,且具有选择性好,灵敏度高等优点。     

SnO2气敏薄膜的制作与性能研究

采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜，并在薄膜中掺杂Sb2O3和Pt用于气敏薄膜的增敏．使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析，测量了薄膜的吸收光谱和电阻，并研究了薄膜工艺条件的改变对薄膜结构和性能的影响．结果表明，不同退火温度下处理的氧化锡薄膜均为金红石结构，退火温度对薄膜的晶粒尺寸和电阻有较大影响：退火温度愈高，薄膜中形成的晶粒越完整，晶化程度愈高；电阻率随着退火温度的升高而降低，考虑到气敏薄膜的敏感性能，本文选取1100℃为最佳退火温度．由于掺杂的影响，在氧化锡的禁带中产生了杂质能级，使薄膜对2722nm附近的红外光波产生了强烈吸收．     

MgO-SnO2薄膜乙醇气敏元件的研制

采用真空镀锡膜、锡膜氧化，浸泡掺杂的方法研制了掺MgO的SnO2薄膜气敏元件，在对乙醇、丙酮等八种气体的测试结果表明：MgO-SnO2元件提高了对乙醇的灵敏度和选择性，而对其余气体的气敏特性同未掺杂元件相类似，实验发现，随着浸泡液浓度的增大，元件对乙醇的灵敏度并不是单调地随之增大，而是出现了一个峰值，实验还发现经Mg(NO3)2溶液处理过的元件对乙醇的灵敏度与乙醇浓度之间的线性关系大大拓宽，在敏感机理方面，提出了流过元件电泫I的公式，该公式可以较好地解释实验现象，利用化学方法在SnO2薄膜中掺入MgO，所制备的元件既克服了烧结型元件的缺点，又克服了薄膜元件物理方法掺杂时掺杂量难以控制的不足之处，为开发新型薄膜气敏元件作了一种尝试。     

复合稀土在SnO_2气敏元件中的应用

本文研究了添加Nd2O3和Sm2O3复合稀土氧化物的SnO2半导体气敏元件的气敏特性。在CO2、H2、CH4和C2H2等气氛中测量结果表明,元件对乙炔的灵敏度高、选择性好、工作性能稳定。     

射频溅射法制备掺杂SnO2纳米薄膜的研究

采用射频反应溅射法在氧化处理后的单晶硅基片上制备SnO2纳米薄膜，并在薄膜中掺杂Sb和Pd用于改变薄膜的气敏特性．运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的结构和表面形貌进行分析．结果表明，SnO2薄膜具有四方金红石结构，适量掺杂对SnO2薄膜结构无影响；薄膜晶粒粒径小于150nm，且粒径随退火温度的升高而增大．采用Debye—Scherrer简化公式计算了薄膜晶粒粒径，分析了计算值与SEM观测值之间产生误差的原因．经700℃的温度退火后，掺原子比Pd为2％和Sb为2％的薄膜对酒精气体具有很高的灵敏度．     

稀土钙钛矿型复合氧化物SmCoxFe1—xO3体系结构研究

钙钛矿型复合氧化物ABO_3由于其特殊的性能历来为固体物理学家与化学家所嘱目.本文借助XRD、IR、XPS等手段考察了S_mCo_xFe_(1-x)O_3体系的性质,研究了铁掺入B位后对该钙钛矿复合氧化物整体性质的影响.1 实验部分1.1 样品制备 将钴、铁、钐的硝酸盐溶液按化学计量配比混合蒸干,并使其分解,然后研磨,于800℃氧气氛中灼烧8小时,自然冷却至室温制得S_mCo_xFe_(1-x)O_3体系样品.1.2 结构测定 结构测定在日本理学D/MAX_3B型X射线行射仪上进行,用Cu～K_α辐射,高压40KV,电流30mA,扫描速度10°/min,取样间隔0.02°在2θ为20—70范围内收集该体系样品的衍射强度数据.红外光谱测定用KBr混合压片法制得样品,在Pekin-Elemer683红外光谱仪上测定.X光电子能谱测定用英国VG公司ESCALABMKⅡ型电子能谱仪,Mg—K_α射线(1253.6eV)为激发源.表面电荷效应对结合物的影响用污染的碳峰(Cs=284.50eV)进行校正.     

REMeO3氧化物半导体的CO气敏特性研究

本文考察了钙钛矿REMeO_3(RE=La,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy;Me=Co,Mn,Fe,Cr,V)氧化物的CO气敏特性,发现灵敏度大小次序为SmCoO_3>SmFeO_3>SmMnO_3>SmCrO_3>SmVO_3;在DyCoO_3>SmCoO_3,NdCoO_3>EuCoO_3>PrCoO_3>LaCoO_3,GdCoO_3,TbCoO_3。我们还研究了REMeO_3氧化物的灵敏度与催化活性、还原性能、导电激发能之间的关系。     

TiO2薄膜的结构和光学性质的研究

以金属钛为靶材，用反应射频溅射法制备了TiO2薄膜，并在600－900℃下进行了热处理，经XRD测量，在600－800℃下TiO2薄膜为锐钛矿和金红石两种结构的混合态，在900℃下TiO2薄膜为纯金红石结构，研究TiO2薄膜的SEM照片和UV－vis透射光谱发现，不同的热处理温度会影响TiO2薄膜中锐矿和金红石两种结构的比例，从而导致TiO2薄膜的微观形貌，折射率，禁带宽度等性质的变化。     

立方氮化硼(c-BN)薄膜生长特性研究

用射频等离子体增强热丝化学气相沉积（ＲＦ－ＨＦＣＶＤ）技术在Ｓｉ,Ｎｉ衬底表面合成了ｃ－ＢＮ膜,结果表明,热丝温度,衬底温度等工艺参量及衬底材料的结构特性是影响ｃ－ＢＮ薄膜生长的主要因素。     

光CVD—SiO2薄膜的性能及其应用

采用光ＣＶＤ法制备了良好的ＳｉＯ２薄膜，为半导体器件及传感器表面修饰提供了一条新型可行的途径。     

稀土—水杨羟肟酸配合物的研究

在酸性介质中稀土离子（Ⅲ）能形成水杨酸盐。水杨?肟酸与水杨酸很相似,在酸性介质（pH=3.5～4.5）中也能与稀土离子（Ⅲ）形成稳定性更大的配合物。水杨羟肟酸同La（Ⅲ）、Ce（Ⅲ）、Pr（Ⅲ）、Nd（Ⅲ）和Tm（Ⅲ）离子形成配合物的组成为RE（SHA）3·2H2O,而同Tb（Ⅲ）及y（Ⅲ     

β-FeSi2薄膜的结构与光电特性

用磁控溅射法沉积了Fe／Si多层膜和Fe单层膜，在真空和Ar气中热退火2h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜。发现Fe／Si多层膜在880℃温度下热退火后，制备的β-FeSi2薄膜的XRD结果均呈现p（220）／（202）择优取向，而Fe单层膜制备的β-FeSi2样品则呈无规则取向。原子力显微镜分析表明，Ar气退火的样品表面粗糙度大于真空退火的样品。根据光吸收谱测量，Fe／Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜的禁带宽度室温下为0．88eV。由Fe／Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜具有明显的光电导效应，这种效应在真空退火样品中更为显著，在40W光源照射下，光电导效应大于30％。     

La-Sr-Ni-O系复合氧化物的合成及La2_xSrxNiO}体系催化性能研究

用硝酸盐分解法(N一法)和柠檬酸络合法‘L一法)合成了La-Sr-Ni-O系复合氧化物.用XRD技术考察了样品组成、制备条件及灼烧气氛等对产物结构的影响.结果表明:按La:一二SrrNiO:计量比，用N一法合成只能形成四方体心K= Ni F,结构的A, BO,型复合氧化物而采用L一法，通过改变条件，在0.0<_x50.2范围内可形成菱形晶系钙钦矿结构的复合氧化物.另外，用L一法合成Lag一二Sr}NiO‘系列样时发现，制备条件及灼烧温度、气氛对样品结晶态存在较大的影响，高温、空气氛下可形成高结晶态的KZNiF‘结构复合氧化物.La z _,}Sr}NiO。体系CO催化氧化活性研究表明，随二(Srz+取代量)增加，CO的转化率增加.     

沉积在熔融玻璃基底表面金薄膜的电输运特性

研究了沉积在熔融玻璃基底表面的金薄膜的电输运特性和阻温特性，实验结果表明，在电流小于50mA情况下，金薄膜在真空中的直流，—γ特性与传统的RRN模型计算结果相符合；在电流大于50mA情况下，它与传统薄膜系统的直流，—γ特性有很大区别，分析表明，熔融玻璃基底表面的非平整性以及不稳定性是影响此类薄膜特征电阻率的主要原因，此外，在一定条件下，金薄膜的阻温系数在温度为43K附近发生正负值转变。     

新型稀土配合物—REHYA的红外光谱研究

本文提出了新型稀土配合物－稀土异羟肟酸配合物及其配体的一系列红外光谱数据，其中绝大部分是首次报道。讨论了化合物结构对光谱的影响。     

短时间内Pt-SPE气敏电极上CO氧化电流的衰退研究Ⅰ.Pt表面氧化深度的影响

对短时间内Ｐｔ－ＳＰＥ气敏电极上ＣＯ氧化电流的衰退现象的研究表明，Ｐｔ表面无ＣＯ吸附态情况下，衰退主要与电极阳极极化后Ｐｔ表面氧化程度加深有关；采用动电势扫描法可使电极对ＣＯ氧化的催化活性基本恢复，但随着电极的进一步极化，衰退仍会继续．     

a-Se薄膜在X-ray照射下的光衰特性研究

依据光电导与驰豫时间成反经变化的理论，在蒸发温度为220℃的条件下用真空沉积法制行了多块厚度不同的a-Se薄膜，对其在X－ray照射下的光衰效应进行实验研究，实验结果表明a-Se薄膜在厚度较小时其灵敏度随厚度的增加而增加，在275－475μm之间时，a-Se薄膜存在极大值，实验结果对基于a-Se薄膜光电导特性的探测器的性能优化有一定的指导作用。