W波段光迫使Gunn管谐波振荡器的实验研究

本文提出了Ｗ波段Ｇｕｎｎ管谐波型光控振荡器的设计方案。该方案在振荡器的基波腔内填充本征半导体Ｓｉ片，并通过光纤将半导体激光器产生的光束耦合到Ｓｉ片，以达到光对振荡器工作频率的控制。在实验中采用波长为０．８６３μｍ的激光照射Ｓｉ片，取得了光控频率达７ＭＨｚ的结果。     

光控毫米波振荡器的新方法

本文提出了一种毫米波振荡器的光控新方法。与已有的方法不同,新的方法可给出正的光控频率变化。在我们的实验中,观察到了Ka波段Gunn氏振荡器150MHz的频率变化。     

光控介质谐振器振荡器的实验研究

本文报道了关于光控介质谐振器振荡器的实验结果。对一只9.5GHz的介质谐振器振荡器进行实验,用硅半导体光敏材料,入射15mW红光,光控频率调谐达17.5MHz,红光功率的平均频率调谐率为1.17MHz/mW。入射5.5mW紫光,光控频率调谐达到12.3MHz,紫光功率的平均频率调谐率为2.24MHz/mW。在整个调谐范围内振荡器的微波输出功率随光功率增加而略有上升。     

光控介质谐振器振荡器的实验研究

本文报道了关于光控介质谐振器振荡器的实验结果。对一只９。５ＧＨｚ的介质谐振器振荡器进行实验，和硅半导体光敏材料，入射１５ｍＷ红光，光控频率调谐达１７。５ＭＨｚ红光功率的平均频率调谐率为１。１７ＭＨｚ／ｍＷ．入射５。５ｍＷ紫光，光控频率调谐达到１２。３ＭＨｚ，紫光功率的平均频率调谐为２。２４ＭＨｚ／ｍＷ。在整个调谐范围内振荡器的微波输出功率随光功率增加而略有上升。     

毫米波Gunn器件谐波振荡器电路分析

根据ＧａＡｓＧｕｎｎ器件的谐波大信号特性，应用描述函数法对毫米波二次谐波振荡器的电路特性进行了研究，分析了振荡频率和输出功率随器件大信号特性参数与外电路参数变化的规律，所得结论与实验结果一致。     

W波段宽带机调Gunn振荡器

本文介绍了一种宽带机调Gunn振荡器。该振荡器结构简单可靠,单只振荡器就几乎可覆盖整个W波段,振荡器的最大输出功率可达25mw,在所有各频率点上的电调带宽约为450MHz。     

光控介质谐振器稳频FET振荡器研究

本文报导我们对光控介质谐振器稳频MESFET振荡器的研究状况，包括被控介质谐振器模型的建立、电磁分析和实验研究。采用有限元法，借助Ansoft三维仿真软件分析从实际振荡器结构中提取出的叠层DR模型。应用二维阻抗边界条件处理光照下光敏材料的光学效应，得出明晰的物理概念，使复杂问题简化，并较好地验证了实验结果。     

Ka波段宽带变容管电调振荡器研究

本文分析交建立了串联型宽带变容管电调振荡器的电路模型,在Ｋａ波段上完成了电路设计,获得了１３．３％的相对电调带宽,带内最小功率４０ｍＶ,最大功率达９０ｍＶ;最大电调速宽达到４．６ＧＨｚ。     

光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究

光电双基区晶体管（ＰＤＵＢＡＴ）是一种能产生“Ｎ”型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现ＰＤＵＢＡＴ在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振由减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。     

光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究

报道光控平面ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管的实验结果。采用Ｖ形浅槽的全离子注入工艺，研制了ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管。器件击穿电压高达８０Ｖ，最小电容０．２ｐＦ。光控Ｉ－Ｖ曲线类似晶体管特性，光控电流能力为３００μＡ／ｍＷ。装成移相器电路，测得在Ｌ波段的光控相移２０°～２６°。     

光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究

报道光控平面ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管的实验结果。采用Ｖ形浅槽的全离子注入工艺，研制了ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管。器件击穿电压高达８０Ｖ，最小电容０．２ｐＦ。光控Ｉ－Ｖ曲线类似晶体管特性，光控电流能力为３００μＡ／ｍＷ。装成移相器电路，测得在Ｌ波段的光控相移２０°～２６°。     

Analysis of Millimeter Wave Varactor-Tuned Gunn Oscillator Stabilized with a Transmission Cavity

A novel circuit architecture which describes millimeter wave varactor-tuned Gunn oscillator stabilized with a transmission cavity has been proposed in this paper. A corresponding equivalent circuit model has been presented in order to study its performance characteristics. The circuit model consists of four parts which are varactor cavity, main cavity, transmission waveguide and transmission cavity. Based upon this model, electrical tuning characteristics have been studied at first. Mode jumping problems during electrical tuning process have been analyzed qualitatively. Moreover, quality factor and efficiency of the circuit model have been derived by virtue of relevant circuit parameters. The effects of some important circuit parameters affecting circuit performance parameters have been discussed. The circuit model can describe the circuit architecture accurately and effectively. This circuit architecture, which can generate signals exhibiting low frequency modulation noise, high frequency stabilization and electrical tunable characteristics, is applicable to various practical situations.     

EXPERIMENTAL STUDY OF OPTICALLY CONTROLLED DIELECTRIC RESONATOR OSCILLATOR

Some new experimental results of optically controlled dielectric resonator oscillators (DROs) are presented. A very stable X-band DRO was found to be optically tunable up to 17.5 MHz with modulation rate of 1.17 MHz/mW with red light illumination. And an even higher modulation rate of 2.24 MHz/mW with illumination of violet light was obtained. Instead of a drop in optically controlled DRO output power, a little rise of output power was achieved.     

数字控制振荡器的设计和顶层模型

采用0.18 μm CMOS六层金属工艺,利用带中心抽头的对称螺旋电感和新型电容调谐阵列构成的LC谐振回路,设计并实现了一种低功耗低相位噪声的数字控制振荡器(DCO).流片测试结果表明,相位噪声在1 MHz偏移频率处为-119.77 dBc/Hz.电路采用1.8V电源供电,消耗约4.9mA电流,当电源电压降到1.6V时,消耗约4.1 mA的核心电路电流,此时,相位噪声在1 MHz频偏处仍达到-119.1 dBc/Hz.为了提高全数字锁相环设计效率,采用硬件描述语言,构建了一种适用于全数字锁相环的仿真模型.该模型能大大缩短早期系统级架构选择和算法级行为验证的时间.     

一种线性RC压控振荡器的设计

基于LLC串联谐振芯片的应用,提出了一种线性RC压控振荡器.在传统RC振荡器的电容上叠加一个压控电流源,实现了频率受电压线性控制.仿真结果表明,该电路在典型参数下振荡器频率范围为140～280 kHz,在-40℃～125℃温度范围内可保持正常工作,且可通过外部电阻电容进行设置.该振荡器已被应用于脉冲频率调制模式下工作的LLC串联谐振芯片.     

声表面波压控振荡器的可靠性

对一种声表面波压控振荡器的工作失效率进行了预计。建立了由５个单元组成的可靠性串联模型。应用可靠性预计手岫计算了各单元的工作换效率。结果表明,在＋７０℃和Ｍｔ环境条件下,预计这种振荡器的故障工作时间为１３７８１ｈ。如果将元器件的质量提高１个等级,在相同条件下的平均无故障工作时间将大于２００００ｈ。     

车载光控相控阵天线设计

本文介绍了一种应用于卫星通信的车载光控相控阵天线的关键技术设计,并对天线元、天线阵和光真延时等关键部件进行了仿真,表明采用光真延时技术的相控阵天线具有宽频宽角扫描的特点,可以较好地解决传统相控阵天线无法应用于宽带通信系统的问题。     

一个2.4 GHz CMOS LC压控振荡器的设计

采用单层多晶6层金属(1P6M)的0.18μm标准CMOS工艺,设计了一个2.4 GHz电感电容压控振荡器(LC tank VCO)。该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型。测试结果表明,在VCO的输入参考频率为1 MHz,工作电压1.8 V时,工作电流为5.5 mA,频率调谐范围2.1~2.8 GHz。     

高性能超低功耗的4.224GHz正交LC VCO

采用Jazz0.18μm RF CMOS工艺设计并实现应用于MB-OFDM超宽带频率综合器的4.224GHz电感电容正交压控振荡器。通过解析的方法给出了电感电容正交压控振荡器的模型,并推导出简洁的公式解释了相位噪声性能与耦合因子的关系。测试结果显示,核心电路在1.5V电源电压下,消耗6mA电流,频率调谐范围为3.566~4.712GHz;在主频频偏1MHz处的相位噪声为-119.99dBc/Hz,对应的相位噪声的FoM(Figure-of-Merit)为183dB;I、Q两路信号等效的相位误差为2.13°。