X光胶片响应曲线的实验标定

介绍了天津ⅢX光胶片在北京同步辐射源3W1B装置上进行绝对响应标定的一种实验方法。实验中采用快门控制曝光时间,标准探测器记录积分光强,从而得到胶片接收到的绝对光强,并用黑密度计扫描胶片得到光学黑密度。数据处理中通过对快门响应的标定和对光源分布不均匀性的处理来减小光强的不确定度。实验得到了胶片在1 keV和1.5 keV两个能点绝对光强与黑密度之间的绝对响应实验数据,并用Henke的理论公式拟合得到绝对响应曲线。     

5FW软件X光胶片响应在同步辐射源上的实验标定

介绍了５ＦＷ软Ｘ光胶片在同步辐射源上进行响应标定的一种实验是到了５ＦＷ软Ｘ光胶片对波长为１．４７ｎｍ和４．５９ｎｍ软Ｘ光的相对响应实验曲线，并与用理论模型计算的结果进行了比较。     

上海软X光胶片响应的相对标定

介绍了在同步辐射源上用透射光栅对“上海”软X光胶片进行相对标定的方法,初步研究了“上海”胶片的特性,得到了在276eV和930eV两能点的胶片黑密度与相对曝光量的关系曲线;应用标定结果,计算了光栅的衍射效率。     

亚千X光能谱仪响应曲线实验标定

介绍了在高强度带电粒子激发Ｘ射线光源装置上标定亚千Ｘ光能谱仪的总响应，给出了Ｘ射线二极管（铝阴极）的灵敏度的绝对标定值以及作为高能截止分光元件镍平面镜的反射率，并与国外理论值和实验值进行了比较。     

5F软X光胶片响应特性研究

提出了５Ｆ软Ｘ光胶片对低能Ｘ射线结响应的数学模型，模型中部份参数由厂家提供，其余参数由在１８３ｅＶ和９３３ｅＶ两能点实验标定的胶片响应曲线确定，数学模型及参数有有效性用２８２ｅＶ能点处５Ｆ软Ｘ胶片的实验响应曲线进行了初步检验。     

X射线胶片的脉冲光源响应标定

用ＬＦ－１１激光装置的１．０６μｍ脉冲激光加热Ｃｕ靶产生的Ｌ－壳层线辐射作脉冲Ｘ射线源，在曝光量为（０．０１～１０）－７Ｊ·ｃｍ－２范围内，标定了ＫＯＤＡＫＡＡ－５，ＫＯＤＡＫＳＷＲ和ＵＦＳＨ－Ｏ软Ｘ射线胶片的响应曲线，并与用连续光源标定的进行了对比．结果表明，这三种ｘ射线胶片，在强脉冲光源曝光条件下，都存在着胶片响应互易律失效问题，过去用连续光源标定的响应曲线，在激光等离子体诊断实验中，已经不能采用．     

5FW 软X光胶片响应在同步辐射源上的实验标定

介绍了5FW 软X-光胶片在同步辐射源上进行响应标定的一种实验方法, 得到了5FW 软X-光胶片对波长为1. 47nm 和4. 59nm 软X 光的相对响应实验曲线, 并与用理论模型计算的结果进行了比较。     

5FW 软X光胶片响应在同步辐射源上的实验标定

 介绍了5FW 软X-光胶片在同步辐射源上进行响应标定的一种实验方法, 得到了5FW 软X-光胶片对波长为1. 47nm 和4. 59nm 软X 光的相对响应实验曲线, 并与用理论模型计算的结果进行了比较。     

软X光能谱仪探测元件晌应曲线标定

报道了软X光能诺仪探别元件的能量响应曲线标定工作．实验利用北京同步辐射装置-3W1B束经及反射率计靶室，在束流40—80mA、贮存环电子能量2.2GeV专用光运行模式下，在150—1500eV能区的四个能段，做了铝阴极X射线二权管、滤光片及擦入射平面反射镜能量响应标定实验，通过实验数据比对及分析，最终给出X射线二极管在不同能量段最大可能的测量误差范围。     

上海软X光胶片响应的相对标定

介绍了在同步辐射源上用透射光栅对“上海”软Ｘ光胶片进行相对标定的方法，初步研究了“上海”胶片的特性，得到了在２７６ｅＶ和９３０ｅＶ两能点的胶片黑密度与相对曝光量的关系曲线；应用标定结果。     

软X光多层镜反射率在同步辐射源上的标定

 软X光多层镜反射率标定实验在北京同步辐射装置 上进行,利用BSRF-3W1B 束线及其反射率计靶室(主靶室)标定不同材料的多层镜样品的反射率。多层镜的标定采用波长扫描法,以得到样品反射率随波长变化的曲线。给出了21°-B₄C/Si,21°-B₄C/Mo,10°-Cr/Ti,15°- B₄C/W,10°- B₄C/W以及6.86°-B₄C/W等6块多层镜在50～1 500 eV能段上的反射率标定曲线,并将其与理论计算结果进行比较。结果表明：标定曲线与理论曲线很好地符合。影响标定结果的总不确定度的主要因素是光子能量不确定度,其次是角度不确定度,测量不确定度的影响很小。     

q软X光多层镜反射率在同步辐射源上的标定

软X光多层镜反射率标定实验在北京同步辐射装置上进行,利用BSRF-3W1B 束线及其反射率计靶室(主靶室)标定不同材料的多层镜样品的反射率.多层镜的标定采用波长扫描法,以得到样品反射率随波长变化的曲线.给出了21°-B4C/Si,21°-B4C/Mo,10°-Cr/Ti,15°- B4C/W,10°- B4C/W以及6.86°-B4C/W等6块多层镜在50～1 500 eV能段上的反射率标定曲线,并将其与理论计算结果进行比较.结果表明标定曲线与理论曲线很好地符合.影响标定结果的总不确定度的主要因素是光子能量不确定度,其次是角度不确定度,测量不确定度的影响很小.     

软X光多层镜反射率的标定与修正

在北京同步辐射装置上,利用3W1B 束线得到了21° B4C/Si,21° B4C /Mo,10° Cr/Ti,15° B4C/W,10° B4C/W以及6.86° B4C/W等多层镜在50～1500 eV能段上的反射率标定曲线.分析了标定结果的不确定度,计算得到多层镜的积分衍射效率,并修正了标定结果.     

平面镜反射率的标定及修正

 研究了用同步辐射源标定软X光掠入射平面镜的反射率。实验采用北京同步辐射装置(BSRF)-3W1B束线及反射率计靶室,在50~1 500 eV能区,做了C,Si,Ni和Au材料平面镜在1°~7°掠射角下的反射率标定曲线。由于3W1B束线的单色器采用变间距光栅作色散元件,光栅分光必然存在高次谐波,高次谐波严重影响光源的单色性,从而给平面镜的反射率标定值带来误差。前置滤片虽然能有效抵制高次谐波,但不能完全消除高次谐波。为此,利用透射光栅对光源做了单色性研究,给出高次谐波在不同能区所占光源强度的比例,从而对平面镜反射率标定值做出修正。     

X射线成像板衰退曲线标定

在实验室衍射仪平台上,开展了以富士公司SR-2025型成像板为样品的标定实验,获得了该样品随时间变化的信号强度衰退曲线.实验以铜靶X射线管为光源,经过三羟甲基甲胺晶体(Trihydroxymethylaminomethane,TAM)分光得到Cu-Kα单能特征辐射.在实验环境温度为(20±1)℃、光源稳定、成像板空间响应均匀、信号强度线性响应等条件下,在不同时刻对成像板上不同位置进行曝光,扫描后获得成像板对单能特征X射线的衰退曲线.对测到的衰退曲线进行数值拟合及不确定度分析,发现其与国外的研究结果符合得较好.实验数据表明,X射线光源的不稳定性为0.7%,成像板的空间非均匀性小于1%,并且对信号强度呈优异的线性响应;在Cu-Kα的8 027.84eV能点处,成像板的衰退曲线呈指数形式η(t)=0.368 84·exp(-t/159.647 56)+0.633 72缓慢衰减,在可见光屏蔽良好条件下曝光125min后X射线信号仍有80%的强度.     

波长色散X射线荧光光谱仪的内部校准

根据波长色散X射线荧光光谱仪检定规程制定了内部校准作业指导书,对PANalytical Axios 4.0型X射线荧光光谱仪的外观、精密度（RSD）、稳定性（RR）、探测器分辨率（流气正比计数器、闪烁计数器、封Xe正比计数器）和仪器的计数线性进行了性能测试和内部校准.     

基于X射线衍射仪的X光晶体本征参量的标定

X光晶体本征参量的实验标定是准确鉴定X光晶体种类和品质,研制各种类型晶体谱仪,X光线谱定量测量和高分辨X光单能成像的基础.基于X射线衍射仪,通过制作平面晶体样品架,采取控制X射线管电源、滤波片选取和厚度控制等措施,极大地抑制了Cu-Kβ及韧致辐射,使X射线管光源Cu-Kα单能化,提出了用滤片作为光源单能化的判据.对X光线谱测量中常用的X光分光晶体季戊四醇的晶格常量2d和Cu-Kα能点的积分衍射效率R_c进行了标定方法研究,其标定值分别为(0.874 25±0.000 42)nm和(1.759±0.024)×10^-4 Rad.基于X射线衍射仪的X光晶体本征参量的精密实验标定方法既快速高效,且十分方便和灵活.通过更换衍射仪的X射线管靶材,采取类似方法,可以标定其它能点的晶体积分衍射效率,可为X光晶体的本征参量库提供更多的标定数据.     

用于激光等离子体中X射线测量的单光子计数型CCD的标定

 介绍了单光子计数型CCD的工作原理。实验选择参数准确的X射线放射源前向辐照CCD的像元面,计数由此产生;通过积分获得X射线的强度分布,在CCD处于单光子计数状态下,扣除本底信号,得到该型CCD产生一个计数所需的光子能量,约6.453 eV。标定了该型CCD的探测效率。结果表明：在单光子计数型CCD的有效能区内,对于不同能量的入射光子,其探测效率不同,在5.3 keV处获得最高探测效率66％;随着能量的增大,探测效率降低。标定结果可为激光等离子体研究中定量测量X射线光谱提供实验参考。     

Soft X-ray emission study of thermally treated Ni(film)/4H–SiC(substrate) interface

Deposition of Ni as contact on 4H–SiC has been investigated. Ni/4H–SiC samples were annealed at temperatures of 600, 800 and 950 °C for 30 min and were non-destructively characterized by soft X-ray emission spectroscopy (SXES) using synchrotron radiation as excitation. Si L_2,3 SXE showed the formation of Ni₂Si for all annealing temperatures. The C K SXE indicated the formation of graphite and graphitic carbons at annealing temperatures of 950 °C and below 800 °C, respectively.