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针对光开关集成化、微型化、低能耗的要求,设计了一种微流控双稳振荡器1×2型光开关,其两个输出端口的插入损耗分别为1.03dB和0.18dB.微流控双稳振荡器由对称级联的两个常闭阀构成,光开关由三段嵌入在振荡器输出端的光纤波导构成,通过改变注射泵驱动微器件中液体流动的速率可以控制光开关的开关周期.利用有限元分析软件对影响开关周期的因素进行了仿真研究.结果表明,当液体的注入流速从0.2mm/s增大到1.0mm/s时,开关周期从1.25s减小到0.26s,周期占空比约为0.5,阀的阈值与开关时间常量呈线性关系.随着常闭阀阀座的增宽,开关周期变长;阀的宽长比增大,开关周期减小;振荡器的不对称设计可以调节周期的占空比.通过调节入口流速和阀的阈值特性,可以设计特定频率的光开关,这为单入多出、多入多出光开关的后续研究提供了依据. 相似文献
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为了实现二进制加法符号替换规律,本文提出了一种简单的光逻辑系统,它仅包括一片二维列阵光学双稳器件.本实验采用同时具有NXOR和OR逻辑功能的透反射型ZnS光学双稳干涉滤光片作光逻辑器件.该光学逻辑系统完成了二进制加法四个符号替换规律的并行替换.光学系统采用固定的自由空间互连方法,具有光学硬件少,光功率损耗低,结构简单、实用的优点. 相似文献
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非线性一维光子晶体波导光双稳 总被引:2,自引:2,他引:0
利用非线性折射率系数较大且非线性时间响应较快的CdSxSe1-x玻璃为材料,设计并制备了非线性一维光子晶体波导光双稳器件,该器件的折射率空间分布呈正弦形式。实验测得双稳开关的阈值功率密度为1.60×105W/cm2,开关时间为63ps。采用时域有限差分方法讨论了光子晶体带隙随入射光强变化而移动的情况,随着入射光功率密度的增加,光子晶体的带隙中心向短波方向移动。同时计算了该器件的双稳特性,理论计算得到双稳开关的阈值功率密度为1.40×105W/cm2,开关时间约为50ps。获得了理论与实验基本一致的结果。 相似文献
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提出一种用全光学开关构成时分复用系统的方法,并用ZnS干涉滤光片双稳开关进行了实验演示.如果采用高速开关进行替代,可望用于光通信与光计算系统,提高信息的传输速度. 相似文献
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将PEG(聚乙二醇)引入到ITO/MEH-PPV(聚(2-甲氧基,5(2'-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑)/Al三明治器件中,实现了很好的电双稳性能。通过改变PEG的分子量、浓度以及退火温度等条件,对器件性能进行了优化。通过电流-电压(I-V)测试研究了不同器件的性能,结果表明,分子量为4 000的PEG,在30 mg/mL的浓度下,通过120℃退火制备的薄膜,其器件性能最优,电流开关比可以达到10~3以上。利用SEM测试研究了活性层的膜形貌,并结合电流-电压(I-V)曲线的线性拟合,分析了电荷在器件中的传输过程。研究发现,相分离产生的陷阱对电荷的俘获是该器件产生电双稳特性的主要原因。 相似文献
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通过逐层旋涂的方法,利用MEH-PPV(Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]与Ir(ppy)_3(tris(2-phenylpyridine)iridium(Ⅲ))),制备活性层,实现了高性能的电双稳器件。通过改变MEHPPV的浓度,制备了不同器件并进行性能比较,发现所有器件都具有明显的电双稳特性。当MEH-PPV的浓度达到4 mg/mL时,器件的开关比可以达10~3。同时,通过测试器件的电流-循环次数研究了器件的持续稳定特性。经过10~4次的反复读写测试,器件性能依然稳定。最后,通过对器件的Ⅰ-Ⅴ曲线进行线性拟合,并结合器件的能级图,对器件的工作原理进行了研究。结果表明,MEH-PPV/Ir(ppy)_3器件的电双稳特性产生的主要原因是偶极层的形成与破坏。 相似文献
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本文首次研究了ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的反射型皮秒激子光双稳,实验结果表明,ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的反射型皮秒光双稳的阈值光强和对比度分别为1.1MW/cm2和6:1.根据测量得到的ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的激子吸收光谱及激子的非线性吸收理论,归结ZnSe-ZnTe多量子阱室温下的皮秒光双稳的主要非线性机理为ZnSe-ZnTe多量子阱的激子饱和吸收引起的折射率变化. 相似文献
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研制了室温CdxZn1-xTe/ZNTe多量子阱法布里-珀罗腔光双稳器件,并在该器件上观察到皮秒一级的室温激子光双稳。研究结果表明,CdZn1-xTe/ZnTe多量子阱光双稳器件的光双稳值和对比度分别为363kW/cm^2和4:1。根据CfxZn1-xTe/ZnTe多量子阱的吸收谱和激子非线性理论,归结了CdxZn1-xTe/ZnTe多量子阱光双稳的主要非线性机理为激子的饱和和吸收。 相似文献
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ZnSe-CdZnse多量子阱光双稳器件的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用电化学选择性腐蚀工艺对GaAs衬底蚀孔,在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ-Ⅵ族半导体多量子阱外延膜.通过在其表面蒸镀反射膜,制成了高质量的F-P腔,制备出ZnSe-CdZnSe多量子阱F-P腔光双稳器件. 相似文献
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ZnSe/ZnS多量子阱激子光学双稳性 总被引:2,自引:0,他引:2
用MOCVD在CaF_2衬底上生长的ZnSe/ZnS多量子阱材料,在77K下用N_2激光泵浦染料获得的宽带光脉冲进行了非线性光学测量,首次观察到ZnSe/ZnS多量子阱的激子光学双稳性,据分析这是由激子的能带增宽效应引起的增强吸收光学双稳性. 相似文献
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本文简述光学双稳性理论和光学非线性机制的研究情况,介绍探索高速度、低功耗和集成化光双稳器件的新进展。重点介绍砷化镓量子阱双稳器件的新发展。 相似文献
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用常压MOCVD法在GaAs衬底上生长了Zn1-xCdxSe-ZnSe多层结构.通过X-射线衍射谱和光致发光等方法判断,表明该材料为多量子阱结构.从室温下的透射光谱上可以观察到这种多量子阱中的n=1的激子吸收峰,并观测到起因子激子的ns量级的光学双稳态. 相似文献
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V.I. Vlad 《Optics Communications》1982,41(6):411-416
An opto-electronic bistable device using a twisted nematic liquid crystal cell is described. The optical bistability characteristics of this device are used in a new liquid crystal light valve with bistability in cellular array structure. Experimental studies demonstrate the applications of such opto-electronic bistable devices in real-time optical information processing such as intensity limiting for contrast improvement and noise elimination, edge enhancement for pattern recognition, linear and nonlinear optical filtering (in spatial and spectral domains). 相似文献