砷化镓红外液晶光阀

详细介绍了GaAs红外液晶光阀的工作机理和制作工艺过程，给出了利用GaAs红外液晶光阀产生3－5μm和8-12μm双波段动态红外场景的结果，空间分辨率力为151p/mm，帧频30Hz，同时输出3－5μm和8－12μm红外场景。在3－5μm波段内最高可模拟等效黑体温度为300℃，在8－12μm波段内最高可模拟等效黑体温度为120℃。     

0.8—12μm工作波长的红外探测器

红外技术正日益渗透到各个领域,如红外光谱学、光学通信、温度测量、激光诊断、等离子体诊断、位置传感器、外差接收机、环境遥测、污染监测、激光测距、激光测速、辐射测量及其仪器。在上述各种应用方面,都需要可靠有效的波长范围在1—12μm的红外探测器。为满足这一需要,激光监视系统有限公司制作出工作波长为0.8—12μm的各类红外探测器。     

基于MDA法计算水雾粒子红外隐身粒径

水雾隐身技术是一种较为理想且经济适用的目标特征信号控制技术。本文从辐射传输方程出发,考虑水雾粒子的本身辐射和散射,提出以红外表观透射率评价水雾粒子的红外隐身性能。应用Modified Differential Approximation(MDA)法结合MIE理论,计算了水雾粒子红外表观透射率随水雾粒子浓度和粒径的变化关系,得到水雾粒子最佳红外隐身粒径。结果表明:水雾粒子的红外表观透射率随粒子浓度的增加而减小,但当粒子的浓度增加到一定值时,红外表观透射率基本保持不变;水雾粒子的红外表观透射率随粒径的增加先减小后增大,当探测波段为3～5μm时,水雾粒子的最佳红外隐身粒径为6μm;而探测波段为8～12μm时,水雾粒子的最佳红外隐身粒径为12μm。     

红外场景投射器双波段投影光学系统设计

为了使红外场景投射器投射出的红外场景更加逼真,设计了一入瞳距800mm、入瞳100mm和视场为±2.5°的双波段红外场景投射器投影光学系统。研究了红外场景投射器双波段投影光学系统的设计过程,分析了初始结构选择的方法。该系统可以模拟主要发出波长为3~5μm的高温物体和波长为8~12μm的常温物体,可以分别使用3~5μm波段红外探测器和8~12μm波段红外探测器进行观测,并对该系统进行了像质评价和公差分析。     

中远红外非线性光学晶体研究进展

3—5μm和8—12μm波段中远红外激光,在国防和民用领域均具有广泛的应用,作为全固态激光频率转换系统的核心部件,非线性光学晶体需要不断地优化和发展.本文从红外非线性光学晶体材料组成角度出发,总结了几种具有重大应用前景的磷族化合物(ZnGeP_2,CdSiP_2)、硫属化合物(CdSe, GaSe, LiInS_2系列,BaGa_4S_7系列)以及准位相匹配晶体(OP-GaAs, OP-GaP)等中远红外波段非线性光学晶体的研究进展.     

一种工作于长波红外波段的40×成像物镜设计

为了同时满足热成像领域高分辨率与大探测范围的应用需求,基于机械正组补偿变焦理论,以一款长焦物镜为原型并采用浮动光阑结构,设计了一款高分辨率、高倍率的长波红外成像系统.系统的F数为1.2,变倍比为40×,焦距变化范围为5.86 mm～234.76 mm,无热化温度范围为-40℃～60℃,适配像元尺寸为12μm的长波红外焦...     

光电子技术与器件 红外技术与器件

P225.2 2007054677基于对比度的双波段被动红外测距=Passive IR ranging based on contrast in dual-band radiation[刊,中]/付小宁(西安电子科技大学机电工程学院测控系.陕西,西安(710071)) ,赵赓…//激光与红外.? 2007 ,37(6) .? 517-519建立了基于双波段对比度观测的被动测距算法。应用瞬时视场概念结合美国海军红外辐射传输模型描述大气透过率造成的衰减,在3 .4 ~5μm,8 ~12μm波段上得到了目标对比度与探测距离的关系式。分析表明,在相邻两个探测距离上可得到四个形如lnx bx c=0的超越方程。通过求解该超越方程组,即可获得相应的目标…     

基于非线性频率变换的长波红外激光器研究进展

8～12μm长波红外波段激光位于大气传输窗口并覆盖诸多气体分子的吸收带,在大气探测、光电对抗等领域具有重要的应用。目前,通过粒子数反转激光器直接辐射以及非线性频率变换间接辐射是实现8～12μm长波红外激光输出的主要方式。其中,基于非线性光学晶体频率转换的长波红外激光器具有结构紧凑、波长选择灵活、功率拓展性强等优势,近年来得到了快速发展和广泛应用。本文对二阶非线性频率变换的光学晶体、工作原理,以及获得长波红外激光的研究进展进行综述,并对基于受激拉曼散射的三阶非线性频率变换获得长波红外的方法进行了介绍和展望。     

用于红外焦平面的正方形孔径球面微透镜阵列研究

针对目前红外焦平面光敏阵列中存在的占空比小、光能利用率低的实际问题,展开了正方形孔径球面微透镜阵列制作及其与红外焦平面阵列集成应用的研究.本文从红外焦平面光敏阵列特点入手,对比分析了正方形孔径相比于传统圆形孔径微透镜阵列在光能利用上的优势.提出正方形孔径微透镜阵列激光直写变剂量曝光制作技术,建立光刻胶曝光数学模型和正方形球面微透镜面型函数,以此为基础,编制直写设备变剂量曝光控制软件;利用长春理工大的学复合坐标激光直写系统和等离子刻蚀机进行相关工艺实验,制作了阵列256×256、单元尺寸40×40μm2、球面半径60μm、单元间距1μm的红外石英微透镜阵列;并将其与相应阵列的碲-镉-汞红外光敏阵列进行集成.结果表明:微透镜的占空比达到95%,红外焦平面光能利用率从原来的60%提高到90%以上.由此得出结论:变剂量曝光制作微透镜技术是可行的,正方形孔径球面微透镜阵列代替圆形孔径微透镜阵列,对于提高红外探测器的灵敏度、信噪比、分辨率等性能具备明显优势.     

红外高效率、宽带减反射膜

本文将(aba)三层对称膜推广为(abc)非对称膜,推得等效折射率N~*的计算公式.并用来设计高效率、宽带红外减反射膜.文中给出了计算和试验结果.对于锗基板,在InSb(3～5μm)和HgCdTe(8～12μm)探测器的响应波段,这种膜的平均透射率为98%;在2～13μm、3～14μm和3.5～15μm波段,平均透射率≥94%,特别是在3.8～14.8μm共11μm宽的波段范围内,最低透射率≥90%.     

光吸收法检测GaxIn1-xAsyP1-y/InP双异质结液相外延片的室温禁带宽度

用双光束分光光度计测定了GaxIn1-xAsyP1-y/InP双异质结外延片中四元层的禁带宽度,并和制得的发光管发射波长及计算值进行比较。部分样品用电子探针阴极荧光法对照。说明光吸收法简便、迅速、可靠。可对液相外延质量提供一定的评价。     

Compositional correlation and anticorrelation in quaternary alloys: competition between bulk thermodynamics and surface kinetics

We analyze the atomistic mechanisms driving the compositional correlation of In and N in the quaternary Inx Ga1-xAs1-yNy alloys combining atomic scale chemical analysis in transmission electron microscopy and density-functional theory calculations. Our results show that for typical growth conditions surface kinetics prevail over bulk thermodynamics resulting in a hitherto unexpected compositional anticorrelation between In and N.     

First-principles study of InxGa1-xAs1-yPy with different compositions

Optical Review - The bulk properties of InxGa1-xAs1-yPy at different In and P compositions are calculated using the first-principles methods. The bandgap of InxGa1-xAs1-yPy is theoretically...     

Structural and Electrical Properties of Be_xZn_(1-x)O Alloys under High Pressure

We conduct extensive research into the structures of Be_xZn_1-xOO ternary alloys in a pressure range of 0-60GPa,using the ab initio total energy evolutionary algorithm and total energy calculations,finding several metastable structures.Our pressure-composition phase diagram is constructed using the enthalpy results.In addition,we calculate the electronic structures of the Be_xZn_1-xOO structures and investigate the bandgap values at varying pressures and Be content.The calculated results show that the bandgap of the Be_xZn_1-xOO ternary alloys increases with an increase in Be content at the same pressure.Moreover,the bandgap of the Be_xZn_1-xOO ternary alloys increases with the increasing pressure with fixed Be content.At the same Be content,the formation enthalpy of the Be_xZn_1-xOO ternary alloys first decreases,then increases with the increasing pressure.     

N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算

本文根据化学反应的吉布斯自由能及VanVechten等人的介电理论计算了N在GaP中的溶解度及P在GaN中的溶解度.计算结果表明,N在GaP中有一个相当好的溶解度,在这个溶解度下,GaP1-xNx合金的能带可以发生有意义的变化,我们的计算结果可以很好地说明最近一些作者所作的有关实验报道.     

失配应力引起的Ga_xIn_（1－x）P外延层能带隙的移动

本文首次观察了用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延层的能带隙移动，并给出了ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延层光荧光（ＰＬ）峰能量随组分ｘ的变化关系，结果表明ＰＬ是探测混晶组分的简单而有效的方法之一。     

Electronic and structural properties of ZnxCd1−xSySe1−y alloys lattice matched to GaAs and InP: An EPM study

The electronic, optical and structural properties of Zn_xCd_1−xS_ySe_1−y quaternary alloys lattice matched to GaAs and InP are studied. The electronic band structure and density of states are computed using empirical pseudopotential method. The disorder effects are included via modified virtual crystal approximation. The bandgap computed from band structures are utilized to evaluate refractive indices, dielectric constants and ionicity factors for the alloys. Among structural properties elastic constants and bulk moduli are computed by combining the EPM with Harrison bond orbital model. All possible semiconductors from the ZnCdSSe system are found to have direct bandgap. The lattice matched alloys have larger band gap and more ionic character than the lattice matched compounds.     

Optoelectronic properties of GaAs1−xPx alloys under the influence of temperature and pressure

This work is concerned with the dependence of the electronic energy band structures for GaAs_1−xP_x alloys on temperature and pressure that is based on local empirical pseudo-potential method. The band structures of GaAs_1−xP_x alloys were calculated in the virtual crystal approximation using the EPM which incorporates compositional disorder as an effective potential.     

纤锌矿BexZn1-xO合金能隙弯曲系数的第一原理研究

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 对纤锌矿Be_xZn_1-xO合金进行能隙特性、弯曲系数和结构参数的计算. 结果表明: Be_xZn_1-xO合金的能隙和弯曲系数都随Be掺杂组分的增大而增大. 通过修正Be_xZn_1-xO合金的能隙值得知其合金弯曲系数b为6.02 eV, 这与实验值接近. 纤锌矿Be_xZn_1-xO合金的能隙弯曲系数过大主要来源于体积形变和电荷转移的贡献. 文中还分析了Be_xZn_1-xO合金的晶格常数、 平均键长和平均次近邻原子距离与Be组分的关系.     

Auger kinetic energies and electronic relaxation phenomena in atoms and solids

A semi-empirical theory has been developed to calculate the kinetic energy of Auger electrons resulting from radiationless transitions in both free atoms and metals. Experimental electron binding energies and calculated two-electron interaction and relaxation energies are used. Relaxation energies are determined by means of hyper-Hartree—Fock hole-state calculations. To account for extra-atomic relaxation phenomena in metals, it is assumed that conductionband electrons occupy free-atom-like screening orbitais. The relationship of the present theory to recent work of Shirley et al., Larkins, Kim et al. and Watson et al. is discussed. The dependence of the Auger cross-relaxation energy on the ionicity of compounds is briefly discussed.