表面层型半导体陶瓷电容器

对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。     

表面层半导体陶瓷电容器材料的研制

在(Ba_(1-x)Nd_(2x/3)□_(x/3))TiO_3系固溶体中(其中Nd也可以是Pr、Dy、Sm、Gd中的一种)添加Mn的氧化物,可制得表面层半导体陶瓷。该陶瓷经适当选择组成,并在合理的条件下加以处理,可制得单位面积容量为0.1～0.27μF/cm~2,击穿电压达500V左右的半导体陶瓷电容器。     

半导体陶瓷电容器

论述半导体陶瓷电容器的一般工艺、瓷体结构、介电特性及其与一般ＢａＴｉＯ３ 型陶瓷电容器之差异。着重叙述其与低压直流老化相关的各种敏感问题、其产生原因及其与工艺因素的相互关系     

再论半导体陶瓷电容器

基于自由能越低越稳定原理和芯-壳结构模型,论述了晶粒边界型陶瓷电容器(GBBLC)的形成。根据晶格结构紧密程度和结合能的大小,讨论了SrTiO3陶瓷半导化的途径。通过再氧化、施主离子的表面偏析、正缺位补偿和受主离子的表层结合等作用,而形成了介质壳层。文中还讨论了有关工艺进展及低温一次烧成GBBLC的可能性。     

还原再氧化型半导体陶瓷电容器材料的研究

通过实验研究了Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｍ２Ｏ３添加量对还原再氧化型ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷电容器材料性能的影响，同时优化了烧结工艺，获得了Ｃ＞０．５μＦ／ｃｍ２，ｔｇδ＜３．５×１０－２，ρ＞４×１０１１Ω·ｃｍ，｜△Ｃ／Ｃ｜（－２５～＋８５℃）＜＋３０－８０％，Ｖｂ＞４２０Ｖ的实用半导体陶瓷电容器材料     

还原气氛对表面层陶瓷电容器介电性能的影响

在材料组成、烧结工艺不变的情况下，系统研究了还原气氛对Y5V、Y5u、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器瓷片半导化电阻率、瓷片介电性能的影响。研究结果表明，半导体陶瓷电容器的容量变化率强烈依赖其还原气氛，无论是Y5V、Y5u还是Y5P瓷片均有类似的变化规律。氧分压降低，电容器的电容量温度变化率△C／C变小，当H2：N2比例大于20：100时，瓷片的△C／C不再变化，大约为空气烧结瓷片△C／C的88％。在不改变瓷料组成、烧结温度的情况下，通过还原气氛的适当控制，可改善Y5V、Y5u、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器的电容温度特性，而其他介电性能基本不变。     

一次性烧成晶界层半导体陶瓷电容器

采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成。在一台联体烧成设备中,采用大梯度温度和气氛变化,连续完成还原烧成和氧化处理。还原烧成时,升温速度大于400℃/h。在还原烧成温度下保温后,立即在几分钟内,从还原气氛转到氧化气氛,同时降温300℃以上。整个烧成过程中,瓷体全部是堆烧(叠烧10～20层),生产效率比二次烧成提高10倍以上。     

半导体陶瓷电容器介质的一些进展

<正> 一般来说,整机的性能与小型化取决于元件,而元件的质量与小型化在一定程度上又取决于材料。电子设备中应用较广泛的陶瓷电容器要实现小型化,除了减小其介质厚度和增大电极的面积外,更重要的是尽可能地增大陶瓷介质的介电常数。我们知道,半导体陶瓷的介电常数特别大,因此它是制作     

介电常数高达20万的半导体陶瓷电容器

<正> 据《ェレクトロニク、セラシクス81年Vol.12秋号》报导,日本一家陶瓷元件制造商—村田制作所—试制成一种半导体陶瓷电容器,其陶瓷介质材料的介电常数高达200000,比普通的陶瓷材料的介电常数要高一个数量级,比以前制造的最高介电常数为100000的半导体陶瓷材料还高出一倍。与介电常数为55000的陶瓷电容器相比,在相同     

CCH型片式高压陶瓷电容器

MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到了仍是用单层被银瓷片制成的片形高压瓷介电容器。该产品的小容量规格制造更容易,其可靠性高,适用于SMT。     

SEM二次电子成像在半导体陶瓷电容器研制中的应用

半导体陶瓷电容器的瓷坯为小圆片。瓷片经过烧结、还原半导化和再氧化后 ,表面形成很薄的氧化介质层 ,中间是ｎ型半导体 ,电阻很小 ,起连接导通作用。瓷片两表面印制电极后 ,等效于一对串联电容器。由于氧化介质层很薄 ,且为高介电材料 ,所以能够获得很大的电容量。其结构示意图如图 1。半导体部分和氧化介质层部分虽然材料是一致的 ,但由于晶格结构缺陷 (氧缺位 ) ,而使半导体和氧化介质层ＳＥＭ二次电子成像中表现出明显不同的衬度 ,通过衬度对比 ,我们测出氧化介质层厚度 ,并且观察判断氧化程度及其一致性 ,它们与工艺、性能密切相关 ,给…     

独石陶瓷电容器

<正> 前言 随着混合集成电路工艺及高密度组装技术的发展,要求元器件结构高度紧凑,并具有高可靠性。 独石电容器具有结构紧凑、可靠性高及容量大等一系列优点。但目前国内普遍采用的Pb-Mg-Nb系列的低温烧结陶瓷材料在电气性能特别是可靠性方面与国外同类产品相比还存在相当大的差距;不能满足军事、宇航及恶劣条件下的使用要求,其应用范围受到限制。     

CT47型脉冲功率高压陶瓷电容器性能

基于材料和工艺特点,对新研锆钛酸钡基CT47型脉冲功率电容器的高压脉冲放电性能和贮存性能进行了分析,并根据脉冲功率应用场景设计了系列化性能研究实验。实验结果表明,该电容器温度特性良好,高压脉冲放电性能稳定,耐压值高,绝缘性能好,为该电容器在脉冲功率领域的应用奠定了良好的基础。     

Finder-1000 X射线能谱仪在半导体陶瓷电容器制程中的应用

X射线能谱(EDX)分析是目前使用最广泛的表面及亚表面微区化学成分的分析方法之一。     

高压陶瓷电容器用介质陶瓷

<正> 一、前言近年来,随着高压陶瓷电容器在同轴电缆传输系统中的电源分隔滤波器(PSF)和彩色电视接收机的倍压整流电路中,获得广泛应用以来,各国对高压陶瓷电容器技术的研究十分活跃。广大科学工作者在努力改进老材料的同时,正积极寻找新的介质陶瓷和包封材料。在器件设计和制作方面,竭力改进电极的结构和提高封装质量。于是许多新     

积层陶瓷电容器

C3216／C3225系列陶瓷电容通过优化内部电极结构,取得优异的AC耐压特性,从而在原有的直流耐压基础上,保证了交流耐压特性。同时,该产品在额定电压为DC 630V的情况下拥有2种形状（即3216尺寸和3225尺寸）,3216尺寸的容量范围为1．0～15．0nF,