WO3薄膜的电致变色特性研究

介绍了ＷＯ３电致变色薄膜的变色机理和制备工艺，对ＷＯ３薄膜的电阻率，结构，化学组玢，电化学特性和变性性能等特性进行了工艺，提出了ＷＯ３薄膜的一种新的锂化方法，这种方法对进一步研制全固态电致变色薄膜器件是十分关键的。     

钽掺杂氧化钨薄膜电致变色性能

为改善氧化钨电致变色薄膜的电化学循环稳定性,采用磁控溅射方法制备了钽掺杂的氧化钨电致变色薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、光谱椭偏仪(SE)、紫外-可见分光光度计、电化学工作站对薄膜的微观结构、光谱调制能力、着色效率、循环稳定性进行了表征和分析,研究了钽掺杂对氧化钨薄膜结构及电致变色性能的影响。结果表明,适量掺杂可以调节薄膜的微观结构,使薄膜中的裂纹减少,表面更为均匀;但当掺杂过度时,薄膜太过致密,甚至出现表面颗粒团聚凸起的现象,影响了薄膜的多孔性和均匀性,阻碍了离子在薄膜中的迁移和扩散;相对于未掺杂的氧化钨薄膜,适量钽掺杂的薄膜具有更宽的光谱调制范围和更高的着色效率,亦表现出良好的循环稳定性。     

非晶态WO3薄膜电致变色特性的研究

采用射频溅射三氧化钨粉末靶的技术，在不同的氧分压条件下沉积得到非晶态WO3电致变色薄膜，分析得知氧分压为1∶10的样品变色性能更好些.采用x射线衍射(XRD)，原子力显微镜(AFM)，伏安特性曲线和分光光度计分析所制备薄膜的特性.将薄膜在15mol/L的LiClO4的丙稀碳酸脂（PC）溶液进行电化学反应.发现氧分压在1∶10的情况下沉积得到的薄膜呈非晶态，薄膜有较多的孔隙，这有利于Li+的抽取，进而显示出很好的变色性能.x射线光电子能谱(XPS)成分分析表明WO3薄膜在原态中只有W和O两种原子电色反应后 关键词： 三氧化钨薄膜 非晶 射频溅射 电致变色     

硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量的一个简单的理论计算

介绍一个从晶体结构出发建立的晶体结构配位数与最佳掺杂含量关系的一个简单的理论表达式，对硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量作出理论计算，定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题。     

旋涂法制备WO3薄膜电致变色性能

"智能窗"大规模推广顺应可持续发展潮流,三氧化钨(WO_3)是生产"智能窗"的一种重要电致变色材料,但调控WO_3薄膜电致变色性能机制仍待进一步研究。采用旋涂法制备WO_3薄膜,重点研究了溶液浓度和旋涂次数对调控WO_3薄膜电致变色性能的影响。通过表面轮廓仪测量薄膜厚度,X射线衍射(XRD)测量薄膜结晶情况,原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜表面形貌,光谱仪测量薄膜初始态、着色态和褪色态的透射率。实验结果表明,随着溶液浓度增加(0. 2～1. 0 mol/L),薄膜厚度从9. 7 nm增加到33. 3 nm,透射率调制能力从0%提升到37. 0%;多次旋涂薄膜厚度线性增长,线性拟合优度(R~2)达0. 98,5次旋涂后透射率调制能力达51. 3%。改变溶液浓度和旋涂次数都是调控薄膜透射率调制能力的有效手段,精准调控薄膜透射率调制能力对设计不同应用场景的电致变色器件具有重大意义。     

电致变色薄膜锂化技术的研究

提出了一种新的电致变色薄膜的锂化方法，通过电子枪蒸镀锂单质，提高了锂的离化率，从而提高了锂化效果，采用此技术研制的全固态电致变色薄膜器件获得了较好的变色特性，透射式和反射式全固态电致变色薄膜器件的变色性能分别为５０％￣５％和７０％￣２０％。     

电致变色氧化钨薄膜锂离子阈值注入量的研究

探讨了ＷＯ３薄膜与１ＭＬｉＣｌＯ４－ＰＣ溶液之间的界面电位差的变化规律及测量方法，制备了三种具有不同电致变色性能的ＷＯ３薄膜，并对它们进行了界面电位差随Ｌｉ＾＋注入量大小变化的测量，通过实验发现，界面电位差的变化趋势能够反映出氧化钨薄膜的Ｌｉ＾＋离子阈值注入量的大小。进而找到了用电阻热蒸发方法制备了电致变色氧化钨薄膜的最佳工艺条件。     

用作电致变色哗啦的LiNbO3离子导体薄膜的研究

采用射频射溅射方法制备用电致变色器件的ＬｉＮｂＯ３薄膜，利用频率外推法和Ｗａｎｇｎｅｒ极化法对所沉积的ＬｉＮｂＯ３离子导体薄膜的离子电导率进行了测试和计算，给出了薄膜的光谱特性，分析和讨论了薄膜制备工艺对薄膜结构和离子电导率的影响和作用。     

用作电致变色器件的LiNbO_3离子导体薄膜的研究

采用射频溅射方法制备用作电致变色器件的ＬｉＮｂＯ３薄膜，利用频率外推法和Ｗａｎｇｎｅｒ极化法对所沉积的ＬｉＮｂＯ３离子导体薄膜的离子电导率进行了测试和计算，给出了薄膜的光谱特性，分析和讨论了薄膜制备工艺对薄膜结构和离子电导率的影响和作用。     

硫钒铜矿化合物电子结构和电致变色特性的第一原理研究

基于密度泛函的第一原理赝势平面波方法,计算晶体结构、电子结构和光学性质,研究硫钒铜矿化合物Cu₃VS₄、Cu₃NbS₄和Cu₃TaS₄的电子输运及电致变色特性,探讨作为透明半导体材料应用于太阳能电池和电致变色器件的可能性.电子结构的计算表明这类化合物是间接带隙半导体,其电子能带的导带底和价带顶分别位于布里渊区的X点和R点.价带顶的电子本征态主要来自于Cu原子的d电子轨道,而导带底电子态主要来源于VB族元素原子的d电子轨道.能带结构、电荷布居分析、电子局域化函数和光吸收及反射谱的计算表明这些硫钒铜矿化合物属于极性共价半导体,具有较高的电荷迁移率和优良的电致变色特性,可应用于高效电致变色器件.     

H掺杂对ZnCoO稀磁半导体薄膜结构及磁性能的影响

利用磁控溅射法,采用亚分子分层掺杂技术交替溅射Co靶和ZnO靶,在Si衬底上制备了不同氢氩流量比的H:ZCO薄膜样品,研究了氢氩流量比对薄膜结构特性和磁学性能的影响。所制备的薄膜样品具有c轴择优取向。由于H对表面和界面处悬挂键的钝化作用,随H₂流量比的增加,薄膜的择优取向变差。磁性测量结果显示,薄膜样品的铁磁性随着氢氩流量比的增大而增强。XPS结果表明,随着H含量的增大,金属态Co团簇的相对含量逐渐增加,而氧化态Co离子的相对含量逐渐减小。H:ZCO样品中的铁磁性可能来源于Co金属团簇,H的掺入促使ZnO中的Co离子还原成Co金属团簇,从而增强了薄膜样品的室温铁磁性。     

卤素氟化物ClFO3的结构与性能的理论研究

卤素氟化物是一类反应活性很强的物质,在诸多领域有重要应用。本文采用量子化学密度泛函理论（DFT）B3LYP/6-31G(2df)方法,对卤素氟化物ClFO3的七种异构体进行了几何优化和振动频率分析,结果表明它们均对应于势能面上的稳定构型。这七种异构体中,Cl原子作为中心原子,与1个F原子和3个O原子直接成键形成的分子结构能量最低,为最稳定结构。根据统计热力学原理,计算了标题物的标准热力学函数,包括摩尔热容（Cop,m）、摩尔熵（Som）和摩尔焓（Hom）。理论计算所得结构参数和与热力学函数均与文献报道的实验值相符,说明了所用理论方法的可靠性。借助于原子化反应和生成反应计算了其生成焓及其与甲烷和水反应的热效应。在DFT优化分子结构的基础上,采用力场方法得到ClFO3的最可能堆积方式属于Pbca空间群,进一步采用DFT GGA-RPBE方法优化其晶体结构,并计算能带结构和态密度,发现其带隙较宽（4.61eV）,表明其具有较好的稳定性。在Fermi能级附近,ClFO3晶体中的导带主要来自于O和F原子的2p轨道的贡献,而价带主要来自于Cl原子的2p轨道的贡献。     

卤素氟化物ClFO3的结构与性能的理论研究

卤素氟化物是一类反应活性很强的物质,在诸多领域有重要应用。本文采用量子化学密度泛函理论（DFT）B3LYP/6-31G(2df)方法,对卤素氟化物ClFO3的七种异构体进行了几何优化和振动频率分析,结果表明它们均对应于势能面上的稳定构型。这七种异构体中,Cl原子作为中心原子,与1个F原子和3个O原子直接成键形成的分子结构能量最低,为最稳定结构。根据统计热力学原理,计算了标题物的标准热力学函数,包括摩尔热容（Cop,m）、摩尔熵（Som）和摩尔焓（Hom）。理论计算所得结构参数和与热力学函数均与文献报道的实验值相符,说明了所用理论方法的可靠性。借助于原子化反应和生成反应计算了其生成焓及其与甲烷和水反应的热效应。在DFT优化分子结构的基础上,采用力场方法得到ClFO3的最可能堆积方式属于Pbca空间群,进一步采用DFT GGA-RPBE方法优化其晶体结构,并计算能带结构和态密度,发现其带隙较宽（4.61eV）,表明其具有较好的稳定性。在Fermi能级附近,ClFO3晶体中的导带主要来自于O和F原子的2p轨道的贡献,而价带主要来自于Cl原子的2p轨道的贡献。     

Ni掺杂对Cu团簇结构稳定性的影响

采用密度泛函理论对Cu_n和Cu_n-1Ni(n=3-14)团簇的结构及稳定性进行研究.结果证明Cu_n(n=3-14)团簇的基态不是密实结构而是类似双平面的构型;计算表明:Ni掺杂增加了铜团簇的稳定性,Cu_nNi(n=2-13)团簇的最稳态结构与单质铜团簇不同而是以形成二十面体为基础的密实结构,Ni原子趋于和尽量多的Cu原子成键而最终陷入笼状团簇的中心;偶数个粒子的团簇具有相对高的稳定性,尤其Cu₃Ni,Cu₇Ni和Cu₉Ni;陷入笼状团簇内部的Ni原子带正电,使得位于表面的Cu原子带负电,从而增加了由这种团簇构成的材料的化学稳定性,如耐腐蚀性等.     

用铜和氯掺杂的CdS-CdSe双层光电导膜的性质

对掺Ｃｕ和Ｃｌ的ＣｄＳ－ＣｄＳｅ双怪光电导膜的暗电导和亮电导与掺杂浓度及Ｃｕ／Ｃｌ比的关系、响应时间和光谱响应进行了研究。试验发现：适当的Ｃｕ／Ｃｌ掺杂比可使暗电导降低而亮电导提高;掺杂薄膜的响应时间可达５－１０ｍｓ,而对掺杂一般为数百毫秒;随着ＣｄＳｅ浓度增加,光学吸收变大,光谱响应向长波移动 。     

The Optical Spectra of the Arsenic Triselenide Crystal in the Range from 1 to 10 eV

Full complexes of fundamental optical functions of the As₂Se₃ single crystal in the region from 1 to 10 eV are calculated at 10 K (1–5.5 eV) and 77 K (5.5–10 eV) for three light polarizations (E a, E b, and E c). Their main characteristic features are established. The experimental reflection spectra and the spectra of other optical functions calculated on their basis are compared with the known literature data.     

KX（X=Cl,Br,I）晶体中Eu^2＋离子的4f^65d态能级计算

按着4f~6(~7F_J)和5dΓ_1耦合模型,提出了计算KX(X=Cl,Br,I)晶体中Eu~(2+)离子4f~65d能级的方法,导出了能级的参数表达式,并进行了数值计算,计算结果和实验符合较好.