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1.
测量了Sm2-xCexCuO4(0.00≤x≤0.21)多晶样品的热电势S和电阻率ρ的温度依赖关系.在缘绝体-金属转变边界处,观测到热电势从绝缘体区明显的弱温度依赖关系到金属区线性温度依赖关系的转变.当Ce的含量由0.09增加到0.21时,高温下S的斜率发生由负到正的转变,这是能带的填充能级发生改变时电子型和空穴型载流子的贡献发生竞争的表现,由电子型向空穴型的过渡发生在x=0.17处.S和ρ在200K以下的斜率变化是载流子局域化造成的.x=0.06-0.21的样品在50K处观察到一个正的曳引峰.室温下的热电势S300K和S0(高温区热电势线性外推到0K的值)与Ce含量在绝缘体、欠掺杂和过掺杂区域有不同的依赖关系.过掺杂区域很小的S300K和S0意味着一个宽带的费米液体的贡献,同时ρ满足T2关系,二者相一致. 相似文献
2.
测量了在O2中退火不同时间的Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的热电势S与电阻率ρ的温度依赖关系.所有的样品电阻率高温下呈现线性温度依赖行为.未退火的样品在148K发生超导转变,而退火后的样品在低温下发生金属半导体相变,其超导电性消失,表明退火引起了载流子浓度下降,体系进入欠掺杂态.随着温度降低,所有的样品ST和ρT曲线在200K附近(T)都发生斜率的改变,可以用赝能隙现象解释.热电势S在低温下出现一个正的曳引峰,意味着载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型
关键词:
电子型超导体
热电势
赝能隙 相似文献
3.
制备了Sm2-xCexCuO4的多晶样品.X-射线粉末衍射结果表明,该系列样品为K2NiF4214结构,当0.090.17时,为T'相.电阻率测量在0.15,0.17,0.19样品上观测到超导转变.最高Tc对应于x=0.17为13.6K,均远低于(Pr0.8La1.2)1.85Ce1.2CuO4 的超导转变温度(30K).这是由于该系列样品在远高于超导转变温度时就存在更强的载流子局域化效应.磁化率测量结果表明x=0.17的样品为体超导.该体系样品的Tc低、抗磁信号小与载流子的强局域化效应有关.热电势测量结果表明,在最佳超导组份附近斜率改变符号,欠掺杂区域载流子为电子型,过掺杂区域载流子为空穴型. 相似文献
4.
测量了Sm2-xCexCuO4(000≤x≤021)多晶样品的热电势S和电阻率ρ的温度依赖关系.在缘绝体—金属转变边界处,观测到热电势从绝缘体区明显的弱温度依赖关系到金属区线性温度依赖关系的转变.当Ce的含量由009增加到021时,高温下S的斜率发生由负到正的转变,这是能带的填充能级发生改变时电子型和空穴型载流子的贡献发生竞争的表现,由电子型向空穴型的过渡发生在x=017处.S和ρ在200K以下的斜率变化是载流子局域化造成的.x=006—021的样品在50K处观察到一个正的曳引峰.室温下的热电势S300K和S0(高温区热电势线性外推到0K的值)与Ce含量在绝缘体、欠掺杂和过掺杂区域有不同的依赖关系.过掺杂区域很小的S300K和S0意味着一个宽带的费米液体的贡献,同时ρ满足T2关系,二者相一致.
关键词:
电子型超导体
输运性质
热电势 相似文献
5.
6.
用助溶剂方法高温烧制了电子型超导体母体材料Nd2CuO4及其微量Zn掺杂的单晶样品,并系统地研究了在15-300K范围内样品的电阻率和热电势行为.两者在25-200K之间的温区都表现相同的物理行为—高温区为半导体热激活行为,低温区为二维变程跳跃行为.在206K附近发现了反铁磁转变对热电势行为影响的精细峰和弛豫现象.我们的实验结果表明在180K以上温区载流子的行为不满足传统的能带理论.退火对25K以下的温区的热电势的行为有非常显著的影响,其本征的物理性质还需要深入的研究. 相似文献
7.
我们测量了最佳掺杂的Nd1.85Ce0.15CuO4单晶的电阻率和ab面以及c方向热电势.ρ-T曲线在高温下表现为非常好的直线,超导转变比较尖锐Tc,mid=20.6K,说明我们的样品品质很好.低温下的电阻率拟合结果表明频率大约100K的软声子模与载流子有强烈相互作用,这是极化子模型有力的证据.对于热电势结果,令人惊奇的是,无论数值还是曲线形状,包括低温曳引峰的位置,c方向的热电势Sc与ab面内的热电势Sab非常接近.这可能是某种共同的机制导致的结果.比较Nd1.85Ce0.15CuO4和Sm1.85Ce0.15CuO4的热电势曲线可以发现,二的数值和曲线形状基本相同,而与La1.85Sr0.15CuO4差异较大,这进一步说明了顶点氧在这些体系中的作用. 相似文献
8.
用助溶剂方法高温烧制了电子型超导体母体材料Nd2CuO4及其微量Zn掺杂的单晶样品,并系统地研究了在15~300K范围内样品的电阻率和热电势行为.两者在25~200K之间的温区都表现相同的物理行为高温区为半导体热激活行为,低温区为二维变程跳跃行为.在206K附近发现了反铁磁转变对热电势行为影响的精细峰和弛豫现象.我们的实验结果表明在180K以上温区载流子的行为不满足传统的能带理论.退火对25K以下的温区的热电势的行为有非常显著的影响,其本征的物理性质还需要深入的研究. 相似文献
9.
杨宏顺孙成海成路王建斌许祥益柯少秦阮可青 《低温物理学报》2013,(6):449-454
研究了Nd1.85-x Smx Ce0.15CuO4单晶的热电势S、霍耳系数RH和电阻率.在CuO2平面以外的阳离子格点引入无序,其程度是通过改变Sm含量来控制的.霍耳系数RH的测量证明这种名义掺杂没有改变载流子的密度.热电势S(T)在120K以上可用掺杂的半经验模型来分析,表明有电子的窄能带和宽能带的共存.在这个模型中,无论是态密度的带宽和有效电导率的展宽都随着x的增加而增加,而局域化的趋势随Sm掺杂增加而几乎不变.Sm掺杂对超导转变温度TC的抑制作用很小,这意味着超导TC可能与载流子局域化和巡游电子的能带结构有关. 相似文献
10.
测量了高质量的单晶膜La2-xSrxCuO4(x=010,020,025)的电阻率和热电势.La19Sr01CuO4电阻率呈现S型行为,表明存在一个赝能隙,在赝能隙态可以用公式ρ=ρ0+βexp(-ΔT)很好地拟合.热电势的测量表明,在超导转变前样品的残余热电势值非常小,这是膜的高质量引起的,三个样品在200K以上都出现一个宽峰,对其进行了一些理论模型分析,并与电子型超导体热电势结果作了比较.
关键词:
薄膜
输运性质
热电势 相似文献
11.
12.
13.
THE THERMAL BEHAVIOR OF TWO-COMPONENT PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL ALUMINIUM GALLIUM PHOSPHATE Al1-xGaxPO4 下载免费PDF全文
The temperature properties of elastic, piezoelectric and dielectric constants for the single crystal Al0.88Ga0.12PO4 have been studied in detail over a temperature range from 150 to 410K. And two crystal plates with different orientations which have zero temperature coefficient are introduced. As might have been expected, the single crystal Al1-xGaxPO4 is a new kind of materials applicable to the surface acoustic wave devices. 相似文献
14.
15.
用熔融法合成了单相填充式skutterudite化合物CeyFexCo4 -xSb12 (x =0— 3 0 ,y =0— 0 74) .对Ce的填充范围 ,置换Fe原子对化合物的结构及热电传输特性的影响进行了研究 ,Ce的填充分数随Fe含量的增加而线性增加 ,当Fe含量大约为 3时 ,Ce的填充分数达到 0 74.晶格常量a随Fe含量的增加而增加 ,Ce的填充使晶格常量进一步增加 .当Ce填充分数达到饱和状态时 ,CeyFexCo4 -xSb12 化合物表现为 p型传导 ,霍尔系数RH 随Fe含量的增加而降低 ,空穴浓度 p和电导率σ随Fe含量的增加而增加 ,泽贝克系数α随Fe含量的增加而降低 .当Fe/Co比大约为 1 5 / 2 5时 ,CeyFexCo4 -xSb12 的晶格热导率 (κl)达到最小值 . 相似文献
16.
R Srinivasan V Sankaranarayanan N P Raju S Natarajan U V Varadaraju G V Subba Rao 《Pramana》1987,29(2):L225-L230
The absolute thermopower of single phase YBa2Cu3O7 and Y0.8Er0.2Ba2Cu3O7 has been measured in the range 250 K to the superconducting transition temperature. It is found that these compounds show
a large enhancement of thermopower in the range 150 K down toT
c. This enhancement shows a steep exponential drop as the temperature increases from the transition temperature. The temperature
variation of the enhancement is too steep to be accounted for by electron-phonon or electron-local structural excitation mechanisms. 相似文献