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本文研究了DCEL器件在AC条件下,亮度、效率、有功电流、无功电流及损耗角正切与频率的关系.指出了发光区有效电场强度、发光区的宽度及电压分配系数等都是与频率有关的物理量.证明了有功电流和损耗角正切随频率的变化可分为两个区,在低于1kHz的低频区,有功电流和介质损耗分别以漏导电流和漏导损耗为主,可称为漏导电流区.在大于1kHz的高频区,有功电流中与各种松弛极化形式有关的吸收电流占主导且随频率增加较快.与其相关的,和各种极化有关的介质损耗急剧增加并超过漏导损耗而成为损耗的的主要成分,从而导致发光效率下降.这一区域可称为吸收电流区. 相似文献
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直流电致发光(DCEL)器件在交流(AC)电压下的I-V,B-V和B-I特性 总被引:2,自引:2,他引:0
本文研究了DCEL器件在AC条件下的电流-电压(I-V),亮度-电压(B-V)和亮度-电流(B-I)特性.提出了在不同激发条件下的I-V,B-V和B-I的经验公式.证明了DCEL器件在AC条件下按激发条件可分为三个负载区:容性负载区,电阻负载区和混合负载区.在不同的负载区DCEL器件呈现完全不同的光电特性.证明了在不同负载区工作时磷光粉层内电场分布和电子能量分布截然不同.分析了上述特性的原因.证明了老化和形成过程具有同样的物理机制,老化是形成过程的继续. 相似文献
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我国是继英国之后世界上第二个独立自主研究并全面掌握DCEL技术的国家,其基本技术已赶上英国,达到世界先进水平,近年来,我国在DCEL核心关键技术--包铜和形成工艺方面又开发出独特的新工艺,使生产效率和DCEL显示器最大单元发不面积均提高十至几十倍,彻底克服了对产业化的严重制约,处于世界领先水平。我国首先发现并深入研究了DCEL器件的ACEL特性,其ACEL发光亮度在市电工作条件下比传统ACEL器件提高十倍以上。深入地研究了DCEL形成过程的物理图像和机制。亮度衰减特性;发光区的成因及其随机性;DCEL器件在交流(AC)电压下的光电特性等。1985年完成世界上首台计算机控制大面积(1m^2)镶嵌式DCEL终端显示器,并成功用于全国人大常委会会务信息显示;同年还完成我国首台高分辨率便携式固体平板化DCEL微机终端显示器,利用DCEL器件的ACEL特性还成功开发出多种非矩阵DCEL显示器。 相似文献
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ZnS:Mn,Cu粉末的直流电致发光(DCEL) 总被引:1,自引:1,他引:0
本文综述了本实验室对粉末DCEL材料的研究结果,文中叙述了直流发光材料和器件方面的研究进展,其中包括材料的制备方法,包铜工艺、ZnS原料,介质的选择原则,形成过程及DCEL机理等。 相似文献
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我们用单极性脉冲电压激发ZnS-Mn,Cu粉未发光器件并测量了光电特性。研究了不同形成电压下脉冲电流同脉冲电压的关系;过电压激发下积分亮度的变化;积分亮度同激发脉冲的频率和占空比的关系。我们也测量了一个脉冲期间在发光器件年的瞬态电压变化,看到了负阻效应。 相似文献
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ZnS:Mn、Cu粉末直流电致发光器件直流和交流电致发光一致性的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了粉末直流电致发光(DCEL)器件在直流(DC)和交流(AC)电压下光电特性的关联和区别及其物理机制.实验发现,在DC和AC条件下DCEL器件的阻抗特性之间没有任何有规律的关联,而AC条件下的激发电流IA和亮度BA以及DC条件下的亮度BD和发光效率ηD四个参量之间则表现出某种程度的一致性,但AC条件下的发光效率ηA与上述四个参量之间却表现出某种相反和相对立的关系.DCEL器件的光电特性具有强烈非线性和对电压方向的非对称性.正半周(或DC条件下)DCEL器件是在高电场和低电流激发下的发光.对发光起主要作用的是电场强度.在负半周时则是低电场和大电流激发下的发光.对发光起主要作用的是激发电流而不是电场强度.在AC条件下依材料、工艺、形成条件和工作电压的不同,DCEL器件可能更多地显示出正半周,负半周或两半周综合的光电特性.上述观点可以解释本文的实验结果. 相似文献
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本文研究了粉末直流电致发光(DCEL)器件在直流(DC)和交流(AC)电压下光电特性的关联和区别及其物理机制. 实验发现,在DC和AC条件下DCEL器件的阻抗特性之间没有任何有规律的关联,而AC条件下的激发电流I_A和亮度B_A以及DC条件下的亮度B_D和发光效率η_D四个参量之间则表现出某种程度的一致性,但AC条件下的发光效率η_A与上述四个参量之间却表现出某种相反和相对立的关系. DCEL器件的光电特性具有强烈非线性和对电压方向的非对称性.正半周(或DC条件下)DCEL器件是在高电场和低电流激发下的发光.对发光起主要作用的是电场强度.在负半周时则是低电场和大电流激发下的发光.对发光起主要作用的是激发电流而不是电场强度.在AC条件下依材料、工艺、形成条件和工作电压的不同,DCEL器件可能更多地显示出正半周,负半周或两半周综合的光电特性.上述观点可以解释本文的实验结果. 相似文献
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半导体PN结具有电容的性质.在正向直流偏压下,理论计算表明,PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比.实验发现,当正向偏压小于30mV时,这种线性关系是成立的;当正向偏压大于30mV时,会偏离这种线性关系.由于PN结还具有电阻特性,对交流信号的相位有影响.随着正向偏压增大,交流信号的相位变化出现一极值.如果将PN结等效为一个电容和一个电阻并联,就可以定性解释这种变化关系. 相似文献
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退火的处理方法对ZnS:Cu,Eu,Br粉末ACEL材料的老化性能有明显的改善,但处理时颗粒表面必须包有过剩的铜,否则将破坏发光性能。若用氰化钾洗去表面过剩的铜后,再进行包铜退火处理,发光亮度部分恢复,老化性能改善。我们认为处理后老化性能改善的原因,不是改善了发光中心的条件,可能是改善了Cu2S相的条件,因而抑制了离子的迁移。 相似文献
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聚(2,5-二丁氧基对苯乙炔)电致发光性能的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文对以聚(2,5-二丁氧基对苯乙炔)为发光层的聚合物电致发光二极管的电致发光性能和影响其性能的因素进行了研究。其发光峰值波长为590um,起亮电压为12V,最大亮度可达112cd/m2.热处理温度和时间影响其发光强度和峰值波长,一般以200℃,真空处理3.5h为宜。还原气氛(N2+H2)下的热处理有利于电致发光性能的提高。器件在空气中具有一定的使用寿命。其量子效率可达0.16%光子/电子。并研究了器件制备工艺对性能的影响,初步探讨了聚合物电致发光机理。 相似文献