自由电子激光中电子与光子的相互作用

本文根据相对论性电子与光子的碰撞提出了一个基本的理论计算，导出了散射光子的频率与入射光子频率的关系：ｖ＝４ｖ＾２ｙｉ，进而讨论自由电子激光的某些特性。     

闪锌矿结构Zn_（1－x）Mn_xSe混晶光学声子行为

本文计算了闪锌矿结构Ｚｎ（１－ｘ）ＭｎｘＳｅ光学声子频率随组分ｘ值的改变．计算表明，Ｚｎ（１－ｘ）ＭｎｘＳｅ混晶的光学声子属混模行为．在计算中，表征晶格常数改变对力常数影响的物理量，不同混晶应取不同的值．     

GaAs_(1-x)P_x中N-等电子陷阱的研究

本文用集团模型EHT方法计算GaAs_(1-x)Px中的N-等电子陷阱能级.计算表明,必须计入原子的激发态轨道才能使结果得到较为实质的改善.     

低激发功率密度下GaAs_（1－x）Px：N（x＝0．88）的NNi对发光

在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能端并且窄化．结果表明，在低激发功率密度下，热激活的Ｎｘ→ＮＮｉ激子转移过程明显加强，激子转移的机制主要是变程跳跃过程．     

分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究

本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层．     

Ga_(1-x)Al_xAs和GaAs_(1-x)P_x混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xA_o和GaAs_(1-x)P_x混合晶体系统的拉曼光谱的测量结果.证实两种材料都呈现典型的“双模”行为.从拉曼光谱的测量结果得到了长波长光学声子模频随组分的变化关系.在修正的等位移模型的基础上,提出一种简化模型:忽略次邻力的作用,仅考虑近邻力和极化场的作用,并假设近邻力常数随组分线性变化.没有任何调节参数,计算了长波长光学声子模频的组分关系.计算结果和实验符合较好.     

n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式，推测多声子无辐射复合起着决定性作用     

高电子迁移率GaAs／Al_xGa_（1－x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究

本文采用三角附近似，考虑了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－）ｘＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）异质结中七种主要的散射机制，计算了２ＤＥＧ电子迁移率与隔离层厚度（ｄ）和Ａｌ组分（ｘ）的关系，对ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）ＡＳ异质结的结构参数进行了优化分析．就作者所知，本文首次计算了２ＤＥＧ电子迁移率与Ａｌ组分ｘ的关系，得到了与实验规律一致的结果．     

飞秒激光与宽禁带物质相互作用过程中光子-电子-声子之间的微能量传导Ⅰ:光子吸收过程

The new phenomena induced by femtosecond lasers lead to the new area of ultrafast science.It is a significant challenge to explain the phenomena associated with complex non-equilibrium and non-linear processes.Although there is a growing body of experimental observation,a comprehensive model remains undeveloped.We review the challenges in understanding the photon absorption stage mainly for the femtosecond ablation of wide bandgap materials at the intensities of 1013～1014 W/cm2.Major opinions and challenges in ionization mechanisms are presented by primarily considering multiphoton ionization and avalanche ionization.     

生长在Ge_xSi_（1－x）（001）衬底上的量子阱Si／Ge_xSi_（1－x）的电子能带结构

根据电子能带的畸变势常数计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的量子阱Ｓｉ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ的电子势垒高度，讨论了电子势垒高度随合金组分ｘ的变化情况。并用包络函数方法计算了不同合金组分ｘ时的量子阱的子能带结构。计算结果表明［００１］及［００１］导带底电子量子阱处在Ｓｉ层，而其它四个导带底能谷的电子量子阱处在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金层。两类量子阱的电子势垒高度均随着衬底合金组分ｘ的增加而增加。     

光子、激子、声子相互作用与红外激光作用下聚合物链间非线性输出过程的孤子理论

本文利用固体理论中的量子场论和量子孤子理论，研究了聚合物在红外激光作用下，由于光子、激子、声子间的相互作用，引起聚合物分子链间非线性输出效应，并用量子孤子理论研究了这一过程。本文的相互作用哈密顿量为：其中He对应于聚合物分子内的激发，Hi对应于激子声号相互作用，Hp为声子的哈密顿量；Hg为孤子的哈密顿量；ε为能量，B n和Bn分别为第n个分子的激发产生与湮没其符，D决定于范德瓦尔斯力，J决定于邻近两个分子的共振相互作用，x为激子声子耦合参量，M为分子质量，P为动量其符，ω为弹性系数，un为第n个分子的位移函数。再…     

超晶格（Ge_xSi_（1－x）1／（Si）_m（001）的电子能带结构

采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）的基本带隙及其导带底在布里渊区中的位置在Ｘ＝０．０１～０．１范围内随Ｘ的变化情况以及当Ｘ＝０．０１时随硅层层数ｍ的变化情况。计算结果表明，在ｘ＝０．０１～０．１范围内，ｘ对导带底位置基本上没有影响，导带底位置主要由硅层层数ｍ决定，并可根据布里渊区折叠计算得到。由此提出，可以制成类似于（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）形式的超晶格，而获得准直接能隙结构的材料，以提高其光的发射和检测能力。关键词：     

电流控制LPE生长In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－Y）

用电流控制液相外延（ＣＣＬＰＥ）方法首次在（１００）ＩｎＰ衬底上成功地生长出Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ（０．３０＜ｘ＜０．４７，０．７０＜ｙ＜０．９６）外延层，并对外延层特性进行了详细研究，提出在ＩｎＰ衬底上生长电外延层的机理，推导出生长动力学的理论模型，该模型与上述实验结果十分吻合。     

Hg_(1-x)Cd_xTe混晶中光学声子与电子的相互作用

本文用双格点模型描写Hg_(1-x)Cd_xTe 混晶的双模式光学振动,计算了T=77K时长波TO和LO声子的频率,理论值与实验值符合较好.引入双模式的Callen有效电荷,导出了Hg_(1-x)CdxTe 混晶中光学声子与电子相互作用的矩阵元.对于n型Hg_(?)Cd_(0.2)Te,计算了光学声子散射对自由载流子吸收系数的贡献(T=90K,λ=20μm),并与声学声子散射、电离杂质散射和无序散射进行了比较,结果表明光学声子散射是主要散射机构.     

光子电子声子相互作用与聚合物电介质在光辐射条件下非线性电击穿过程的孤子理论

本文利用固体理论中的量子场论方法和孤子理论以及量子理论中的连续近似方法，研究了聚合物电介质在光辐射作用下，由于光子电子声子间的相互作用，导致聚合物电介质非线性电击穿，得到了非线性动力学过程的孤子理论解．近几年来，高聚物电介质在空间和核工业等具有光辐射的环境中，击穿电压远小于正常击穿电压．通常用线性热效应理论来研究此类问题，理论结果与实验测量相差甚远．本文采用的哈密顿量为：其中代表电子在点的产生与湮没算符，是平衡点。的分子纵向位移算符，M为分子质量，k2为纵向弹性系数，凡是分子。的动量算符，并与算符…     

飞秒激光与宽禁带物质相互作用过程中光子-电子-声子之间的微能量传导Ⅱ:相变过程

Energy transport in femtosecond laser ablation can be divided into two stages:1) laser energy absorption by electrons during the pulse irradiation, and 2) phase change stage that absorbed energy redistributes in bulk materials leading to material removals. We review challenges in understanding the phase change process mainly for the femtosecond ablation of wide bandgap materials at the intensities on the order of 1013～1014 W/cm2. Thermal vaporization and Coulomb explosion are two major mechanisms considered for material removals. Based on the discussions of energy transport, the estimation equations and unsolved problems for threshold fluence and ablation depth are presented.     

Si／Si_（1－x）Ge_x应变层超晶格折叠声子能隙的精细测量

采用高分辨喇曼光谱仪测量了Ｓｉ／Ｓｉ_（１－ｘ）Ｇｅ_ｘ应变层超晶格中折叠纵向声学支（ＦＬＡ）声子的非弹性散射谱．通过改变激光波长得到了拆叠布里渊区边界附近ＦＬＡ声子的色散曲线，并第一次获得了四级ＦＬＡ声子带隙．将ＲＲｙｔｏｖ理论和精确测量结果进行了比较，讨论了Ｒｙｔｏｖ理论的应用范围及限制，发现在拆叠布里渊区边界上Ｋｙｔｏｖ理论与实验有明显分歧．高分辨喇曼谱还揭示出ＦＬＡ声子峰的精细结构和系列卫星线，讨论了产生这些精细结构的机制以及用于材料标识的可能性．     

GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结构界面光激光发过剩电子的热辅助隧穿俘获

在７１—１６３Ｋ的不同稳定温度下，对ＧａＡｓ－Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ调制掺杂异质结构界面的光激发过剩电子的浓度，作了１０－５－１０３秒时间范围的瞬变测量．一个包含了热声子辅助隧穿，Ｓｉ掺杂的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层ＤＸ中心俘获势垒分布和隧穿后电子的能量弛豫过程的理论计算可以定量地解释实验结果．