芯片凸点技术发展动态

近年来微电子技术得到了迅速发展,芯片性能 按每十八个月翻一番的速度发展,与此同时,芯片的制作成本也在不断降低,然而封装成本却下降不多。在某些产品中,封装已成为整个芯片生产中成本最高的环节。因此,封装已受到越来越多的重视。事实上,传统的封装技术正成为制约电路性能提高的瓶颈,随着人们对电子产品快速、高性能、小尺寸及低价格的需求,各种新型的封装技术应运而生,从几年前主流的ＢＧＡ（球栅阵列）到如今十分热门的ＣＳＰ（芯片尺寸封装）,可谓是五花八门,种类繁多。在这些最新的封装技术中,Ｆｌｉｐ—Ｃｈｉｐ（倒装…     

芯片制造技术的新进展

90年代以来,人们一直十分关注集成电路发展的两大问题,一是集成电路能否继续沿着摩尔（Moors）定律（每3年芯片集成度增加4倍,特征尺寸减小30％）高速发展;二是芯片加工尺寸和硅微电子器件尺寸的极限在哪里。美国半导体工业协会（SIA）于1994年首次组织专家进行研究,制订了半导体技术发展指南,后来又几经修订,最近修订的1999年国际半导体技术发展指南（ITR）如图1所示。按照ITRS,从1999到2011年,集成电路仍将按摩尔定律持续高速发展,预测到2011年芯片的特征尺寸为50纳米（um）。对于2012年以后半导体技术发展速度及芯片特征…     

采用真空来制作芯片

IBM新"Air-Gap"技术采用真空作为低介电常数材料 真空管从计算机中已消失了数十年,但如今真空却做出令人吃惊的反击.IBM推出一新半导体制造技术,该技术通过"空气隙"(Air-Gap,实际是微小的真空洞)来替换集成电路中铜线附近的常规绝缘材料.初步结果显示其效果甚至比最新的固体低电介质常数材料还要好.     

发展光学微细加工技术 促进集成电路产业建设

<正> 集成电路在世界各国经济发展和国家安全方面的重要地位已愈来愈引起人们的重视。实际上,集成电路工业已经成为世界战略性工业,它的发展水平和工业规模已成为衡量一个国家综合国力的重要标志。每个希望在二十一世纪自立于世界之林的国家和地区都在致力于发展自己的集成电路产业。     

芯片设计中的IP技术

从IP开发和集成两个方面入手，重点阐述了IP的基本特征，IP的设计流程及设计中的关键技术，IP集成的一般考虑及集成的关键技术，IP模块的评估与选择等，并探讨了国内IP技术发展的一些思路。     

半导体设备市场的新挑战与新机遇

通过对国内半导体产业发展形势和国内半导体专用设备行业现状的分析,阐述了建立一支掌握着先进技术,又能提供优质服务、反应快速的技术支持队伍的重要性。     

先进微光刻芯片校准用的超高精度平台

集成电路器件制造工业要求尽快发展目前的紫外(UV)或者X射线微光刻技术,以便把刻制图案尺寸减小到小于0.5μm。微细光刻过程要求校准芯片的平台具有非常高的性能:总置位重复精度应小于20nm,工作范围直径超过300mm。对于这种应用,为了改进现有的平台,要求新的设计和控制概念,使得纳米范围的定位精度能容易地实现。     

微电子封装中芯片焊接技术及其设备的发展

概述了微电子封装中引线键合、载带自动键合、倒装芯片焊料焊凸键合、倒装芯片微型焊凸键合等芯片焊接技术及其设备的发展 ,同时报告了世界著名封装设备制造公司芯片焊接设备的现状及发展趋势。     

16.8GHz 4分频器芯片设计

本文设计的16.8GHz 1:4分频器是由两个1:2分频器构成,1:2分频器采用单时钟动态负载锁存器结构。由于它们工作在不同的速率上,虽然结构相同,但参数配置不同,分别以高速和低功耗为优化目标进行电路设计。仿真结果和流片测试结果均表明在该芯片在16.8GHz下可以实现4分频功能。     

24 GHz CMOS功率放大器芯片设计

24 GHz频段在车载雷达和无人机方面应用广泛,但面临着提高集成度、降低成本的挑战,而CMOS毫米波芯片因其成本低和易于系统集成的优点,在毫米波通信系统的应用中占据着越来越重要的地位。因此提出一种基于CMOS工艺的24 GHz功率放大器芯片的设计方法,包括24 GHz功放芯片的应用,以及有源器件的版图对其特征的影响及设计,给出了CMOS毫米波无源器件的特征及建模设计,最后对无源与有源器件进行了联合仿真,得到一个PAE为17%、Pout为10.7 d Bm的单级24 GHz功率放大器芯片。     

10GHz 2分频器芯片设计

目前,10 Gb/s以上的数字光纤通信技术正在逐步得到应用,研究和开发光纤通信用的高速集成电路具有重要的意义。文章介绍了使用0.2μm GaAs HEMT工艺设计的1个10 Gb/s以上的光纤传输用2分频器。该分频器采用双锁存器串联结构,仿真结果和流片测试结果均表明该电路在10Gb/s的速率上可以完成2分频功能。     

60 GHz Broadband MS-to-CPW Hot-Via Flip Chip Interconnects

In this letter, the microstrip-to-coplanar waveguide (MS-to-CPW) hot-via flip chip interconnect has been experimentally demonstrated to have broadband performance from dc to 67 GHz. The interconnect structures with the hot-via transitions were first designed and optimized by using the electromagnetic simulation tool. Three types of designs were investigated in this letter. The interconnect structures were then fabricated and radio frequency (RF) tested up to 67GHz. The optimized interconnect structure with the compensation design demonstrated excellent RF characteristics with the insertion loss less than 0.5dB and the return loss below 18dB over a very broad bandwidth from dc to 67GHz. This is to our knowledge the best result reported for this frequency range.     

微波光子集成芯片技术

微波光子集成芯片技术是微波光子雷达的重要支撑技术,不仅可以实现器件的多功能化,缩小微波光子雷达的体积,还可以大大提升微波光子雷达的稳定性与可靠性。该文介绍了目前常用的InP基、Si基和铌酸锂基等材料体系及其异质异构集成的光子集成芯片技术和可用于微波光子混合集成的光电集成芯片技术,并展望了未来发展趋势。      

2.4GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计

设计并流片验证了一种0.18μmRFCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案。对于射频(RF)I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好的ESD防护综合性能。对于电源口的ESD防护,主要研究了不同触发方式的ESD保护结构,结果表明,RCMOS触发SCR结构(RCMOS-SCR)具有良好的ESD鲁棒性和开启速度。基于上述结构的全芯片ESD保护设计,RF I/O口采用岛屿状布局的互补SCR结构的ESD防护设计,该ESD防护电路引入0.16dB的噪声系数和176fF的寄生电容,在人体模型(HBM)下防护能力可达6kV;电源口采用了RCMOS-SCR,实现了5kV HBM的ESD保护能力,该设计方案已经在有关企业得到应用。     

1.1GHz集成单片锁相频率合成器

本文介绍最高合成频率可达１．１ＧＨＺ的集成单片锁相频率合成器芯片ＭＣ１４５１９０／１９１／１９２的应用原理和组成频率合成器电路的设计方法。     

单片2.4GHz无线收发一体芯片nRF2401及其应用

nRF2401是挪威Nordic公司推出的单片2.4GHz无线收发一体芯片。它将射频、8051MCU、9通道12位ADC、外围元件、电感和滤波器全部集成到单芯片中 ,并采用2.4GHz频带和0.18μm工艺 ,可提供ShockBurst、DuoCeiver、片上CRC以及地址计算编码等功能。文章详细介绍了nRF2401的结构特点、引脚功能和工作原理 ,给出了它的典型应用电路。     

利用2.4GHz射频芯片CC2420实现ZigBee无线通信设计

CC2420是Chipeon公司推出的一款符合IEEE802．15．4规范的2．4GHz射频芯片，用来开发工业无线传感及家庭组网等PAN网络的ZigBee设备和产品。文中介绍了CC2420的主要功能、结构及典型应用电路。