Au~(34+)离子双电子复合过程的理论研究

复杂结构离子的双电子复合(DR)速率系数在核聚变、极紫外光刻光源等应用研究的等离子体谱模拟中具有重要的价值.利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了Au~(34+)离子的双电子复合速率系数.研究分析了激发、辐射通道,组态相互作用,级联退激对DR速率系数的影响.其中,级联退激对DR速率系数的贡献必须予以考虑.对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数做了比较,在温度大于1 eV范围,双电子复合都大于辐射复合以及三体复合速率系数,相应的DR过程对于等离子体离化态分布和能级布居以及光谱模拟都极为重要.对基态和第一激发态的DR速率系数进行了参数拟合,拟合值与计算值的偏差小于1.73%.研究结果将为复杂结构离子双电子复合过程的进一步研究提供参考.     

Ni27+离子Ka和Kβ型衰变的双电子复合速率系数的计算

用HFR波函数对低密度类氢Ni27+等离子体与电子相互作用的KLn和KMn共振激发的双电子复合过程进行了细致的理论计算研究.根据可能的重要辐射衰变通道,分析了Ni27+等离子体Ka型和Kβ型辐射衰变的双电子复合速率系数随旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数1与电子温度的变化行为,计算了Ni27+等离子体双电子复合过程的总速率系数.研究结果表明,在低密度条件下,Ka型和Kβ型辐射衰变的分支双电子复合速率系数与旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数1有重要关系,前者的分支速率系数远大于后者.     

密等离子体Ni—like金离子双电子复合的理论研究

以碰撞-辐射模型为基础，推导了含电子密度修正的双电子复合速率系数计算公式。以类镍金离子为例，计算并讨论了密等离子体中辐射衰变发生在3d-5f的总双电子复合速率系数。     

Ni27+ 离子Kα和Kβ 型衰变的双电子复合速率系数的计算

用HFR波函数对低密度类氢Ni²⁷⁺等离子体与电子相互作用的KLn和KMn共振激发的双电子复合过程进行了细致的理论计算研究.根据可能的重要辐射衰变通道，分析了Ni²⁷⁺等离子体Kα 型和Kβ 型辐射衰变的双电子复合速率系数随旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数l与电子温度的变化行为，计算了Ni²⁷⁺等离子体双电子复合过程的总速率系数.研究结果表明，在低密度条件下，Kα 型和Kβ型辐射衰变的分支双电子复合速率系数与旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数l有重要关系，前者的分支速率系数远大于后者. 关键词： 27+离子')" href="#">Ni²⁷⁺离子 Kα型和Kβ型辐射衰变')" href="#">Kα型和Kβ型辐射衰变 双电子复合 速率系数     

氙激光等离子体的双电子复合过程研究(英文)

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍氙的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

Gd激光等离子体的双电子复合过程研究

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

Ti、Cr类氦双电子复合速率系数的量子力学计算

本文用全量子力学方法计算了Ti、Cr类He总双电子复合速率系数和态-态双电子复合速率系数,给出了Ti、Cr类He态-态双电子复合速率系数与旁观主量子数、与原子实耦合对称性,以及与谱项多重性、对称性和角动量之间的关系.计算结果显示1s2pnp→1s2np和1s2pnd→1s2nd两衰变通道的双电子复合速率系数占总双电子复合速率系数的75%,成为对总双电子复合速率系数贡献最大的两个复合通道.本文得到了能用于冕区等离子体诊断目的的Ti、Cr类 He双电子复合数据.     

基于双激发态对稠密等离子体中双电子复合速率系数的研究

讨论了稠密等离子体中双电子复合速率系数的计算方法,推导出了在双激发态间跃迁过程和关于双激发态的碰撞电离和自电离过程的影响下双电子复合速率系数作为关于电子密度函数的计算公式,并以类氖镍离子为例进行了计算.计算结果展示了双电子复合速率系数随电子密度增大的具体变化趋势.此外,还给出了在不同原子过程影响下双电子复合速率系数的数据,并进行了分析.     

Au激光等离子体的双电子复合速率系数

基于准相对论多组态HartreeFock理论和扭曲波近似,采用组态平均的方法,从头计算了类铁金离子类镓金离子的双电子复合速率系数,计算中包含了大量稠密的自电离能级,由于宽广的自电离能级分布和极其复杂的级联效应,造成高Z材料Au的双电子复合速率系数不同于低Z元素的特征,与现有文献的类镍金离子比较,结果表明,在“神光Ⅱ”实验装置诊断的电子温度约为2keV,电子密度约为6×1021cm-3,Au激光等离子体不同理论之间的双电子复合速率系数误差不到10%.这对于使用超组态碰撞辐射模型模拟Au的激光等离子体M带细致 关键词： 双电子复合 类铁金离子类镓金离子 复合速率系数     

高电荷态氪离子双电子复合过程的理论研究

本文采用相对论的Flexible Atomic Code (FAC) 程序计算类氦Kr34+离子双电子复合的截面及速率系数,其中用n-3标度律对速率系数作了外推.文中我们还讨论了辐射分支比随不同共振峰的变化以及级联辐射的影响.     

高电荷态氪离子双电子复合过程的理论研究

本采用相对论的Flexible Atomic Code(FAC)程序计算类氯Kr^34 离子双电子复合的截面及速率系数，其中用n^-3标度律对速率系数作了外推。中我们还讨论了辐射分支比随不同共振峰的变化以及级联辐射的影响。     

类氢类氦类锂镁离子双电子复合的旁观电子角动量研究

类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词： 双电子复合 镁离子 角动量     

类镍Dy38+离子的双电子复合速率研究

在自旋轨道劈裂阵模型(SOSA)下,通过类铜组态3d9nln′l′(n′=4,5,6;l′=s,p,d),理论计算出类镍Dy38+的双电子复合速率系数,得出其在电子温度002—50keV范围内的变化规律,分析了不同离化度离子的能级特征,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能,这为实现等离子体的诊断提供了重要的参量 关键词： 自旋轨道劈裂阵 双电子复合 自电离系数 辐射衰减系数     

惯性约束聚变应用中全套原子参数研制

基于Cowan的准相对论程序包,文中扩充和发展了一系列组态平均、单组态和多组态不同层次的程序包,计算惯性约束聚变数值模拟及光谱诊断中需要的各种原子参数.本文以类氢、类氦和类锂的氩原子离子为例,计算了主量子数n≤6所有组态平均层次相关的电子碰撞激发和电离,光激发和电离,自电离,辐射复合、双电子复合、三体复合过程截面和速率系数等全套原子参数.截面和速率系数被拟合成可以方便使用的解析公式.     

类铷W37+离子双电子复合速率系数的理论研究

 利用全相对论组态相互作用理论方法,研究了类铷W³⁷⁺离子从基组态3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁶4d经过双激发态(3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁶4d)^-1nln′l′(n,n′=4,5)的双电子复合过程,得到了该离子在温度为1~5×10⁴ eV范围内的总双电子复合速率系数。分析比较了不同电子激发的双电子复合速率系数,结果表明:4p电子激发的双电子复合速率系数在低温时给出了主要贡献,而3d的贡献在高温时突出。由于强组态相互作用,两电子一光子跃迁对双电子复合速率系数的贡献不可忽略,其中辐射跃迁4p⁵4d5d5f-4p⁶4f5d的贡献是双激发态4p⁵4d5d5f总的双电子复合速率系数的5%。对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数的比较表明,在所研究的温度范围内双电子复合速率系数最大。     

类硼氧离子基态双电子复合速率系数的研究

由于氧广泛存在于星际物质中,对氧等离子体的诊断十分重要。双电子复合速率系数是对等离子体平衡状态诊断的重要参数。本文采用全相对论Flexible atomic code(FAC)研究了类硼氧离子从基态2s22p1(J=1/2)俘获电子,经过2s12p2 n′l′双激发态通道的双电子复合速率系数。忽略贡献很小的辐射级联效应,考虑组态相关,细致计算了n′≤9,l′≤n′-1的所有组态。使用了n′-3标度规律采用组态-组态外推法计算,计算了n′≤1000的所有组态总双电子复合速率系数。分析了双电子复合速率系数与不同被俘获轨道主量子数n′和轨道量子数l′的关系,认为对双电子复合其主要贡献的是n′=3和n′=5,且DR系数在l′=2时出现峰值。即基态通过2s2p2 n′l′的双电子复合伴线光谱中最强的光谱线对应跃迁为2s2p23d的双电子复合过程。该通道总的DR系数随温度升高而先增后减,在0.5eV左右出现最大值,认为此温度下双电子复合效率最高。低温时对于n′较大的组态可以忽略,高温时则需要考虑。     

Bi80+辐射复合过程的计算

基于Dirac-Slater自洽场方法,计算了Bi79+离子从低能到高能的光电离截面以及其逆过程Bi80+的辐射复合截面; 分析了Kramers公式的适用性;考察了多极效应、相对论效应在不同能区对辐射复合截面的影响;计算了Bi80+离子在电离阈值附近的辐射复合截面和辐射复合速率系数,考察了自由电子分布函数及电子的温度变化对速率系数的影响,并将计算结果同高精度的储存环合并束实验进行了对比.     

Xe8+离子双电子复合速率系数的理论研究

利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包, 详细研究了温度在0.1~1650 eV范围内Xe8+离子的双电子复合(DR)过程。 通过比较4s, 4p和4d壳层电子激发的双电子复合速率系数, 发现温度在10 eV以上时, 内壳层4p电子激发的双电子复合速率数对总双电子复合速率系数有很重要的贡献, 而4s电子激发对总双电子复合速率数贡献小于7.5%。 给出了△n=0, 1和2 三类芯激发对总双电子复合速率系数的贡献以及自由电子俘获到不同主量子数的双电子复合速率系数, 发现△n=2的芯激发和n′＞15的DR速率系数对总DR速率系数的贡献也很重要。 进一步给出了△n=0, 1和2 三类芯激发和总DR速率系数的拟合参数, 拟合结果和计算值符合, 偏差小于1%。 通过对双电子复合、 辐射复合以及三体复合速率系数的比较得知, 在温度高于1 eV时, DR过程是Xe8+离子的主要复合过程。Based on the fully relativistic configuration interaction method, theoretical calculations are carried out for the dielectronic recombination (DR) rate coefficients of Xe8+ ions in the temperature region from 0.1 to 1 650 eV. The comparison of the DR rate coefficients from 4s, 4p and 4d subshell excitations shows that 4d subshell excitation dominates in the whole temperature region. The contribution from 4p subshell excitation is very important at temperature above 10 eV and the contributions from 4s subshell excitation is lower than 7.5% in the whole temperature region. Similarly, the comparison of the DR rate coefficients through △n=0, 1 and 2 core excitation shows that the contribution from △n=2 core excitation can not be neglected, the contributions from n′＞15 can also not be neglected. The DR rate coefficients of △n=0, 1 and 2 core excitation and the total DR rate coefficients are fitted with some parameters, which are in good agreement with theoretical calculations values (within 1% difference). The total DR rate coefficients are greater than radiative recombination (RR) and three body recombination (TBR) rate coefficients at temperature above 1 eV. Therefore, the DR process can strongly influence the ionization balance of laser produced xenon plasmas.     

钨离子双电子复合过程的理论研究

利用全相对论组态相互作用理论方法, 研究了W28+离子由基态俘获一个电子形成双激发态(3d104s24p64d10 )-1 nln'l'(n = 4~6, n' = 4~15)的双电子复合(DR)过程. 比较分析了3s、3p、3d、4s、4p和4d电子激发对DR速率系数的贡献, 分析了3d、4s、4p和4d电子激发的DR速率系数随轨道量子数l' 的变化. 考虑和已有的计算完全相同的初态, 中间双激发态以及辐射和俄歇末态的情况下, 得到了和已有的计算符合很好的结果. 在综合了分析得到的对W28+离子DR过程有明显贡献的各种因素后,进一步得到了总DR速率系数. 其中, 考虑DAC效应对总DR速率系数有不可忽略的影响. 对DR速率系数进行了参数拟合, 拟合值与计算值的偏差小于1％.     

镁铝类氢类氦类锂离子双电子复合速率研究

 镁铝类氢类氦类锂离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在用双示踪元素谱线强度比研究ICF电子温度中占有很重要的地位。计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数，并给出不同离化度的总的双电子复合速率系数的变化规律，比较了它们在不同电子温度和不同跃迁通道的异同，对研究X射线激光、等离子体温度诊断等诸多应用领域提供了有价值的原子数据。