基于失效机理的半导体器件寿命模型研究

微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要,为了在较短的时间内得到产品可靠性数据,使用加速寿命试验是十分有效的方法.而使用加速寿命试验进行可靠性分析,关键是能够得到合适的寿命模型.不同的失效机理对器件寿命的影响是不同的.详细考虑了半导体器件的3个主要失效机理:电迁移、腐蚀和热载流子注入的影响因素,介绍了相应的寿命模型,并且通过具体的数据计算所得到的加速因子,对半导体器件在不同状态下的寿命情况进行了比较.     

半导体器件的可靠性评价

文章分析了半导体器件中的故障机理，提出相应的可靠性评价方法，并给出一些评价实例。     

半导体器件的长期贮存失效机理及加速模型

加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一.针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础.介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加速应力模型,给出了这些模型的适用条件.     

基于失效机理的半导体器件寿命模型研究

为了探讨不同失效机理对元器件寿命的不同影响.文中分析了半导体器件的三个主要失效机理(电迁移、腐蚀和热载流子注入)的影响因素及寿命模型,并通过具体数据计算分析了加速因子对不同状态下半导体器件寿命所产生的影响.     

半导体器件老炼筛选试验设计

老炼筛选试验是有效剔除内含固有工艺缺陷的半导体器件,以及保证半导体器件使用可靠性的重要途径。本文阐述了半导体器件早期失效的基本概念,并给出了半导体器件早期失效率的预计方法。在此基础上提出了半导体器件老炼筛选试验设计方法,以期最大限度地保证半导体器件出厂后的使用可靠性。     

半导体器件贮存可靠性快速评价方法

为解决复杂环境下半导体器件的贮存可靠性评估问题,结合半导体器件的贮存失效机理及其寿命-应力模型,提出了基于多贮存应力加速寿命试验的半导体器件贮存可靠性评估方法。在此基础上,以某款中频对数放大电路为研究对象,通过对加速寿命试验结果的分析,获得了电路在规定贮存时间下的可靠度。     

P波段功率管的射频脉冲加速寿命试验

概述了Ｐ波段功率管在射频脉冲条件下进行加速寿命试验的方法，对Ｐ波段功率管可靠性进行了初步预测，并分析了器件失效的原因。     

电子元器件加速寿命试验的挑战与对策

加速寿命试验是评价和提升高可靠长寿命电子元器件长期工作可靠性的有效方法.详细介绍了电子元器件加速寿命试验方案设计和实施中需要考虑的主要问题;通过一个实例,说明了不充分的加速寿命试验最终可能在现场应用中引起严重的事故;探讨了如何基于上述挑战,改进加速寿命试验设计的措施,以期促进我国电子元器件加速寿命试验技术的发展.     

加速极限试验方法综述

介绍了高加速极限试验(HALT)与传统的可靠性试验的差异性,以及HALT和高加速应力筛选(HASS)技术及其应用;并对HALT/HASS技术的实施方案,HALT/HASS试验中应注意的问题,以及如何正确地看待HALT/HASS技术在产品研发与生产中的作用等内容进行了综述。     

半导体器件在潮湿环境中的可靠性试验

研究湿度对半导体器件可靠性的影响主要目的有二个：强调湿度作为环境应力因素在失效过程所起的作用，以及模拟可靠性与湿度的相互关系，故而对两种塑料封装的半导体器件（光电子电路和集成电路）进行了一系列试验，以便从某一湿度和温度中测得的可靠性数据与从同一温度而湿度较低时测得的可靠性数据相比较，当进行特殊失效机理分析时，环境应力因素湿度的作用就显而易见了，试验数据也证实了原始模型；广义的阿列尼厄斯关系式。该模     

基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究

为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应力下的寿命数据。     

军用半导体器件的贮存理论与试验

本文论述军用半导体器件的贮存理论、标准和试验.鉴于目前我国半导体器件的现状,军用半导体器件的贮存期可规定为2～3年.超过贮存期应进行100%的外观、电参数、密封性检查和抽样可焊性试验、破坏性物理分析.试验合格后的产品仍可交付使用.     

再论军用半导体器件的贮存期及“延寿试验”

本文讨论了军用半导体器件的贮存失效率模型、贮存失效率曲线、贮存数据和“延寿试验”．再次阐明超过贮存期的器件只要进行必要的“延寿试验”，试验合格的产品仍可交付使用。     

加速试验中失效机理一致性的判别方法

通过对电子器件加速试验失效模型--Arrhenius模型的研究,发现加速试验过程中,失效机理不发生改变时,电子器件失效敏感参数的退化速率与施加应力的负倒数遵从指数关系,从而提出了一种加速试验失效机理一致性的判定方法.对样品3DG130进行了150～310℃的序进应力加速试验,快速得到了失效机理一致的应力范围,验证了该方法的可行性.     

电子设备可靠性的加速试验

简要介绍了可靠性加速试验基本原理和一般流程,以及可靠性试验技术形成和发展。提出了可靠性加速试验的实施规划,并重点阐述了可靠性加速试验中的高加速寿命试验（HALT）和高加速应力筛选试验（HASS）的相关内容,详细介绍了两者的区别和实施方法。针对试验应力类型选择、试验层次和试验条件的确定等方面进行了说明,给出了基本应用原则...     

半导体器件可靠性试验的计算机控制

介绍了半导体器件可靠性试验自动控制过程，详细探讨了系统控制原理和软件设计思想，给出了主要程序框图及测试实例，说明了该自动控制测试方法的可行性和正确性。     

印制电路板加速寿命试验方法综述

寿命试验是一种重要的可靠性试验,基于加速寿命试验方法和大数据分析的印制板可靠性评估技术,未来应用前景广大.文章综合阐述了可应用于印制板加速寿命试验的常用加速寿命试验模型、加速因子计算和加速寿命试验方法,希望能够为业内相关研究和应用者提供一定指导和帮助.