用于高频RF应用的MLCC

正Vishay QUAD HIFREQ系列高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)新增一款quad 2525外形尺寸的器件。QUAD HIFREQ 2525外形的器件是针对磁共振成像(MRI)的线圈和发电机、射频仪表、电信基站、激光器和军用通信系统里的高频RF应用而设计的,具有超高Q值(在10MHz条件下大于4000,1pF),低至0.018Ω的超低ESR,直流电压高达3600V。     

MLCC的一种典型失效形式及优化方式

对多层陶瓷电容器的一种典型失效形式进行研究.将多层陶瓷电容器焊后进行极限高低温冲击试验,试验发现焊接端头会出现微裂纹.微裂纹底部与外电极金属边缘重合,裂纹斜向上延伸,与焊接面之间呈锐角.裂纹贯穿交叠电极时会导致陶瓷电容器的电性能失效.后续可以根据实际情况为多层陶瓷电容器设计适宜的上下护片厚度、外电极端头宽度及单侧电极宽...     

一种MLCC焊接失效分析

为找出某厂生产的多层陶瓷电容器端电极存在焊接失效的原因,运用体视显微镜、扫描电子显微镜和能谱仪对问题批次样品的端电极进行分析。从分析结果可知,在多层陶瓷电容器Cu端电极烧结过程中,Cu端表面有玻璃相溢出,这导致端电极部分区域的Ni层和Sn层电镀异常,最终造成电容器的焊接失效。经过对玻璃相溢出原理的分析,提出可以从铜浆料选择、烧结温度和封端工艺方面来解决该问题。     

MLCC规模生产工艺的新进展

着重叙述了最新发展起来的、已达规模生产水平的两种片式多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣ）新工艺，介绍了它们的生产流程、工艺原理、工艺难点和质量保证，此外还比较了这两种新工艺的优越性与不足之处。     

2007年MLCC市场半程盘点

<正>随着中国日益成为全球最大的电子终端产品加工制造基地,中国的电子元器件市场也呈现出供需两旺的态势。其中,片式多层陶瓷电容器(MLCC,又称独石电容器)是目前用量最大、发展速度最快的片式元件之一。从下游供应链终端市场来看,电子产品对MLCC的需求呈现出几何级急剧增长,     

MLCC电极质量的显微研究

本文采用扫描电子显微镜分析了MLCC电极的微观结构,发现并研究了其存在的问题:端电极银底层存在较多的空洞及针孔缺陷,银底层与镍层之间结合不紧密等.这些电极微观结构反应出的问题,是降低MLCC可靠性和增加废品率的重要原因.研究结果对于生产工艺及配方的改进有着重要的实用意义.     

MLCC击穿原因浅析

从MLCC内部结构入手,分析了造成其电场畸变和电流分布不均匀的原因。运用有介质时的高斯定理,论证了在某些位置上非均匀电场强度要大于均匀电场强度。在MLCC内电极当中,处于最外边的上、下两个电极层所承受的电流相对较小,越靠近外电极,内电极层流过的电流越大。在此基础上,提出了在MLCC内部容易出现电压击穿和电流击穿的部位。     

低损耗因数MLCC在RF电路中的应用

分析了在RF电路中采用低损耗因数MLCC的优势,讨论了此类电容器的精度、额定电压、电容量、串联谐振频率、等效串联电阻、品质因数、并联谐振频率和功率负荷等技术指标,介绍了它在RF电路中的有关频率特性。提出了在选取和装配过程中应注意的问题,以提高整机的可靠性,达到最佳的性价比。     

封装中的界面热应力分析

随着电子封装集成度的不断提高,集成电路的功率容量和发热量也越来越高,封装体内就产生了越来越多的温度分布以及热应力问题。文章建立了基板-粘结层-硅芯片热应力分析有限元模型,利用有限元法分析了芯片/基板的热应力分布,封装体的几何结构参数对应力的影响,重点讨论了芯片与粘结层界面上和基板与粘结层界面上的层间应力分布     

大容量MLCC的工艺设计

采用四层端电极(Ni/Cu/Ni/Sn)结构设计,底层为Ni,电镀Cu/Ni/Sn的工艺方法,制作了大容量MLCC。研究了四层结构和三层结构(Cu/Ni/Sn)对电容量等基本电性能、可靠性和内应力的影响。结果表明:制作1206规格10μFMLCC,C为9.86～10.46μF、tanδ为(360～390)×10–4、绝缘电阻≥1.5×108Ω、耐电压值为175～205V,四层结构与三层结构电性能相当。可靠性测试中,四层结构抗机械和热冲击能力提高了20%,且有利于瓷体内应力释放。     

射频高Q值MLCC的设计和工艺

为了提高射频多层陶瓷电容器( MLCC)的Q值,采用NPO瓷粉、钯银内电极浆料和银端电极浆料等为原材料制备MLCC.研究了设计和工艺对所制MLCC的固有寄生参数Rs和Ls的影响.结果表明:特殊的设计能减小内电极电阻和内外电极的接触电阻;合适的内电极厚度保证了烧结后内电极良好的连续性;合理的倒角和烧端工艺保证了内外电极的...     

硅基HgCdTe面阵焦平面器件结构热应力分析

红外焦平面器件是一个多层结构,包含外延衬底、HgCdTe芯片、Si读出电路、互连In柱、粘结胶以及引线基板等,由于各层材料之间的热膨胀系数不同导致焦平面器件在工作中承受很大的热应力,热应力是导致红外焦平面器件失效的重要因素之一。本文运用一维模型以及有限元分析方法对硅基HgCdTe320×240焦平面器件结构进行热应力分析,结果表明,改变Si衬底厚度、粘结胶的杨氏模量以及基板的热膨胀系数,都会不同程度地影响HgCdTe薄膜上的受力,其中基板的热膨胀系数对HgCdTe薄膜所受的应力影响最大。通过选用合适的基板可以有效降低HgCdTe薄膜所受的应力,从而降低器件失效率。     

InP/GaAs键合热应力的有限元分析

用有限元方法结合ANSYS工具,研究了InP/GaAs键合在退火后的热应力分布图像.重点计算并详细讨论了对解键合有重要作用的界面上的剥离力和剪切力.最后分析了影响热应力大小的有关因素.数值分析结果与相关文献实验结果一致.     

射频功率模块的热性能分析

随着高密度电子组装技术的不断发展,电子设备的体积越来越小,而功率却越来越大。热功耗的显著增加将对半导体芯片的正常工作产生很大的影响。对装有功率放大器芯片的射频模块热性能进行了分析,提出了有效热控制的解决方法,为射频功率模块的可靠、稳定工作提供了保障。     

基于ANSYS的射频功率放大器热特性研究

论文首先仿真设计了一款射频功率放大器,接着构建了该射频功率放大器热特性分析模型,并采用有限元方法分析了该射频功率放大器热特性,然后研究了增加过孔以及不同覆铜层厚度、环境温度、耗散功率四种情况对射频功率放大器的温度、热应力和热形变的影响,最后基于上述分析结论加工制作并测试了该款射频功率放大器.在3.3GHz~3.6GHz范围内其输出功率不低于39.2dBm,增益不低于12dB,功率附加效率为62.6%~69%;在环境温度为21℃下,运用红外温度扫描仪进行测试,该款射频功率放大器最高温度达到90.0℃,测试结果与仿真分析结果相近.论文的研究为未来射频功率放大器的设计及制作提供了重要指导.     

电镀工艺对多层瓷介电容器介电性能的影响

用滚镀和静态电镀的实验方法研究了电镀过程对多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的介电性能的影响。镀镍后，ＭＬＣＣ的电容量略有提高，损耗和温度系数几乎没有变化。镀锡后，ＭＬＣＣ的电容量下降幅度较大，损耗增大，并且随着温度的升高而迅速增加，从而导致电容量变大，进而使电容量温度系数增大。并且高温损耗随着测试频率的提高而降低。将ＭＬＣＣ置于正在电镀的镀镍液和镀锡液中浸泡，发现镀锡液较镀镍液对ＭＬＣＣ有更强的渗入能力和侵蚀能力。     

多层陶瓷电容器端电极可靠性的显微研究

多层陶瓷电容器(MLCC)端电极在实际使用过程中,其电性能会随着时间发生不同程度的偏离,可焊性、耐焊接热等可靠性降低.针对多层陶瓷电容器端电极锡镀层在焊接过程中发生焊接失效问题,利用扫描电子显微镜(SEM)分析了正常样品和可焊性变差样品锡镀层的微观结构,并运用X线能谱(EDS)仪对问题样品进行成分分析.其结果表明,可焊性变差样晶端电极表面锡镀层出现了因氧化产生的异常区域,并通过后期的可焊性实验验证了分析结果,找出了端电极焊接失效的原因,并提出应对端电极氧化问题的改进措施.