激光场中的μ子衰变

本文在一级近似下研究了激光场对μ子衰变过程的影响．激光场中末态电子用Dirae-Volkov波函数描写，其他粒子态用平面波旋量波函数描写．数值结果表明，中等强度的激光就可以影响μ的衰变行为．光场越强，衰变率修正越大；激光频率越高，对衰变的影响越弱．     

激光场中正电子对氢原子的电离反应

本文在一级Born近似下,研究了激光场中正电子对基态氢原子的碰撞电离反应,并与入射粒子为电子的(e,2e)反应进行了对比.激光场中正电子态和敲出电子态分别采用Volkov波函数和Coulomb-Volkov波函数,靶原子的缀饰波函数由含时微扰论给出.计算结果显示激光缀饰的三重电离截面明显依赖于入射粒子电荷符号.激光越强,二者差距越大.     

Coulomb-Volkov近似下电子在激光场中对核的相对论散射

本文在Coulomb-Volkov近似下,研究了激光场中电子对核的相对论散射.电子出射与入射态分别用Volkov波函数和Coulomb-Volkov波函数来描述.数值计算给出了辐射场修正的散射截面及其对激光强度和频率的依赖关系,并与相应的Born近似结果进行了比较.     

激光场中正电子对氢原子的电离反应

本文在一级Bom近似下，研究了激光场中正电子对基态氢原子的碰撞电离反应，并与入射粒子为电子的（e，2e）反应进行了对比．激光场中正电子态和敲出电子态分别采用Volkov波函数和Coulomb-Volkov波函数，靶原子的缀饰波函数由含时微扰论给出．计算结果显示激光缀饰的三重电离截面明显依赖于入射粒子电荷符号．激光越强，二者差距越大．     

激光辅助的快质子对氢原子的碰撞电离

在质心参考系中研究了激光场中1 MeV质子对基态氢原子的碰撞电离过程. 靶原子的缀饰波函数由含时间微扰论给出, 末道出射电子态用双中心Coulomb-Volkov波函数描述. 计算表明辐射场使出射电子的双重微分截面变小. 敲出电子的能量越高, 截面减小越明显, 但截面中CTC峰的位置基本不受辐射场的影响.     

激光场中正电子对反质子的辐射复合反应

在软光子近似下, 计算了激光场中正电子对反质子的辐射复合过程. 辐射场作为经典场处理, 入射正电子态用Coulomb-Volkov波函数描述, 末道形成的反氢缀饰态由含时间微扰论给出. 理论结果显示激光背景明显削弱了反氢生成截面.     

飞秒激光控制的分子量子动力学研究：(Ⅰ)三维二能级系统

结合MCDTDH方法和优化控制理论，以吡嗪分子为例，模拟了在给定不同的目标态下具有3个振动模两个电子态的分子系统的量子动力学过程. 以电子激发态作为目标态，优化激光场为一个楔形脉冲，它所激发的电子波函数在两个调制模空间中振荡最后达到平衡位置，并有较高的目标态产生率.发现目标态的选择强烈地影响波函数随时间的演变情况，若目标态在各个模的平衡位置，在优化激光场的作用下，电子波函数被直接激发到其平衡位置；若目标态不在振动模的平衡位形，其电子波函数经过强烈的振荡以达到平衡态. 关键词： 优化控制 MCTDH 方法 分子量子动力学     

Coulomb—Volkov近似下电子在激光场中对核的相对论散射

本在Coulomb-Volkov近似下，研究了激光场中电子对核的相对论散射。电子出射与入射态分别用Volkov波函数和Coulomb-Volkov波函数来描述。数值计算给出了辐射场修正的散射截面及其对激光强度和频率的依赖关系，并与相应的Born近似结果进行了比较。     

基态分子波函数对N2分子在强激光场中产生高次谐波的影响

在强场近似下,利用简单的近似波函数作为分子基态最高占据轨道的波函数,研究了N2分子在强激光场中产生高次谐波的特性,并将结果与用精确的分子波函数作为基态波函数得到的结果进行了比较.结果表明.采用这两种不同的分子基态波函数得到的高次谐波在分子轴与激光偏振方向间的夹角较小时符合得很好,而在夹角较大的情况下,两者的结果差异较大.通过分析不同波函数所给出的电子密度分布,给出了产生这种差异的原因.     

基态分子波函数对N2分子在强激光场中产生高次谐波的影响

在强场近似下,利用简单的近似波函数作为分子基态最高占据轨道的波函数,研究了N₂分子在强激光场中产生高次谐波的特性,并将结果与用精确的分子波函数作为基态波函数得到的结果进行了比较.结果表明,采用这两种不同的分子基态波函数得到的高次谐波在分子轴与激光偏振方向间的夹角较小时符合得很好,而在夹角较大的情况下,两者的结果差异较大.通过分析不同波函数所给出的电子密度分布,给出了产生这种差异的原因. 关键词： 强激光场 强场近似 分子的高次谐波     

B0-B0混合的时间关联性的实验观测

 一、CP破坏与B⁰-（?）混合 在微观世界里,用“波函数”来描述微观客体的状态,它通常是位置和时间等的函数,波函数的平方表示粒子该时刻在给定位置具有的几率。把波函数中的位置矢量变号,称空间反演（P）,它相当于把参考系从右手坐标系变成左手坐标系或反之。空间反演的结果,得到波函数的一个量子数:宇称（P的本征值）。连续两次空间反演,波函数就变成原样,所以,宇称只能取两个值:要么+l要么-1,人们原设想,空间反演（采用右手坐标系或左手坐标系）是人为的事,波函数本身的宇称不应该受影响,也就是说宇称是不变的。李政道和杨振宁发现,当时人们认为不同的两个粒子θ和τ实际是同一个粒子（K介子）,但它有时弱衰变到宇称为+1的末态,有时弱衰变到宇称为-1的末态。     

PTCDA分子基态的飞秒激光控制研究

将优化控制理论和多组态含时Hartree（MCTDH）方法相结合,建立了适合于MCTDH方法的计算具有平面结构的PTCDA分子的多自由度振动量子模型,研究了在PTCDA分子激发后从分子激发态回落至分子基态的动力学过程.在理论上分析了约化目标态产生率与激发脉冲、分子的演变时间及优化场的有效能量之间的关系,对分子在各个振动坐标下波函数的振动分布做了分析与比较.研究发现,增加分子的回落演变时间在提高目标态产生率的同时可以使优化激光控制场的强度降低,这为实验上用低能量激光最大程度地实现目标态提供了有效手段. 关键词： PTCDA 多组态含时Hartree方法 飞秒激光控制     

磁场对激光等离子体的影响及高频再游离

用磁镜场和磁Ｃｕｓｐ场约束激光等离子体，使离子总束流峰值分别增加５倍和３倍；高电荷态离子的相对数量也增强，而在激光产生等离子体后附加上高频再游离装置时，也使总束流峰值从４６０μＡ增至１．４ｍＡ，并且详细研究了掺气对激光等离子体的影响。     

超短超强激光脉冲辐照超薄碳膜电离状态研究

为了进一步理解极端条件下物质的电离特性, 特别是超短超强激光脉冲辐照超薄靶时等离子体的形成与分布, 本文以超薄碳膜为例, 细致研究了超短超强激光脉冲辐照下原子的离化过程. 分析和比较了强激光场直接作用电离和靶内静电场电离等两种场致电离形式, 在碰撞电离可以忽略的情况下, 发现更多的电离份额是来自靶内静电场的电离方式. 研究了激光脉冲强度对电离的影响, 发现激光脉冲强度越强, 电离速度越快, 产生的高价态离子所占比例也越高.当激光强度为1×10²⁰ W/cm²时, 尽管该强度高于电离生成C⁺⁶所需要的激光强度阈值, 但该激光脉冲并不能将整个靶电离成C⁺⁶离子, 对此本文进行了详细的分析. 在研究激光脉冲宽度的影响时, 发现激光脉宽越小, 电离速度越快, 但越小的激光脉冲电离获得的高价态离子越少.     

高激发StarK能级寿命的计算

用零场下Rydberg态波函数为基矢,在空间展开求得Stark能态的波函数,进而计算了K原子n=15,|m_1|=1的Stark簇在I混合区各能态自发辐射速率及环境黑体辐射引起的受激跃迁速率,讨论了Stark能级寿命与外电场强度及环境温度的关系. 关键词：     

强耦合SU(3)极限基带波函数的计算

用群论方法给出了IBM4中强耦合SU(3)极限的内禀态波函数,然后用投影方法由内禀态波函数得到了基带波函数.     

用TDMA法计算谐振子在强激光脉冲下的高次谐波

用含时薛定谔方程的多态展开(TDMA)方法求解含时薛定谔方程.该方法将含时波函数以基函数展开,通过求解展开系数的一阶微分方程组得到任意时刻的波函数.并将这一方法用于强激光场中谐振子的高次谐波的计算,以HCl分子为例,计算了在脉冲激光作用下高次谐波的产生和对应的激光强度、波长和脉冲宽度.     

激光场强度对NO电子态粒子数布居影响的理论研究

用含时波包方法研究了激光场强度对NO各电子态上粒子数布居的影响.在计算中,采用了四态模型.利用分裂算符傅里叶变换方法求解Schrdinger方程,得到各个电子态的波函数,从而求得各个电子态上粒子数的布居.计算结果表明,不同强度的抽运光对各个电子态上粒子数布居会产生不同的影响.通过改变激光强度可以实现对电离产率的控制,这种思想对实现原子分子过程的激光操控具有重要意义.     

诱导光偏振态对激光诱导掺杂铌酸锂晶体畴反转的影响

研究了诱导光的偏振态对激光诱导原子数分数为3%掺镁同成分铌酸锂晶体和原子数分数为3%掺铪同成分铌酸锂晶体畴反转的影响.用数字全息干涉测量的方法再现了激光诱导畴反转过程中的相位分布.通过对比线偏振、圆偏振和椭圆偏振不同偏振态诱导光形成的成核场,认为诱导过程中出现的沿z方向的空间电荷场对激光诱导优先畴成核有着非常重要的影响...     

质子衰变和质子波函数

本文采用了复合粒子场流关系式和软π介子近似等技巧, 在SU(5)大统一规范理论里讨论了质子两体衰变, 如p→π⁰e⁺等. 我们把它与J/ψ→pp衰变振幅联系起来, 这样就可由J/ψ→pp衰变宽度的实验值给出质子零点波函数值, 从而确定质子衰变寿命的大小. 为了估计质子零点波函数给质子寿命带来的不确定性, 利用一个具体模型分析了零点波函数可能的下限. 如果Λ_MS=200 MeV, 这将是对简单的SU(5)大统一规范理论的一个严峻考验. 值得注意的是本文提供了一种把质子衰变过程与其它相关过程联系起来的方法, 这对于确定质子衰变寿命来讲是很有用的.