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报道了具有先进双极关键技术特征的多晶硅发射极集成电路的工艺 ,重点介绍了用难熔金属氮化物 (Zr N )作为新的刻蚀掩模实现器件的硅深槽隔离 ;E- B间自对准二氧化硅侧墙隔离 ;快速热处理实现多晶硅发射区浅结及薄基区 ;E、 B、 C区自对准钴硅化物形成 ,明显地减少串联电阻和双层金属 Al间可靠互联等先进的工艺研究 .用此套工艺技术研制出工作频率达 3.1GHz的硅微波静态分频器实验电路 ,集成度为 6 0 0门的双层金属 Al的ECL移位寄存器电路 ,最高移位频率达 45 0 MHz. 19级环振电路平均门延迟小于 5 0 ps 相似文献
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研究了一种BiCMOS新技术,基区和发射区均通过发射极多晶注入,使形成的基区更浅,更窄;通过等平面氧化形成的鸟嘴,将版图设计中3.0μm,的发射极条宽“挤”为2.0μm左右。提高了器件性能。在器件结构及工艺设计中,中能提高工艺的兼容性,简化工艺。 相似文献
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本文对目前流行的测量晶体管串联电阻的常规方法进行了理论分析和实验验证,结果表明,用常规方法测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的误差很大。 相似文献
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不管集成电路如何发展,分立器件永远不会被集成电路完全取代。而在分立器件中,高一颗小功率管产量占有相当大的比重。但直到现在,高频小功率管的生产基本上仍然是沿用了传统的老工艺。因此,对于这类器件生产工艺的改进就有着带普遍性的非常重要的意义.我们针对现行小功率管制造中存在的问题,以3DG142为代表品种,试验使用LPCVD多晶硅薄膜工艺,以掺杂多晶硅发射极结构取射传统的池发射极TIAI结构,改善了器件性能,提高了成品率和可靠性,取得了良好的结果。一、问题高濒,尤其是超高频小功率晶体管,芯片几何尺寸细微,以致做好… 相似文献
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本文描述了一种实现亚100nm基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似BSA(硼硅玻璃自对准)技术,可实现亚100nm的基区结深,还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比,这种工艺可轻易地解决诸如高剂量离子注入所产生的下列问题:二次沟道效应对基区结深减小的限制及晶格损伤。晶体管采用了多晶硅发射极,RTA(快速热退火)用于形成晶体管的单晶发射区,为提高多晶发射区的杂质浓度 相似文献
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采用蒸发淀积、快速热退火等技术,通过Ti/Si,Ti多晶硅固相反应,形成高电导均匀的TiSi2薄膜,并将这种钛硅化物形成技术应用于浅结多晶硅发射极工艺中,自对准形成钛硅化物薄膜,以形成良好的欧姆接触减小器件互连线电阻。本文介绍了钛与单晶硅、多晶硅形成的硅化物及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用研究。 相似文献
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多晶硅发射极晶体管直流特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率,高的电流能力,改善了EB击穿和CB击穿.电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件. 相似文献
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超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效地减小了器件的基区面积 .测试结果表明 ,晶体管有良好的交直流特性 .在发射区面积为 3μm× 8μm时 ,晶体管的截止频率为 6 .1GHz.19级环振平均门延迟小于 40 ps,硅微波静态二分频器的工作频率为 3.2 GHz 相似文献
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超高速话带调制解调技术 总被引:1,自引:0,他引:1
采用话带调制解调数字信息传输具有价格低、方便、的优点,是目前广为人们采用的一种数据传输方式,最后通过的ITU-TV,34建议,命名话带调制解调器的速度达到了28.8kb/s,从此话带调解调器进入了超高速的新。本文论述了V.34建议中的技术,并讨论了话带调制解调器的发展现状及未来趋势。 相似文献
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主要介绍了当前高速数字信号测试中的一些处理方法.依据这些处理方法.阐述了如何在Verigy93000机台上进行高速数字集成电路器件的测试. 相似文献
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本文介绍了超高速光纤传输关键技术的典型方案对G.652,G.653和G.65x光纤进行了分析比较,重点讨论了已建不缆干线大量采用的G.652光纤的开发利用和新建光缆干线中光纤选型问题,最后提出了超高速不纤传输技术研究与应用的策略。 相似文献