RAMAN SCATTERING OF Dy/Y RARE EARTH SUPERLATTICE

We report the observations of Raman scattering of the TO phonon modes from the different layers in Dy/Y rare earth superlattices. It is found that helical phase lock-in transition at about 50 K in the Dy/Y superlattice is accompanied by the softening of TO phonons from both Dy magnetic layers and Y nonmagnetic layers.     

激光诱导多孔硅晶格畸变的Raman光谱和光致发光谱研究

研究了掺钛水热法制备多孔硅的Raman光谱和光致发光谱.实验发现,当激光功率较低时,多孔硅的Raman光谱在略低于520cm^-1附近表现为一锐的单峰,和晶体硅的Raman光谱类似.随激光功率增大,该单峰向低波数移动,Raman和光致发光峰的强度与激光强度的一次方成正比.当激光功率增大到一定值时,该单峰分裂成两个Raman峰,光致发光谱的强度突然增大,与激光强度之间不再满足一次方的关系,位于低波数一侧的Raman峰随激光功率增大进一步向低波数移动.多孔硅Raman光谱随激光功率的变化是 关键词： 多孔硅 Raman光谱 光致发光     

稀土配合物的喇曼散射和超喇曼散射效应

以可见光为激发光,观测了稀土配合物的喇曼散射和超瑞利、超喇曼散射光谱,简单论述了超瑞利和超喇曼散射的理论,对实验测出的谱线进行了认证与分析     

多孔硅的光致发光和红外吸收光谱研究

用电化学腐蚀法制备出多孔硅系列样品.室温下具有明亮可见的光致发光.增大电解电流或延长腐蚀时间,发光光谱明显地“蓝移”;提高样品测量温度,发光光谱也明显地“蓝移”。红外吸收光谱表明多孔硅中除了硅丝骨架以外,还含有H、F及O等元素,随着腐蚀时间的增加,F和O原子的相对含量增加.实验结果表明,多孔硅在可见光区的发光现象是一种量子尺寸效应.     

多孔硅的微结构与发光特性研究

利用原子力显微镜（AFM）和光致荧光（PL）光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究．表面和侧面的AFM结果表明，多孔硅表面呈“小山”状，有许多小的、突出的硅颗粒．在相同的腐蚀条件（等效）下，脉冲腐蚀的样品表面Si颗粒更加尖锐、突出，侧面的线状结构更明显，多孔硅层更厚．对应的PL谱，脉冲腐蚀的样品发光更强．量子限制效应的理论可以比较成功地解释这个结果 关键词：     

极化激元(polaritons)与拉曼散射

在给出介质中的光（电磁）波与极化波混合作用而得出的极化激元方程。极化激元色散方程之后又讨论了相应的物理意义及相关的物理问题；获得极化激元的实验方法。接着还介绍和讨论了极化激元的拉曼散射。     

铜－多孔硅光致发光和红外光谱研究

本文报道了铜-多孔硅的稳态光致发光,瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面吸附产生的表面电子态所起的非辐射复合中心的作用。     

分子束外延GaAs/Si材料的喇曼散射研究

对逐层腐蚀的GaAs/Si材料进行喇曼散射实验,研究晶格振动声子谱沿外延生长方向的剖面分布,发现GaAs外延层从表面到界面经历着从双轴张应力到双轴压应力的变化。用Anastassakis等人提出的特殊相关模型对GaAsLO声子的谱形进行分析,发现GaAs外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄(从1μm—500?)是渐渐退化的,这是由于界面失配位错进入外延层所致。对GaAs LO声子与TO声子强度之比分析表明:外延层厚度从3.3μm变化到1μm左右时,其晶体质量并不是简单地随着厚度的减薄而退化,在1.3μm左右外延层晶体质量反而变好。对这种现象做了详细的讨论。 关键词：     

铜－多孔硅光致发光和红外光谱研究

本文报道了铜－多孔硅的稳态光致发光，瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究，讨论了铜在多孔硅表面吸附产生的表面电子态所起的非辐射复合中心的作用。     

多孔硅微秒光致发光衰减

在微秒范围内测量了多孔硅的光致发光衰减,研究了衰减参数与发光波长、样品制备条件的关系,发现衰减参数与发射波长有关,但不依赖于样品制备条件。用发光三层模型解释了实验结果。     

氧化处理多孔硅的光致发光和发光衰减

用沸硫酸对多孔硅进行了处理,测量了它们的红外吸收光谱、光致发光光谱和发光衰减.对氢、氧的作用进行了讨论,发现氧的加入可使发光强度增加两个数量级,发光衰减变快.用三层发光模型对结果进行了讨论.     

硅、锗中氧的低温红外吸收

在6—300K下,利用红外傅里叶光谱仪研究了400—4000cm^-1间的硅、锗中氧的红外吸收。采用高分辨条件时,分辨率可达0.5cm^-1。研究了在低温下利用硅的1106cm^-1吸收峰和锗的855cm^-1吸收峰探测硅和锗氧含量的探测限和误差。若样品厚度为2cm,估计在20K下,硅中氧含量探测限～9.6×10¹⁴氧原子·cm^-3,锗中氧含量探测限～3.0×10¹⁴氧原子·cm^-3。同时,对不同生长条件下直拉锗单晶的氧含量进行了研究,并与用锂沉淀法所求得的锗中氧含量加以比较。对不同氧含量的硅样品的1106cm^-1吸收峰在6—300K的变化进行了观察和讨论。 关键词：     

TiN镀层的一级和二级Raman散射

我们观测到了TiN镀层的一级和二级Raman散射,初步研究了TiN镀层的沉积参数和镀层性质对Raman谱的影响。结果表明TiN镀层的Raman散射不同于体材料氮化钛的Raman散射,特别是在二级Raman散射部分。     

受激Raman散射实验研究

本文测量了受激Raman散射(SRS)(又称Stokes光)能量及等离子体尺度的依赖关系,揭示了SRS产生的条件及演变的规律。证明在黑洞靶中SRS是产生超热电子的主要机制。较好地测量了波长1.053μm激光在1.2～2.1μm波段范围内产生的SRS光谱及在0.72～0.78μm波段范围内产生的Anti-Stokes光谱。由SRS谱的短波截止推算出等离子体的电子温度为1.35keV。由谱的分布推算出SRS主要产生在0.07～0.15临界密度范围内(波长1.053μm激光的临界密度为1×10^(21)/cm^3)。     

CI在Si和Ge(111)面上的化学吸附

考虑了Si(111)和Ge(111)面吸附Cl的几何构形,本文采用集团模型,用电荷自洽的EHMO方法,对Si(111)和Ge(111)面,分别用能量极小的原则,确定了Cl的化学吸附位置。计算结果表明,对于Si(111)面,Cl是在顶位被吸附,形成共价结合,与实验结果一致。对于Ge(111)面,计算表明在顶位和三度开位上都能吸附Cl,与以前结论有一些不同,但本文认为偏振光电子谱的实验结果并不能完全排除Cl在Ge(111)面上顶位吸附的可能性。希望有其他实验能对Cl在Ge(111)面上的吸附作进一步的观察。此外,还计算了Cl在Si(111)面顶位上的吸附和它在Ge(111)面三度开位上的吸附时的状态密度,和实验结果进行了比较,相符甚好。 关键词：     

PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF NANO-SIZE CRYSTALLINE SILICON FILMS

Photoluminescence (PL) at low temperature is reported for nc-Si:H films grown by PECVD. A characteristic luminescence peak was observed in the wavelength range of 1.1-1.2μm. The temperature dependence of PL has been studied in the temperature range of 4.2-180 K. The PL mechanism of nc-Si:H films is discussed. The emission peak at 1.1-1.2 μm is attributed to the interface atoms between grains, and the emission peak around 0.9μm is due to a little amount of amorphous component.     

人脑脊液中的光偏振及荧光特性

本工作对基本正常人的脑脊液和有神经系统疾病的人脑脊液进行了光偏振及荧光物理特性的测量,对脑脊液的荧光5450Å进行荧光平均寿命测量,并在Ar激光4880Å的监控下,测量了荧光5450Å的强度与照射时间的关系,得到了一些有益的提示。除此之外,我们还测量了OH键Raman带在振动频率Δv=3392cm-1的退偏度,退偏度POH=0,计算了吸收振子和被辐射振子之间的夹角,证明了在人的脑脊液分子中的OH键振动是完全对称的振动,其极化强度是各向同性的。     

Hg1—xCdxTe的共振拉曼散射

当入射光的光子能量接近Hg1-xCdxTe的Eo △o时,发现了Hg1-xCdxTe的共振拉曼散射,观察到了“禁戒”共振增强拉曼散射,同时也观察到了二级共振拉曼散射。分析了非共振条件下能在样品的（100）面观察到微弱的“禁戒”TO2模拟及在共振条件下“禁戒”TO2模大大增强的原因。通过分析,发现由双LO声子引起的二级共振拉曼散射主要由带内的Froehlich相互作用造成的。     

准稳态受激喇曼散射的时间特性

用波长为5321埃、宽度为200微微秒光脉冲泵浦乙醇介质,同时获得了宽度为14微微秒的后向斯托克斯光脉冲和宽度为26微微秒的前向斯托克斯光脉冲。并进行了初步的理论分析。 关键词：     

白云鄂博变生褐钇铌矿的Raman光谱和光致发光谱

测定了白云鄂博变生及退火结晶的褐钇铌矿和褐铈铌矿的Raman光谱，并讨论了结构、成分对Raman光谱的影响.它们的Raman光谱出现在840—600，340—280及200—50cm^-1的三个区，前两者为NbO^3-₄四面体的伸缩振动和弯曲振动频率，后者为稀土离子和NbO^3-₄四面体的外振动模式，通过对褐钇铌矿族矿物Raman光谱的比较分析，表明aman光谱可以有效地反映出该类矿物的结构畸变.还发现 关键词：