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超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅰ) --Cu互连和金属化 总被引：2，自引：0，他引：2
21世纪初,超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸将由150hm逐代缩至50nm.文章以100nmULSI器件为主,简要介绍与互连相关的一些材料物理问题,其中包括Cu互连、金属化及低介电常数介质. 相似文献
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超大规模集成电路的一些材料物理问题（Ⅱ）—尺寸缩小带来的巨大挑战 总被引：3，自引：0，他引：3
随着CMOS技术缩至100nm或更小，在CMOS器件结构，接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战。 相似文献
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随着CMOS技术缩至 10 0nm或更小 ,在CMOS器件结构、接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战 . 相似文献